Арутюнян, В. М. Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний [Текст] / В. М. Арутюнян, А. П. Ахоян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 70 (18 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация лазерная -- лазерно-стимулированная диффузия -- магний -- кремний -- вольт-амперная характеристика -- вольт-фарадная характеристика -- лазерное излучение -- термостимулированные токи Аннотация: Представлены экспериментальные результаты лазерно-стимулированной диффузии ("имплантации") атомов магния в кремний. Показано, что облучение неодимовым лазером (лямбда=1.06 мкм, тау=0.4 мс) приводит к увеличению растворимости и коэффициента диффузии магния в кремний. Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, а также спектры термостимулированных токов кристаллов Доп.точки доступа: Ахоян, А.П.; Адамян, З.Н.; Барсегян, Р.С. |
537.5 К 583 Кожевников, В. Ю. Расчет вольт-амперной характеристики объемного разряда высокого давления с внешней ионизацией газа [Текст] / В. Ю. Кожевников, авт. А. А. Козырев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 37-41. - Библиогр.: с. 41 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): внешний ионизатор -- вольт-амперная характеристика -- модель газового разряда -- объемный разряд -- тлеющий разряд Аннотация: В работе построена одномерная теоретическая модель газового разряда с внешним ионизатором. Предложенная модель дает возможность рассчитывать непрерывную вольт-амперную характеристику разряда с внешним ионизатором в произвольном диапазоне плотностей тока: от близких к нулевым значениям, когда разряд является несамостоятельным, до режима нормального и слабо аномального тлеющего разряда. Доп.точки доступа: Козырев, А. А. |
539.2 Ш 329 Шашкин, В. И. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта [Текст] / В. И. Шашкин, авт. А. В. Мурель // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 519-522. - Библиогр.: с. 522 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- контакт металл-полупроводник с барьром Мотта -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- неоднородность электрического поля -- барьер Мотта -- Мотта барьер -- контакты с барьером Мотта Аннотация: Получено аналитическое решение для вольт-амперных характеристик контакта металл-полупроводник с барьером Мотта при учете пространственного заряда носителей тока n{+} - i-перехода. Основным допущением при решении уравнения Пуассона является пренебрежение объемным легированием i-слоя. Для характерных случаев термоэмиссионного и диффузионного механизмов переноса носителей тока рассчитаны зависимости тока от напряжения. В отличие от классического результата Мотта учет пространственного заряда носителей тока ограничивает рост тока при прямом смещении и уменьшает нелинейность вольт-амперных характеристик. Доп.точки доступа: Мурель, А. В. |
Проводящие прозрачные оксидные пленки, полученные экстракционно-пиролитическим методом [Текст] / Т. Н. Патрушева [и др. ] // Химическая технология. - 2007. - N 5. - С. 197-200. - Библиогр.: с. 200 (4 назв. ) . - ISSN 1684-5811
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- оксидные пленки -- отжиг пленок -- пленки (химическая технология) -- проводящие прозрачные пленки -- прозрачные пленки -- экстракционно-пиролитический метод -- электропроводность Аннотация: Представлены результаты синтеза проводящих прозрачных пленок с использованием экстракционно-пиролитического метода. Доп.точки доступа: Патрушева, Т. Н.; Виноградов, С. А.; Махновская, Н. В.; Романченко, А. Н.; Коловский, Ю. В.; Шелованова, Г. Н.; Холькин, А. И. |
Исследование электрохимического поведения композитов на основе мф-4ск и полианилина методом мембранной вольтамперометрии [Текст] / Н. П. Березина [ и др. ] // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 12. - С. 1417-1427 : 7 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. 1426-1427 (48 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- перфторированная ионообменная мембрана -- модифицирование -- полианилин -- транспортно-структурные параметры Аннотация: Выполнен теоретический анализ влияния транспортно-структурных параметров ионообменных мембран на их селективность и величину предельного тока. Доп.точки доступа: Березина, Н. П.; Кононенко, Н. А.; Лоза, Н. В.; Сычева, А. А.-Р. |
Прудаев, И. А. Влияние толщины базы лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 48-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Обработка материалов Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): S-диод -- арсенид галлия -- вольт-амперная характеристика -- лавинный пробой Аннотация: Исследовано влияние толщины базы диффузионного лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и напряжение переключения. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. |
Фадин, В. В. Влияние фазового состава композитов, содержащих сталь, на электросопротивление зоны трения с токосъемом [Текст] / В. В. Фадин, М. И. Алеутдинова // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 6. - С. 54-57. - Библиогр.: c. 57 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Техническая механика Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- закон Ома -- изнашивание модельных композитов -- Ома закон -- скользящий электроконтакт -- сталь Г 13 -- сталь ШК 15 -- токосъем -- электросопротивление зоны трения Аннотация: Исследована вольт-амперная характеристика зоны электроконтакта и интенсивность изнашивания спеченных композитов на основе стали ШХ15 и стали Г13 при скольжении по стали 45 с введением олова и свинца в зону трения. Установлено, что при образовании расплава наблюдается заметное уменьшение электросопротивления, которое вызывает нелинейность вольт-амперной характеристики контакта. Одновременно наблюдается увеличение прочности контактирующих слоев, что проявляется в увеличении износостойкости. На основе закона Ома показано, что нелинейность вызвана изменением площади фактического электроконтакта. Представлены результаты аналогичных экспериментов для композитов, не содержащих свинец и олово. Обнаружено, что при таком изменении фазового состава резко уменьшается электропроводность и прочность поверхностного слоя. Доп.точки доступа: Алеутдинова, М. И. |
Лебедев, Э. А. Неустойчивость тока с S-образной вольт-амперной характеристикой в тонких пленках композитов на основе полимеров и неорганических частиц [Текст] / Э. А. Лебедев, Е. л. Александрова, А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 195-197. - Библиогр.: с. 197 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неустойчивость тока -- вольт-амперная характеристика -- тонкие пленки -- композиты -- композиты на основе полимеров -- эффект переключения -- эффект памяти -- гистерезис Аннотация: В тонких пленках композитов на основе полимеров - производных карбазола и неорганических частиц кремния - наблюдались эффекты переключения и памяти, проявляющиеся в переходе из высокоомного в низкоомное состояние. Установлено, что при малых толщинах композитных пленок сопротивление (первоначальная величина которого составляла не менее 100 M омега) при переходе из высокоомного в низкоомное состояние изменяется на три-четыре порядка. Для исследованных композитов этот переход сопровождается появлением S-образной вольт-амперной характеристики и наличием гистерезиса. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями термомеханических и электрических свойств полимера в композите. Доп.точки доступа: Александров, Е. Л.; Алешин, А. Н. |
Никулин, С. П. Вольт-амперная характеристика дугового разряда с термокатодом при пониженных давлениях [Текст] / С. П. Никулин // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 10. - С. 97-102. - Библиогр.: c. 102 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): анодный слой -- вольт-амперная характеристика -- дуга с термокатодом -- дуговой разряд -- катодное падение потенциала -- разряд низкого давления Аннотация: Показано, что при пониженных давлениях рабочего газа в дуговом разряде с термокатодом возникает положительное анодное падение потенциала, что приводит к росту разрядного напряжения при увеличении тока до перехода в несвободный режим горения дуги. |
Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1050-1052 : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ. Доп.точки доступа: Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
Косяченко, Л. А. Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe-солнечного элемента [Текст] / Л. А. Косяченко, Е. В. Грушко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1422-1429 : ил. - Библиогр.: с. 1429 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): напряжение холостого хода -- холостой ход -- коэффициент полезного действия -- солнечные элементы -- CdS/CdTe -- носители заряда -- время жизни электронов -- удельное сопротивление -- гетероструктуры -- тонкопленочные гетероструктуры -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- неосновные носители заряда -- вольт-амперная характеристика Аннотация: Исследована зависимость напряжения холостого хода, фактора заполнения и коэффициента полезного действия тонкопленочного CdS/CdTe-солнечного элемента от удельного сопротивления rho и времени жизни носителей заряда tau в поглощающем CdTe-слое. В распространенном случае, когда концентрация некомпенсированных акцепторов и время жизни электронов в CdTe-слое находятся в пределах соответственно 10{15}-10{16} см{-3} и 10{-10}-10{-9} с, результаты расчета соответствуют достигнутой эффективности лучших тонкопленочных CdS/CdTe-солнечных элементов. Показано, что, уменьшая rho и увеличивая tau в поглощающем CdTe-слое, можно заметно повысить напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия, приблизив их значения к теоретическому пределу для такого типа устройств. Доп.точки доступа: Грушко, Е. В. |
532 Ч-671 Численное моделирование электрокинетической неустойчивости в полупроницаемых мембранах [Текст] / В. С. Шелистов [и др.] // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 440, № 5, октябрь. - С. 625-630. - Библиогр.: с. 630 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): полупроницаемые мембраны -- вольт-амперная характеристика -- электрические мембраны -- электрокинетическая неустойчивость Аннотация: Исследованы основные стадии пространственно-временной эволюции естественных начальных возмущений, взятых в виде малоамплитудного белого шума, при задании разности потенциалов между мембранами. Доп.точки доступа: Шелистов, В. С.; Никитин, Н. В.; Ганченко, Г. С.; Демехин, Е. А. |
530.1 К 431 Кириллов, В. И. О вольт-амперной характеристике оксидного процесса [Текст] / В. И. Кириллов, авт. И. Б. Киреенко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 6. - С. 1192-1199. - Библиогр.: с. 1199 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): процессы -- вольт-амперная характеристика -- оксидный процесс -- амперная характеристика Аннотация: Рассматривается вольт-амперная характеристика оксидного процесса. Доп.точки доступа: Киреенко, И. Б. |
621.385 И 889 Исследование сценария включения мощного импульсного гиротрона с релятивистским электронным пучком [Текст] / Н. И. Зайцев [и др.] // Известия вузов. Радиофизика. - 2010. - Т. 51, N 3. - С. 196-199 : Рис. 5. - Библиогр.: с. 199 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): гиротрон -- электронный пучок -- вольт-амперная характеристика Аннотация: Приведены результаты исследования сценария включения мощного импульсного гиротрона на рабочей моде ТЕ[53] при двух вариантах вольт-амперной характеристики трехэлектродной магнетронно-инжекторной электронной пушки. Доп.точки доступа: Зайцев, Н. И.; Запевалов, С. А.; Малыгин, А. В.; Моисеев, М. А.; Шевченко, А. С. |
539.2 П 850 Прудаев, И. А. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А{3}В{5} при прямом смещении [Текст] / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- контактное сопротивление -- нитрид галлия -- светодиоды Аннотация: Представлены результаты исследования прямых вольт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN в статическом и импульсном режимах для плотностей тока до 1000 Л/см{2}. Показано, что прямые вольт-амперные характеристики описываются линейной зависимостью при комнатной температуре, начиная с 5-6 В. Последовательное сопротивление не превышает 1 Ом для площади диодов S ~ 1 мм{2} и определяется удельным контактным сопротивлением. Также показано, что между участками рекомбинационного и омического токов на прямой вольт-амперной характеристике имеет место температурно-зависимый участок. Доп.точки доступа: Ивонин, И. В.; Толбанов, О. П. |
539.2 Б 435 Белоненко, М. Б. Отрицательная дифференциальная проводимость в биграфене, управляемая внешним напряжением в присутствии магнитного поля [Текст] / М. Б. Белоненко, Н. Г. Лебедев, Н. Н. Янюшкина // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1609-1613. - Библиогр.: с. 1612-1613 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): биграфены -- магнитные поля -- электрические поля -- отрицательная дифференциальная проводимость -- вольт-амперная характеристика Аннотация: Использован метод "среднего электрона" для расчета вольт - амперной характеристики бислоя графена в случае приложенных сильных электрических и магнитных полей. В рамках приближения времени релаксации показано, что в биграфене в присутствии постоянного магнитного поля, приложенного в направлении, перпендикулярном слоям биграфена, возможны состояния с отрицательной дифференциальной проводимостью. Кроме того, для достаточно широкого диапазона значений межслоевого напряжения в такой системе может осуществляться генерация терагерцевых импульсов. Доп.точки доступа: Лебедев, Н. Г.; Янюшкина, Н. Н. |
53.098 Б 532 Бесконтактный метод измерений параметров вольт-амперной характеристики в сверхпроводниках YBCOв перпендикулярном магнитном поле [Текст] / И. Ф. Волошин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1133-1135. - Библиогр.: c. 1135 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): бесконтактный метод измерения -- вольт-амперная характеристика -- жесткие сверхпроводники -- магнитное поле -- намагниченность -- релаксация -- сверхпроводники -- электрические поля Аннотация: Развит бесконтактный метод определения параметров вольт-амперной характеристики (ВАХ) жесткого сверхпроводника по измерениям релаксации намагниченности сверхпроводника в перпендикулярном поле. Доп.точки доступа: Волошин, И. Ф.; Калинов, А. В.; Фишер, Л. М.; Нестеров, М. Л.; Ямпольский, В. А.; Брандт, Е. Г. |
621.3 К 521 Клюев, А. В. Инерционное детектирование шума с использованием диода Шоттки с дельта-легированием [Текст] / А. В. Клюев // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2012. - № 3. - С. 13-16. - Библиогр.: с. 16 (8 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Кл.слова (ненормированные): Шоттки диод -- вольт-амперная характеристика -- дельта-легирование -- детектирование -- диод Шоттки -- инерционное детектирование шума -- кумулянтные функции -- стационарный шум Аннотация: Исследовано влияние инерционности системы детектирования с использованием диода Шоттки с дельта-легированием на простейшие статистические характеристики выходного процесса. |
621.382 Р 362 Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xG_1-x)_0,5In_0,5P/(Al_y, Ga_1-y)_0,5 In_0,5 P / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 44-47 : рис., табл. - Библиогр.: c. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): Саа-Нойса-Шокли ток -- вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- квантовый выход -- полупроводниковые источники света -- рекомбинационные токи -- светодиоды -- светодиоды желтого диапазона -- светодиоды красного диапазона -- ток Саа-Нойса-Шокли Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния температуры на прямую вольт-амперную характеристику светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xG_1-x) _0, 5In_0, 5P/ (Al_y, Ga_1-y) _0, 5 In_0, 5 P. Показано, что в интервале температур 210-390 К на вольт-амперной характеристике можно выделить несколько участков. Проведенный анализ позволил связать первый участок с рекомбинационным током Саа-Нойса-Шокли, второй с током излучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Скакунов, М. С.; Лелеков, М. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А. |
544.6 В 586 Влияние химической природы ионогенных групп ионообменных мембран на размеры области электроконвективной нестабильности при высокоинтенсивных токовых режимах / В. И. Васильева [и др.] // Электрохимия. - 2014. - Т. 50, № 2. - С. 134-143 . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): лазерная интерферометрия -- диссоциация воды -- вольт-амперная характеристика -- электроконвективная нестабильность -- ионогенная группа -- ионообменная мембрана Аннотация: Методом лазерной интерферометрии измерена протяженность области электроконвективной нестабильности на границе мембрана/раствор при токах, превышающих предельную диффузионную величину, и исследовано влияние химической природы ионогенных групп ионообменных мембран на ее развитие. Установлено уменьшение толщины области электроконвекции с увеличением каталитической активности ионогенных групп коммерческих и опытных образцов мембран по отношению к гетеролитической реакции диссоциации воды. Максимальный размер области электроконвективной нестабильности и минимальные токи регистрации ее возникновения среди исследованных анионообменных мембран установлены для сильноосновной модифицированной анионообменной мембраны МА-41М с практически полностью подавленной функцией диссоциации воды. Обнаружена корреляция между размерами области конвективной нестабильности и характерными точками вольт-амперных кривых. Доп.точки доступа: Васильева, В. И.; Жильцова, А. В.; Малыхин, М. Д.; Заболоцкий, В. И.; Лебедев, К. А.; Чермит, Р. Х.; Шарафан, М. В. |