Прудаев, И. А. Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41. - Библиогр.: c. 41 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Физика полупроводников и диэлектриков Физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- диффузия железа -- коэффициент диффузии -- температурная зависимость Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. |
Прудаев, И. А. Влияние толщины базы лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 48-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Обработка материалов Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): S-диод -- арсенид галлия -- вольт-амперная характеристика -- лавинный пробой Аннотация: Исследовано влияние толщины базы диффузионного лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и напряжение переключения. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. |
Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии [Текст] / С. С. Хлудков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1009-1011 : ил. - Библиогр.: с. 1011 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- твердые растворы -- GaAs -- арсенид галлия -- легирование железом -- высокотемпературная диффузия -- отжиг -- комнатная температура -- распад твердых растворов -- ферромагнитные свойства -- сканирующая зондовая микроскопия Аннотация: С помощью атомно-силового микроскопа проведено исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора арсенида галлия, легированного железом (GaAs : Fe). Образцы GaAs : Fe получали в процессе высокотемпературной диффузии Fe в GaAs и последующего отжига при температуре на 200{o}C ниже температуры легирования. Измерения проведены на поперечных сколах по плоскости спайности пластин GaAs : Fe. Показано, что в процессе отжига GaAs : Fe происходит распад пересыщенного твердого раствора с образованием частиц второй фазы размером от ~50 нм до ~1 мкм. Частицы второй фазы обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С.; Прудаев, И. А.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Ивонин, И. В. |
539.2 П 850 Прудаев, И. А. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А{3}В{5} при прямом смещении [Текст] / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- контактное сопротивление -- нитрид галлия -- светодиоды Аннотация: Представлены результаты исследования прямых вольт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN в статическом и импульсном режимах для плотностей тока до 1000 Л/см{2}. Показано, что прямые вольт-амперные характеристики описываются линейной зависимостью при комнатной температуре, начиная с 5-6 В. Последовательное сопротивление не превышает 1 Ом для площади диодов S ~ 1 мм{2} и определяется удельным контактным сопротивлением. Также показано, что между участками рекомбинационного и омического токов на прямой вольт-амперной характеристике имеет место температурно-зависимый участок. Доп.точки доступа: Ивонин, И. В.; Толбанов, О. П. |
546 Р 243 Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 133-135 : 2 рис. - Библиогр.: с. 135 (10 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): твердые рстворы -- метод магнитно-силовой микроскопии -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- железо Аннотация: Методами магнитно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследован распад твердого раствора железа в арсениде галлия при температуре 900°С. Установлено, что в процессе 3-часового отжига в GaAs, легированном Fe, происходит формирование ферромагнитных включений дисковой формы диаметром 50–500 нм и толщиной 1. 5–50 нм. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Хлудков, С. С.; Гутаковский, А. К.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Ивонин, И. В. |
631.3 Ф 815 Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr / Д. Л. Будницкий [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 19-22 : рис. - Библиогр.: c. 22 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Сельское хозяйство Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом Кл.слова (ненормированные): барьерные контакты металлов -- высокоомный GaAs -- контакты металлов -- фотовольтаический эффект Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ. Доп.точки доступа: Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М. |
621.38 Х 600 Хлудков, С. С. Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (39 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): легирование магнитными примесями -- нитрид галлия -- примеси переходных металлов -- редкоземельные элементы -- ферромагнитные свойства Аннотация: Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного магнитными примесями: переходными металлами (Mn, Cr, Fe, Ni, V) и редкоземельными элементами (Gd, Eu, Sm), а также нитрида галлия, содержащего большую концентрацию вакансий галлия и квантовые точки. Рассмотрены свойства GaN, легированного в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные переходными металлами и редкоземельными элементами, а также нелегированный GaN, часто сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. |
621.315.592 В 586 Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN / И. А. Прудаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1391-1395 : ил. - Библиогр.: с. 1395 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- квантовый выход -- множественные квантовые ямы -- МКЯ -- InGaN/GaN -- локализованные состояния -- акцепторы -- инжекция -- дырки -- электроны -- квантовые ямы -- низкие температуры -- плотность тока -- ток -- светодиоды Аннотация: Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN. Experimental current-voltage characteristics and external quantum efficiency dependences on current density in the wide temperature range, T = 10-400K, for InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. It is shown that at the low temperatures, T < 100K, hole injection in the quantum wells occurs from the localized states of acceptors. The electron injection in p-GaN occurs due to quasi-ballistic transport in multiple quantum well region. Temperature increase leads to increase of the current which is caused by thermally activated injection of holes and electrons from allowed bands of GaN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1391-1395.pdf Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Голыгин, И. Ю.; Ширапов, С. Б.; Романов, И. С.; Хлудков, С. С.; Толбанов, О. П.; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет |
539.3/.6 Л 947 Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Доп.точки доступа: Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. |
621.38 Т 327 Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами ingan/gan при фото- и электролюминесценции / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: c. 32 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- квантовый выход -- люминесценция -- светодиодные гетероструктуры -- светодиоды -- температурная зависимость -- фотолюминесценция -- электролюминесценция Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внешнего квантового выхода светодиодных структур синего диапазона на основе InGaN/GaN от плотности тока (интенсивности оптического возбуждения) при различных температурах в режиме электролюминесценции (фотолюминесценции). Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Копьев, В. В.; Ширапов, С. Б.; Толбанов, О. П.; Хлудков, С. С. |
621.315.55/.58 В 586 Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами ingan/gan / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Фотоэлектрические приборы Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): внутренняя квантовая эффективность -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиодные структуры синего диапазона -- светодиоды -- соединения нитридов III-N -- физика соединений Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и сверхрешетками. Доп.точки доступа: Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. |
621.32 С 714 Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs / А. А. Мармалюк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 40-43 : рис. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электрическое освещение. Светотехника Кл.слова (ненормированные): алюминий-галлий-индий-фосфор -- квантовая яма -- красная область спектра -- красные светодиоды -- металлорганическая эпитаксия -- светодиодные структуры -- светодиоды AlGaInP -- спектры электролюминесценции "красных" светодиодов Аннотация: Представлены результаты исследований спектров электролюминесценции «красных» светодиодных структур AlGalnP/GaAs, выращенных с использованием технологии МОСГФЭ. Выявлена высокая однородность состава твердого раствора в квантовых ямах GaInP исследованных структур. Доп.точки доступа: Мармалюк, А. А.; Горлачук, П. В.; Рябоштан, Ю. Л.; Брудный, В. Н.; Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Леликов, М. А. |
621.382 Р 362 Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xG_1-x)_0,5In_0,5P/(Al_y, Ga_1-y)_0,5 In_0,5 P / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 44-47 : рис., табл. - Библиогр.: c. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): Саа-Нойса-Шокли ток -- вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- квантовый выход -- полупроводниковые источники света -- рекомбинационные токи -- светодиоды -- светодиоды желтого диапазона -- светодиоды красного диапазона -- ток Саа-Нойса-Шокли Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния температуры на прямую вольт-амперную характеристику светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xG_1-x) _0, 5In_0, 5P/ (Al_y, Ga_1-y) _0, 5 In_0, 5 P. Показано, что в интервале температур 210-390 К на вольт-амперной характеристике можно выделить несколько участков. Проведенный анализ позволил связать первый участок с рекомбинационным током Саа-Нойса-Шокли, второй с током излучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Скакунов, М. С.; Лелеков, М. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А. |
621.382 Х 600 Хлудков, С. С. Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 23-31 : рис. - Библиогр.: c. 30-31 (86 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): InN -- бинарные неорганические соединения -- дислокации -- нитрид индия -- полупроводники n-типа -- применение нитрида индия -- примеси -- точечные дефекты -- физические свойства -- физические свойства нитрида индия Аннотация: Представлен обзор литературы по физическим свойствам InN, состоянию примесей и дефектов в нем по данным, опубликованным в последнее время. Показано, что к настоящему времени достигнуты значительные успехи как в получении материала и приборных структур, так и в изучении его физических свойств. Установлено, что InN имеет ширину запрещенной зоны 0, 7 эВ. Легирование InN магнием дает возможность получить слои p-типа проводимости с заданными свойствами. Использование уникальных свойств InN позволяет рассматривать его как перспективный материал для ряда новых приборов. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. |
621.38 Э 454 Электрические свойства GaAs, легированного железом / С. С. Хлудков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 12. - С. 103-105. - Библиогр.: c. 105 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Криоэлектроника Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- примеси железа -- электрические свойства -- электрические характеристики арсенид галлия Аннотация: Исследованы электрические характеристики GaAs, легированного Fe в процессе диффузии. Показано, что примесь Fe создает в GaAs, легированном в процессе диффузии, акцепторный уровень на 0, 53 эВ выше вершины валентной зоны GaAs, как и в GaAs, легированном Fe при выращивании монокристаллов. При этом положение уровня Fe и электрические характеристики GaAs: Fe не зависят от режима отжига образцов при температуре ниже температуры легирования. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С.; Прудаев, И. А.; Новиков, В. А.; Будницкий, Д. Л.; Лопатецкая, К. С. |
539.2 В 586 Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 99-101 : рис. - Библиогр.: c. 101 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): влияние диффузии магния -- внутренняя квантовая эффективность -- диффузия магния -- квантовая эффективность -- магний -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- фотолюминесценция светодиодных структур Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN от температуры роста слоя p-GaN. Обсуждается влияние диффузии магния на фотолюминесцентные характеристики исследованных светодиодных структур. Доп.точки доступа: Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. |
621.32 В 603 Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 5. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: c. 88 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электрическое освещение. Светотехника Кл.слова (ненормированные): внешний квантовый выход -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- квантовый выход светодиодных структур -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- синие светодиодные структуры -- увеличение вывода излучения Аннотация: Представлены результаты исследования влияния профилированной сапфировой подложки на увеличение внешнего квантового выхода в "синих" светодиодных структурах на основе InGaN/GaN. Показано, что в структурах с высоким внутренним квантовым выходом (не менее 60 %) увеличение внешнего квантового выхода обеспечивается за счет роста коэффициента вывода излучения из кристалла. При этом эпитаксиальный рост GaN на сапфировой подложке с массивом элементов пирамидальной формы с основанием 900 нм и периодом 1200 нм позволяет увеличить коэффициент вывода излучения на 75 %. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Новиков, В. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. |
621.382 П 270 Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xGa_(1-х))_0.5In_0.5P/(Al_0.54Ga_0.46 )_0.5In_0.5P / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 48-51 : рис. - Библиогр.: c. 51 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- диффузионный перенос заряда -- квантовые ямы -- множественные квантовые ямы -- мощность излучения светодиодов -- перенос зарядов -- светодиоды Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xGa_ (1-х) ) _0. 5In_0. 5P/ (Al_0. 54Ga_0. 46 ) _0. 5In_0. 5P. Эксперимент показал, что увеличение числа квантовых ям и уменьшение содержания Al в твердом растворе (Al_xGa_ (1-х) приводят к росту прямого тока при фиксированном напряжении. Согласно проведенному анализу, интерпретация полученного результата возможна при использовании теории диффузионного переноса заряда в двойной гетероструктуре с узкозонным слоем, толщина которого многократно превышает толщину одной квантовой ямы. Предложенный подход учитывает перенос носителей в активной области с множественными квантовыми ямами за счет их туннелирования через барьеры. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Олейник, В. Л.; Романов, И. С.; Брудный, В. Н.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А. |
621.382 П 855 Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 9. - С. 86-89 : рис. - Библиогр.: c. 89 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- гетероструктура -- квантовые ямы -- перенос носителей заряда -- прыжковый механизм проводности -- прыжковый перенос электронов -- светодиоды -- снижение температуры Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов "синего" диапазона с активной областью из множественных квантовых ям InGaN/GaN. Предложена модель, объясняющая ограничение прямого тока при снижении температуры. Модель основана на представлении о токе, ограниченном пространственным зарядом и протекающем в условиях прыжкового переноса электронов в области множественных квантовых ям. Показано, что наиболее вероятным механизмом накопления заряда является захват электронов на мелкие ловушки. Согласно результатам различных измерений, энергия активации ловушек уменьшается при снижении температуры, что согласуется с представлениями о прыжковом механизме проводимости в материалах с экспоненциальным распределением плотности состояний дефектов в запрещенной зоне. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Зубрилкина, Ю. Л.; Бактыбаев, А. А.; Романов, И. С. |