539.2 А 230 Агаев, В. В. Влияние диэлектрической пленки SrF[2] на люминесцентные свойства n-InP [Текст] / В. В. Агаев, В. А. Созаев, Г. И. Яблочкина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 142 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): защитные покрытия -- излучательная рекомбинация -- фосфид индия -- фторид стронция Аннотация: Показано, что в качестве эффективных защитных покрытий пленок фосфида индия можно использовать SrF[2], который способствует снижению скорости поверхностной рекомбинации из-за близости параметров решеток. В результате этого повышается внешний квантовый выход излучательной рекомбинации. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-141.html.ru Доп.точки доступа: Созаев, В. А.; Яблочкина, Г. И. |
621.315.592 Б 480 Берашевич, Ю. А. Каналы излучательной рекомбинации в Si/Si[1-x]Ge[x]-наноструктурах [Текст] / Ю. А. Берашевич, А. С. Панфиленок, В. Е. Борисенко // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 68-74
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- излучательная рекомбинация -- распределение носителей заряда -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение Аннотация: С помощью решения 2D уравнения Шредингера установлены закономерности распределения носителей заряда в наноструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] и изменения эффективности излучательной рекомбинации при переходе от кластеров 2D пирамидальной формы к 3D кластерам куполообразной формы с ростом толщин нанослоев. Учтено влияние состава слоев на эффективность упругого напряжения в структуре и, как следствие, на изменение зон проводимости и валентной зоны Si[1-x]Ge[x]-наноструктур. При реализации предложенной кинетической модели, описывающей рекомбинационные процессы в кристаллических структурах, обнаружено насыщение интенсивности излучения с увеличением интенсивности накачки, что обусловлено увеличением вклада оже-рекомбинации. Снижение вклада безызлучательной оже-рекомбинации достигается снижением темпа инжекции носителей заряда в кластеры, а именно увеличением концентрации кластеров и увеличением скорости излучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Панфиленок, А. С.; Борисенко, В. Е. |
621.315.592 Д 183 Данилов, Л. В. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах [Текст] / Л. В. Данилов, авт. Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 566-572 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- процессы оже-рекомбинации -- излучательная рекомбинация -- квантовая яма Аннотация: Исследованы основные процессы и механизмы оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковой гетероструктуре с глубокими квантовыми ямами InAs[0. 84]Sb[0. 16]/AlSb. Показано, что в достаточно узких квантовых ямах преобладает беспороговый процесс оже-рекомбинации с участием двух тяжелых дырок; а в широких квантовых ямах доминирует резонансный процесс с участием двух электронов. Определена область значений ширины квантовой ямы, при которых происходит максимальное подавление оже-рекомбинации в данной структуре (область подавления). При этом основным процессом безызлучательной рекомбинации остается пороговый процесс с участием двух электронов, вероятность которого на несколько порядков меньше, чем для беспорогового и резонансного механизмов. В свою очередь беспороговый механизм с участием двух электронов в исследуемой гетероструктуре полностью исключен из-за большого разрыва зоны проводимости (значительно больше ширины запрещенной зоны). Также произведена оценка интервала длин волн излучения, соответствующего области подавления. Показано, что рассчитанный интервал принадлежит среднему ИК-диапазону. Доп.точки доступа: Зегря, Г. Г. |
Природа белой фотолюминесценции в слоях SiO[2] : C [Текст] / А. В. Васин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 45-54 : ил. - Библиогр.: с. 53-54 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): оксид кремния -- слои -- фотолюминесценция -- белая фотолюминесценция -- углерод -- SiO[2] : C -- карбонизация -- термическая карбонизация -- термическое окисление -- окисление -- пористый кремний -- свойства слоев -- излучение -- возбуждение -- релаксация (физика) -- излучательная рекомбинация Аннотация: Слои оксида кремния, инкорпорированного углеродом (SiO[2] : C), были синтезированы методом последовательной термической карбонизации/окисления пористого кремния. Полученные слои SiO[2] : C проявляли яркую белую фотолюминесценцию. Исследованы свойства излучения, возбуждения и релаксации белой фотолюминесценции слоев SiO[2] : C. Установлено, что широкая полоса фотолюминесценции в действительности состоит как минимум из двух полос с максимумами интенсивности в зеленой и голубой области. На основании полученных данных предложена и обоснована модель возбуждения и излучательной рекомбинации в слоях SiO[2] : C. Доп.точки доступа: Васин, А. В.; Кушниренко, В. И.; Лысенко, В. С.; Назаров, А. Н.; Ishikawa, Y.; Salonen, J. |
Россохатый, А. В. Зависимость кинетики рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от параллельного магнитного поля [Текст] / А. В. Россохатый, И. В. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 10. - С. 603-606
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- разделенные электрон-дырочные слои -- кинетика рекомбинации -- интенсивность люминесценции -- перекрытие волновых функций -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Исследована зависимость времени излучательной рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от магнитного поля, параллельного плоскости широкой квантовой ямы. Обнаружено, что интенсивность люминесценции уменьшается с увеличением параллельного магнитного поля. Установлено, что эта зависимость не согласуется с теоретическими предсказаниями, связывающими падение интенсивности с уменьшением заселенности энергетических уровней, разрешенных для излучательной рекомбинации. Показано, что падение интенсивности связано с экспоненциальным ростом времени излучательной рекомбинации от магнитного поля (вследствие уменьшения перекрытия волновых функций электрона и дырки) и проявлением процессов безызлучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Кукушкин, И. В. |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |
Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах [Текст] / И. Б. Ермолович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1016-1020 : ил. - Библиогр.: с. 1019-1020 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- пленки CdTe -- CdTe пленки -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- термостимулированная проводимость -- рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- излучательная рекомбинация -- спектры проводимости -- температурный режим роста -- отжиг -- слои -- высокоомные слои -- фототоки -- d-электроны катиона Аннотация: Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4. 2-400 K, освещенностей 10{10}-10{23} квант/см{2} и длин волн 0. 4-2. 5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки T[s]~450-550oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnu[m]=1. 42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnu[m]=1. 09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe. Доп.точки доступа: Ермолович, И. Б.; Миленин, В. В.; Редько, Р. А.; Редько, С. М. |
Видимая фотолюминесценция селективно травленных пористых nc-Si-SiO[x]-структур [Текст] / И. З. Индунтный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 218-222 : ил. - Библиогр.: с. 221-222 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- селективное травление -- пористые оксидные слои -- спектры излучения -- nc-Si-SiO[x] структуры -- излучательная рекомбинация -- нанокластеры кремния -- кремниевые наночастицы -- температура -- матрицы Аннотация: Представлены результаты первых исследований влияния селективного травления на фотолюминесценцию пористых nc-Si-SiO[x] структур, которые содержат нанокластеры кремния (nc-Si) в матрице SiO[x]. В исходных образцах при комнатной температуре наблюдаются интенсивные полосы фотолюминесценции с максимумами при 840 и 660 нм, обусловленные излучательной рекомбинацией свободных (либо связанных в экситоны) носителей, которые возбуждаются в nc-Si. В результате селективного травления nc-Si-SiO[x]-структур в 1% растворе HF эти полосы значительно сдвигаются в более высокоэнергетическую область спектра. Предполагается, что эволюция спектров вызвана уменьшением размеров кремниевых наночастиц вследствие травления оксида и доокисления nc-Si. Полученные результаты показывают, что с помощью селективного травления оксидной матрицы можно управлять спектрами излучения пористых nc-Si-SiO[x]-структур. Доп.точки доступа: Индунтный, И. З.; Михайловская, Е. В.; Шепелявый, П. Е.; Данько, В. А. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Temperature dependence of radiative recombination in CdSe quantum dots with enhanced confinement [Text] / S. V. Zaitsev [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 1. - С. 59-64
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): конденсированные среды -- квантовые точки -- CdSe -- излучательная рекомбинация Доп.точки доступа: Zaitsev, S. V.; Kummell, T.; Bacher, G.; Hommel, D. |
Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 x 0. 1) от условий выращивания [Текст] / Д. А. Пашкеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 891-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- твердые растворы -- Pb[1-x]Eu[x]Te -- эпитаксиальные слои -- выращивание слоев -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- температура роста -- неоднородности -- запрещенные зоны Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм), которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) от состава при 77. 4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E[g][эВ]=0. 213+4. 8x-18. 4x{2}. Доп.точки доступа: Пашкеев, Д. А.; Селиванов, Ю. Г.; Felder, F.; Засавицкий, И. И. |
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1098-1103 : ил. - Библиогр.: с. 1103 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InSb/InAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кваново-размерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- монослои -- МС -- сверхрешетки -- СР -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- акцепторные примесные центры -- комнатная температура -- светоизлучающие приборы Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Мухин, М. С.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом p-i-n-диоде [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1407-1410 : ил. - Библиогр.: с. 1409 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-i-n диоды -- арсенид-галлиевые диоды -- диоды -- носители заряда -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- длина волны -- арсенид галлия -- экспериментальные исследования Аннотация: Установлено, что в p-i-n-диодах на арсениде галлия при высоких плотностях прямого тока существенную роль играет излучательная рекомбинация носителей заряда. Экспериментально показано, что диоды, работающие в СВЧ интегральных схемах, интенсивно излучают свет в инфракрасном диапазоне с длинами волн от 890 до 910 нм. Полученные результаты указывают на необходимость учета особенностей процессов рекомбинации в арсенид-галлиевых СВЧ p-i-n-диодах. Доп.точки доступа: Айзенштат, Г. И.; Ющенко, А. Ю.; Гущин, С. М.; Дмитриев, Д. В.; Журавлев, К. С.; Торопов, А. И. |
Беляков, В. А. Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1466-1469 : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации. Доп.точки доступа: Конаков, А. А.; Бурдов, В. А. |
621.383 Э 454 Электрические и электролюминесцентные свойства светодиодов lambda =3. 85-3. 95 mu m на основе InAsSb в интервале температур 20-200{o}C [Текст] / А. А. Петухов [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 1. - С. 73-76. - Библиогр.: c. 76 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- инфракрасные светодиоды -- гетероструктуры -- электролюминесценция -- оже-рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- термическая эмиссия -- диффузионные токи Аннотация: Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств светодиодов на основе гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP (lambda~ 3. 8-4 mum) от температуры (20-200{o}C). Показано, что уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено, главным образом, ростом скорости оже-рекомбинации. Изменение положения максимума спектра излучения с температурой носит немонотонный характер, поскольку наблюдается излучательная рекомбинация как в активной области, так и в широкозонном слое. При комнатной температуре протекание тока через гетероструктуру определяется туннельным механизмом независимо от полярности приложенного напряжения. С увеличением температуры при прямом смещении проявляется термическая эмиссия носителей заряда, а при обратном - растет роль диффузионного тока. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/01/p73-76.pdf Доп.точки доступа: Петухов, А. А.; Кижаев, С. С.; Молчанов, С. С.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
537.311.33 Э 455 Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах [Текст] / А. А. Петухов [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 4. - С. 91-96. - Библиогр.: c. 95-96 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- ИК-светодиоды -- гетероструктуры -- электролюминесценция -- светодиоды среднего ИК-диапазона -- Оже-рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация через акцепторные уровни Аннотация: Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик светодиода на основе гетероструктуры InGaAsSb/GaAlAsSb, излучающей в области 1. 85 mum, при температуре 20-200{o}C. Из результатов исследования следует, что с увеличением температуры мощность излучения экспоненциально уменьшается по закону P=~0. 4exp (2. 05*10{3} T). Показано, что, уменьшение мощности излучения обусловлено главным образом ростом скорости Оже-рекомбинации. Установлено, что помимо излучательной рекомбинации зона-зона происходит рекомбинация через акцепторные уровни, приводящая к уширению спектра излучения. С ростом температуры энергия активации акцепторных уровней уменьшается по закону Delta E=~32. 9-0. 075 T, а также происходит смещение максимума спектра излучения светодиода в длинноволновую область (hnu[max]=0. 693-4. 497*10{-4} T). При анализе экспериментальных результатов исходя из зависимости E[g]=hnu[max]- (1) / (2) kT получено выражение для изменения ширины запрещенной зоны активной области состава Ga[0. 945]In[0. 055]AsSb с температурой E[g]=~0. 817-4. 951*10{-4} T при 290 K<495 K. Показано, что сопротивление гетероструктуры с ростом температуры экспоненциально уменьшается по закону R[0]=~5. 52*10{-2}exp (0. 672/2kT). В то же время напряжение отсечки Ucut, характеризующее высоту потенциального барьера p-n-перехода, с увеличением температуры уменьшается линейно (U[cut]=-1. 59 T+534). Установлено, что протекание тока через структуру обусловлено генерационно-рекомбинационным механизмом во всем исследованном интервале температур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/04/p91-96.pdf Доп.точки доступа: Петухов, А. А.; Журтанов, Б. Е.; Молчанов, С. С.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
535.37 З-179 Зайцев, С. В. Излучательная рекомбинация в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей [Текст] / С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 4. - С. 738-751. - Библиогр.: с. 751 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): высокая плотность -- плотность -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- носители -- свободные носители -- гетероструктуры второго типа Аннотация: Изучение излучательной рекомбинации в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей. |
539.21:535 М 545 Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками [Текст] / Н. А. Байдакова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 7-15 : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): методы спектроскопии -- модификация метода -- фотолюминесценция -- возбуждение фотолюминесценции -- свет -- поглощение света -- процессы поглощения -- носители заряда -- рекомбинация носителей -- излучательная рекомбинация -- наноостровки -- исследуемые структуры -- возбуждающее излучение -- кванты -- энергии кванта -- спектры фотолюминесценции -- смачивающие слои -- паразитные сигналы -- комбинационное рассеяние -- кремниевые подложки Аннотация: Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge (Si) /Si (001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p7-15.pdf Доп.точки доступа: Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Яблонский, А. Н. |
621.315.592 П 121 Павлов, Н. В. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках [Текст] / Н. В. Павлов, авт. Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- горячие носители заряда -- носители заряда -- узкозонные полупроводники -- функции распределения -- оже-рекомбинация -- модель Кейна -- Кейна модель -- СНСС-процесс -- антимонид индия Аннотация: Исследован механизм излучательной рекомбинации горячих носителей заряда в узкозонных полупроводниках на примере антимонида индия. Показано, что при высоких уровнях возбуждения СНСС-процесс оже-рекомбинации может привести к существенному разогреву носителей заряда. Найдены функция распределения горячих носителей и их концентрация. В рамках модели Кейна выполнен расчет скорости излучательной рекомбинации горячих носителей заряда, а также коэффициента усиления излучения. Показано, что при больших концентрациях носителей излучательная рекомбинация горячих электронов будет вносить существенный вклад в общую скорость излучательной рекомбинации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p32-37.pdf Доп.точки доступа: Зегря, Г. Г. |
621.315.592 Н 613 Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах [Текст] / А. Л. Закгейм [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 219-223 : ил. - Библиогр.: с. 223 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- синие светодиоды -- спектральная плотность шума -- шум -- низкочастотный шум -- InGaAs/GaN -- кванторазмерные структуры -- генерация дефектов -- протяженные дефекты -- дефекты -- внешняя квантовая эффективность -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация Аннотация: Приведены результаты исследования спектральной плотности шума и ее зависимости от плотности тока в исходных и деградировавших синих светодиодах на основе InGaN/GaN квантоворазмерных структур. Показано, что генерация дефектов в процессе деградации происходит неоднородно и концентрируется вдоль протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов. Выяснено, что снижение значений внешней квантовой эффективности в процессе старения вызвано усилением неоднородности протекания тока, приводящим к формированию шунтов и областей локального перегрева. Эти эффекты - причины, типичного для синих светодиодов, неоднозначно развития деградационного процесса, затрудняющего прогнозирование срока службы светодиодов. В узком диапазоне плотностей тока 10{-2}-10{-1} А/см{2}, соответствующему развитию излучательной рекомбинации, обнаружен эффект подавления шума. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p219-223.pdf Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Левинштейн, М. Е.; Петров, В. П.; Черняков, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М. |