621.3 А 798 Аргунова, Т. С. Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si, полученных методом прямого сращивания [Текст] / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 700-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- прямое сращивание пластин -- Ge[x]Si[1-x]/Si -- кристаллы -- твердые растворы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- структурные свойства -- электрические свойства Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин Ge[x]Si[1-x] и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-Ge[x]Si[1-x]/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si большой площади. Доп.точки доступа: Белякова, Е. И.; Грехов, И. В.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Сорокин, Л. М.; Шмидт, Н. М.; Yi, J. M.; Jung, J. W.; Je, J. H.; Абросимов, Н. В. |
517.5 Е 912 Ефимов, Д. А. Структурные свойства в классах голоморфных функций в полуплоскости [Текст] / Д. А. Ефимов // Математические заметки. - 2008. - Т. 83, вып. 5. - С. 661-666. - Библиогр.: с. 666 . - ISSN 0025-567X
Рубрики: Математика Теория функций Кл.слова (ненормированные): классы голоморфных функций -- голоморфные функции -- структурные свойства -- функции -- полуплоскости Аннотация: Доказываются различные структурные свойства в классах голоморфных функций, определяемых посредством максимальных функций, в полуплоскости. |
546.49 М 364 Махний, В. П. Влияние термического отжига на физические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. П. Махний // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 108-112 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- монокристаллический теллурид кадмия -- поверхностный слой -- термический отжиг -- оптические свойства -- структурные свойства Аннотация: Показано, что термический отжиг монокристаллических подложек теллурида кадмия на воздухе приводит к существенному изменению структурных и оптических свойств поверхностного слоя. Наблюдаемые особенности, которые возникают при определенных режимах отжига, объясняются в рамках теории квантово-размерных эффектов. |
621.3 Г 152 Галашев, А. Е. Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур [Текст] / А. Е. Галашев, И. А. Измоденов, А. Н. Новрузов, О. А. Новрузова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 196-202 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые структуры -- наночастицы кремния -- физические свойства -- нагревание -- кинетические свойства -- структурные свойства Аннотация: Методом молекулярной динамики изучено изменение физических свойств стеклообразных и аморфных наночастиц кремния, содержащих 300, 400 и 500 атомов, при их нагревании от 300 до 1700 K. Рассчитаны энергия и средняя длина связи Si-Si, определено среднее число связей, приходящихся на один атом. Температурные напряжения приводят к изменению распределения избыточной потенциальной энергии по концентрическим слоям наночастиц. Энергетически наиболее выгодным оказывается средний сферический слой "теплой" наночастицы. Рассмотрено поведение радиальной и тангенциальной компонент коэффициента подвижности атомов в концентрических слоях с изменением температуры. Установлено наличие жидкого слоя на поверхности наночастиц в окрестности перехода к плавлению. Застеклованные наночастицы Si[n] имеют более высокую кинетическую устойчивость, чем соответствующие им по размеру аморфные частицы. Доп.точки доступа: Измоденов, И. А.; Новрузов, А. Н.; Новрузова, О. А. |
621.3 Ч-686 Чистохин, И. Б. Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения [Текст] / И. Б. Чистохин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 352-355 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- молекулярно-лучевое осаждение -- структурные свойства -- электрофизические свойства Аннотация: Изучены структурные и электрофизические свойства поликристаллических пленок Si[0. 5]Ge[0. 5] толщиной 150 нм, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения при температурах 200-550 C на подложках кремния, покрытых аморфными слоями оксинитрида кремния. Установлено, что пленки представляют собой смесь аморфной и поликристаллической фаз. Доля аморфной фазы уменьшается от ~50% в пленках, осажденных при 200 C, до нуля в пленках, выращенных при 550 C. Последующий отжиг при температуре 550 C в течение 1 ч приводит к полной твердофазной кристаллизации всех пленок. Электронный транспорт носителей заряда в поликристаллических пленках реализуется по термоактивационному механизму, связанному с энергетическим барьером ~0. 2 эВ на межзеренных границах. Понижение барьера при дополнительном отжиге пленок SiGe коррелирует с увеличением среднего размера зерен. Доп.точки доступа: Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. С. |
Чеботок, Е. Н. Влияние кристалличности хитина и хитозана на кинетику щелочного деацетилирования [Текст] / Е. Н. Чеботок, В. Ю. Новиков, И. Н. Коновалова // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 10. - С. 1724-1729. - Библиогр.: c. 1729 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Органическая химия Кл.слова (ненормированные): гидролиз -- кристаллические модификации -- кристалличность -- оптическая плотность -- перекристаллизация -- полисахариды -- скорость деацетилирования -- структурные свойства -- хитины -- хитозаны -- щелочное деацетилирование Аннотация: Исследованы структурные свойства исходных и переосажденных образцов хитина и хитозана в сухом и влажном состоянии. Доп.точки доступа: Новиков, В. Ю.; Коновалова, И. Н. |
Маркус, И. Связь между термодинамическими, транспортными и структурными свойствами растворов электролитов [Текст] / И. Маркус // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 1. - С. 18-31 : 2 табл., 1 рис. - Библиогр.: с. 30-31 (43 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Экспериментальная химия Кл.слова (ненормированные): растворы электролитов -- термодинамические характеристики -- структурные свойства -- отдельный ион -- смеси растворителей Аннотация: Образование и разрушение структуры воды ионами. Структурные исследования растворов электролитов. |
Марюнина, К. Ю. (канд. хим. наук). "Дышащие" кристаллы [Текст] / К. Ю. Марюнина // Наука из первых рук. - 2010. - N 1 (31). - С. 12-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (5 назв. ) . - ISSN 1810-3960
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): нитроксильные радикалы -- гексафторацетилацетонат меди (II) -- гетероспиновые комплексы -- спиновые переходы -- обменное взаимодействие -- кристаллы -- молекулы -- дышащие кристаллы -- магнитные свойства -- структурные свойства Аннотация: Об исследовании уникальных магнитных и структурных свойств многоспиновых "дышащих кристаллов". |
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si[1-x]Ge[x] (0X0. 35) и исследование их свойств [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- монокристаллический кремний -- монокристаллические сплавы -- бестигельная зонная плавка -- структурные свойства -- электрофизические свойства -- твердые растворы -- Si -- Ge -- удельное сопротивление -- носители заряда Аннотация: Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si[1-x]Ge[x] диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at. %, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si[1-x]Ge[x] в зависимости от содержания Ge. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Юсупова, Ш. А. |
Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н. |
Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния [Текст] / С. Г. Дорофеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1460-1467 : ил. - Библиогр.: с. 1466-1467 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- наночастицы -- кремний -- нанокристаллический кремний -- nc-Si -- коллоидные растворы -- золя -- структурные свойства -- оптические свойства -- осаждение -- размерно-селективное осаждение -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- поглощения -- спектры поглощения -- рассеяние -- комбинационное рассеяние -- спектры комбинационного рассеяния -- порошки -- травление Аннотация: Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны Eg в пленках увеличивается от 1. 8 до 2. 2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц. Доп.точки доступа: Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Ищенко, А. А.; Васильев, Р. Б.; Гольдшрах, М. А.; Зайцева, К. В.; Колташев, В. В.; Плотниченко, В. Г.; Тихоневич, О. В. |
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 126-129 : ил. - Библиогр.: с. 128-129 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- реакторы -- давление -- активная область структур -- InGaN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- электролюминесценция -- ЭЛ -- электролюминесцентные свойства -- структурные свойства -- трансформация -- слои -- излучения -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- спектры электролюминесценции -- квантовые ямы -- КЯ Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока. Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Сахаров, А. В.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Давыдов, Д. В.; Черкашин, Н. А.; Цацульников, А. Ф. |
Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO-Ag [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 713-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- ZnO-Ag -- окись цинка -- серебро -- легирование -- подложки -- сублимация -- рентгеновская дифракция -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кадотолюминесценция -- КЛ -- структурные свойства -- люминесцентные свойства -- излучательные свойства Аннотация: Пленки ZnO-Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0. 6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок - способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500-2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения. Доп.точки доступа: Хомченко, В. С.; Кушниренко, В. И.; Папуша, В. П.; Савин, А. К.; Литвин, О. С. |
Неверов, В. С. Исследование методом молекулярной динамики структурных и термодинамических свойств воды [Текст] / В. С. Неверов, А. В. Комолкин // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 3. - С. 33-42 : ил. - Библиогр.: с. 42 (50 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): метод молекулярной динамики -- молекулярная динамика -- структурные свойства -- термодинамические свойства -- свойства воды -- жесткая вода -- температурные диапазоны -- трехцентровые модели -- пятицентровые модели -- SPC/E -- TIP3P -- температура кипения -- конденсация -- фазовые переходы -- VT-диаграммы -- трехмерные распределения -- пространственные распределения -- распределение атомов -- температурные зависимости -- полная энергия -- плотность -- теплоемкость -- водородные связи -- коэффициент самодиффузии -- самодиффузия -- радиальное распределение -- точка кипения -- локальные структуры -- модель TIP5P -- TIP5P Аннотация: Методом молекулярной динамики проведено исследование термодинамических и структурных свойств четырех жестких моделей воды в широком температурном диапазоне. Изучены две трехцентровые (SPC/E и TIP3P) и две пятицентровые (ST4 и TIP5P) модели. Обсуждены следующие результаты: температуры кипения и конденсации, VT-диаграммы фазовых переходов, трехмерные пространственные распределения атомов, температурные зависимости полной энергии, плотности, теплоемкости, количества водородных связей в пересчете на одну молекулу, распределения водородных связей по углу HOO, коэффициента самодиффузии и функций радиального распределения. Точки кипения у всех моделей не соответствуют 100°С и заметно отличаются друг от друга. Точки конденсации также различны. На основании полученных данных о структурных параметрах сделан вывод о том, что наилучшим образом локальную структуру воды воспроизводит модель TIP5P. Однако если хорошее воспроизведение локальной структуры не является обязательным условием исследования, то для расчетов можно использовать и менее ресурсоемкие трехцентровые модели. Доп.точки доступа: Комолкин, А. В. |
Федотова, М. В. Влияние концентрации электролита на структурные свойства бинарной системы RbBr-Н[2]О [Текст] / М. В. Федотова, С. Е. Кручинин, Е. Л. Гаврилова // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 9. - С. 122-123 : 1 табл. - Библиогр.: с. 123 (6 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Растворы Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- интегральные уравнения -- бромиды рудия -- водные растворы -- структура водных растворов Аннотация: Представлены результаты исследования структурных свойств представленной системы в широком концентрационном диапазоне при стандартных условиях. Доп.точки доступа: Кручинин, С. Е.; Гаврилова, Е. Л. |
Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 981-985 : ил. - Библиогр.: с. 985 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): распределение брегговских отражателей -- РБО -- брегговские отражатели -- структурные свойства -- оптические свойства -- InAlN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- МО -- сапфировые подложки -- подложки -- эпитаксиальные слои Аннотация: Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм. Доп.точки доступа: Усов, С. О.; Заварин, Е. Е.; Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Николаев, А. Е.; Синицын, М. А.; Крыжановская, Н. В.; Трошков, С. И.; Леденцов, Н. Н. |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1135-1139 : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. |
Формирование композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1382-1386 : ил. - Библиогр.: с. 1385 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- композитные квантовые точки -- InGaN/GaN/InAlN -- нитрид галлия -- тонкие слои -- структурные свойства Аннотация: Представлены результаты исследований формирования композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN. Исследованы структурные свойства тонких слоев InAlN, заращенных GaN, и показано формирование в таких структурах трехмерных островков, имеющих латеральные размеры ~ (20-30) нм. Показано, что осаждение тонкого слоя InGaN на поверхность островков InAlN, заращенных тонким слоем GaN, приводит к трансформации непрерывного слоя InGaN в массив изолированных квантовых точек, имеющих латеральные размеры 20-30 нм и высоту 2-3 нм, положение которых в направлении роста коррелирует с положением островков InAlN. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Заварин, Е. Е.; Крыжановская, Н. В.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Усов, С. О.; Брунков, П. Н.; Гончаров, В. В.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. |
Суетин, Д. В. Влияние примесей 4d-металлов на структурные, электронные свойства и стабильность гексагонального WC по данным FLAPW-GGA-расчетов [Текст] / Д. В. Суетин, И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 12. - С. 2292-2298. - Библиогр.: с. 2298 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примеси металлов -- структурные свойства -- электронные свойства -- гексагональный карбид вольфрама Аннотация: Представлены результаты систематических ab initio расчетов полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн (FP-LAPW) зонной структуры и ряда свойств гексагонального карбида вольфрама h-WC с примесями всех 4d-металлов, M=Y, Zr,..., Ag. Для систем WC: M впервые рассчитаны параметры решетки, распределение плотности электронных состояний, энергии формирования и когезии, коэффициенты низкотемпературной теплоемкости и парамагнитные восприимчивости Паули, которые обсуждаются в сопоставлении с таковыми для систем h-WC с 3d-примесными атомами. Установлено, что изменение указанных свойств систем WC : M в зависимости от типа атома M носит немонотонный характер. Доп.точки доступа: Шеин, И. Р.; Ивановский, А. Л. |