621.3 Д 206 Дарчук, Л. А. Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe [Текст] / Л. А. Дарчук, С. Д. Дарчук, Ф. Ф. Сизов, А. Г. Голенков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 144-148 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): теллурид свинца -- нановключения свинца -- свинец -- полупроводниковая матрица PbTe -- сверхпроводящие состояния Аннотация: Исследованы фазовые состояния нановключений свинца в стехиометрическом теллуриде свинца в магнитных полях от 0 до 1 кЭ в области температур ниже температуры перехода свинца в сверхпроводящее состояние (T = 1. 7 - 6. 5 K). Показано, что включения свинца ведут себя как сверхпроводники первого рода. Размеры включений свинца, которые находятся в сверхпроводящем состоянии при 1. 7 K, составляют не менее 200 нм. Полученная экспериментально температурная зависимость диамагнитной добавки может быть объяснена в рамках модели, учитывающей существование "промежуточного" сверхпроводящего состояния, обусловленного геометрической формой включений свинца. Доп.точки доступа: Дарчук, С. Д.; Сизов, Ф. Ф.; Голенков, А. Г. |
Моделирование структуры, электронного строения и свойств примесных дефектов с участием германия в теллуриде свинца [Текст] / А. С. Зюбин [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 1. - С. 88-96 : табл. - Библиогр.: с. 39 (96 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- легирование -- примеси -- твердые растворы -- кластеры -- моделирование -- электронное строение -- примесные дефекты -- германий -- точечные дефекты -- кристаллические тела -- теллурид свинца Аннотация: Выполнено кластерное моделирование объема и поверхности кристаллического свинца и проанализированы различные варианты внедрения атома Ge в объем кристалла PbTe и на его поверхность. Рассмотрены кластеры различных размеров. Доп.точки доступа: Зюбин, А. С.; Дедюлин, С. Н.; Штанов, В. И.; Яшина, Л. В. |
Теоретическое моделирование адсорбции кислорода на поверхности PbTe (001) [Текст] / Т. С. Зюбина [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 5. - С. 817-825 : рис. - Библиогр.: с. 825 (16 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- кислород -- окисление -- свинец -- теллурид свинца -- хемосорбция -- химические сдвиги Аннотация: Для полупроводникового соединения PbTe теоретически исследованы начальные стадии окисления, важные для технологии ИК- и термоэлектрических устройств. Доп.точки доступа: Зюбина, Т. С.; Зюбин, А. С.; Яшина, Л. В.; Штанов, В. И. |
Шаров, М. К. Концентрация свободных электронов и удельная электропроводность теллурида свинца, легированного хлором [Текст] / М. К. Шаров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 12. - С. 37-39
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): плазменный резонанс -- инфракрасные спектры отражения -- твердые растворы -- удельная электропроводность -- теллурид свинца -- легированное хлором Аннотация: На основе исследования плазменного резонанса в ИК-спектрах отражения определена концентрация и время релаксации свободных носителей заряда, а также удельная электропроводность в твердых растворах PbTe[1-x]Cl[x]. Обнаружено, что с увеличением концентрации хлора возрастает концентрация электронов и удельная электропроводность, достигая насыщения при x=0. 03 (n = 5. 5х10\{19\} см\{-3\}, сигма = 3750 Ом\{-1\}см\{-1\}). Время релаксации падает по мере возрастания содержания хлора, достигая минимального значения 2. 2х10\{-14\} с при x=0. 03, и далее практически не меняется. |
Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe (Na+Te) [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1195-1198 : ил. - Библиогр.: с. 1198 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): межзонное рассеяние -- МР -- резонансное рассеяние -- спектры -- электронные спектры -- теллурид свинца -- PbTe -- дырки квазилокальных состояний -- квазилокальные состояния -- электропроводность -- термоэдс -- число Лоренца -- Лоренца число -- валентные зоны -- акцепторные примеси -- Na+Te -- температура -- эксперименталные данные -- рассеяние носителей тока Аннотация: В рамках двузонной модели с учетом межзонного рассеяния проведены расчеты концентрационных зависимостей кинетических коэффициентов в PbTe{Na + Te) в диапазоне 100-300 К. Результаты сопоставления расчетных и экспериментальных данных для температур ~ 100 К имеют противоречивый характер. Преодолеть эти трудности позволяет предположение о существовании в энергетическом спектре дырок квазилокальных состояний, связанных с введением Na + Те. Резонансное рассеяние носителей тока в эти состояния вносит как количественные (электропроводность), так и качественные (термоэдс, число Лоренца) изменения в температурное и концентрационное поведение транспортных свойств. На основании анализа результатов делается вывод, что роль резонансного рассеяния при низких температурах является основной. Предложен механизм образования квазилокальных состояний в валентной зоне материалов данной группы. Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
Легирование полупроводников A{IV}B{VI} и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 742-748 : ил. - Библиогр.: с. 747 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): легирование полупроводников -- полупроводники А{IV}В{VI} -- энергетические спектры дырок -- дырки -- акцепторное легирование -- твердые растворы -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- термоэдс -- электропроводность -- резонансные состояния -- PbTe -- теллурид свинца -- кинетические явления Аннотация: В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1. 0 и 1. 5 ат% каждого компонента; достигнутные при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
Зимин, С. П. Особенности травления в плазме спиралевидных структур PbTe на подложках BaF[2] (111) [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, С. В. Кутровская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1808-1811. - Библиогр.: с. 1811 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- пленки -- поверхности пленок -- теллурид свинца -- механизмы спирального роста -- эпитаксильные пленки -- спиралевидные структуры на пленках -- плазменные обработки -- микрорельефы поверхностей пленок Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пленок теллурида свинца с образованиями спиралевидной формы на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после обработки в аргоновой плазме. Показано, что присутствие крупных спиралевидных ступенчатых структур в области выходов пронизывающих дислокаций приводит к специфическим явлениям при распылении. Определены основные особенности модификации рельефа поверхности и взаимосвязь формирующихся одиночных и сгруппированных микровыступов с исходным рельефом и дислокациями. Доп.точки доступа: Горлачев, Е. С.; Кутровская, С. В. |
Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1591-1595 : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции. Доп.точки доступа: Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
546 П 535 Получение материалов на основе PbTe методом термического разложения ацетата свинца [Текст] / В. Г. Леонтьев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 6. - С. 654-660 : 7 рис. - Библиогр.: с. 660 (9 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): метод термического разложения -- ацетат свинца -- метод дифференциального термического анализа -- метод термогравиметрического анализа -- высокодисперсные частицы -- теллурид свинца -- полидисперсные частицы Аннотация: Изучена возможность создания микроструктурированного теллурида свинца с высокой плотностью границ зерен методом термического разложения ацетата свинца в присутствии теллура в восстановительной атмосфере с последующим холодным компактированием порошка и горячим прессованием брикетов. С помощью методов дифференциального термического и термогравиметрического анализов исследован процесс формирования высокодисперсных частиц теллурида свинца. Методами электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, анализа удельной поверхности частиц исследованы морфология и размеры частиц порошка, а также структура и состав зерен горячепрессованных образцов в зависимости от условий получения и состава исходной смеси. Доп.точки доступа: Леонтьев, В. Г.; Иванова, Л. Д.; Бенте, К.; Гременок, В. Ф. |
621.315.592 Ш 264 Шаров, М. К. Электрофизические свойства твердых растворов серебра в PbTe [Текст] / М. К. Шаров // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 613-615 : ил. - Библиогр.: с. 615 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- твердые растворы -- серебро -- теллурид свинца -- PbTe -- теплодвижующая сила -- удельная электропроводность -- нелегированные кристаллы -- кристаллы -- дырки -- атомы серебра -- концентрация дырок -- экспериментальные результаты Аннотация: Измерены коэффициент термоэлектродвижущей силы alpha[0] и удельная электропроводность sigma твердых растворов Pb[1-x]Ag[x]Te, где x= (0-0. 007) при T=300 K. Рассчитана концентрация дырок p. Все образцы имели дырочный тип проводимости. При увеличении содержания серебра alpha[0] падает, а p и sigma растут. Для нелегированных кристаллов alpha[0]=251. 0 мкВ/K, p=1. 1 x 10{18} см{-3}, sigma=165 Ом{-1} x см{-1}. На границе растворимости серебра при x=0. 007, alpha[0]=193. 8 мкВ/K, p=2. 3 x 10{18} см{-3}, sigma=216 Ом{-1} x см{-1}. Концентрация дырок во всех образцах намного меньше концентрации введенных атомов серебра. Дырочный газ в твердых растворах Pb[1-x]Ag[x]Te является слабо вырожденным во всей области концентраций серебра. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p613-615.pdf |
621.315.592 Э 454 Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком теллура [Текст] / Г. З. Багиева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1446-1449 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- теллурид свинца -- PbTe -- избыточные атомы -- термическая обработка -- термообработка -- электропроводность -- коэффициент термоэдс -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- температурные зависимости -- низкие температуры -- отжиг -- свинец -- теллур Аннотация: Исследованы влияния избыточных атомов Te (до 0. 1 ат%) и термической обработки при 473 и 573 K в течение 120 ч на электропроводность sigma, коэффициенты термоэдс alpha и Холла R монокристаллов PbTe. Показано, что избыточные атомы Te и отжиг существенно влияют на значения и характер температурных зависимостей этих параметров, а также на знак alpha и R при низких температурах, что обусловлено акцепторным действием избыточных атомов теллура и образованием антиструктурных дефектов в результате размещения атомов Te при отжиге в вакансиях подрешетки свинца. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1446-1449.pdf Доп.точки доступа: Багиева, Г. З.; Мустафаев, Н. Б.; Абдинов, Г. Дж.; Абдинов, Д. Ш. |
539.2 Н 506 Немов, С. А. Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия [Текст] / С. А. Немов, Ю. И. Равич, В. И. Корчагин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 740-742 : ил. - Библиогр.: с. 742 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесные резонансные состояния -- теллурид свинца -- рассеяние дырок -- энергия резонансных состояний -- примеси таллия -- PbTe -- легирование теллурида -- фактор Холла -- Холла фактор Аннотация: Производится расчет фактора Холла с учетом резонансного рассеяния дырок на примеси таллия в PbTe. Вычисленный фактор Холла существенно отличается от единицы при низких температурах (T~77 K) и относительно малых содержаниях Tl (NTl~0. 5 ат%). Уточняется энергия резонансных уровней с использованием скорректированного фактора Холла. Оказывается, что энергия примесных резонансных состояний не зависит от концентрации таллия вплоть до 2 ат% Tl, в отличие от ранее полученных результатов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p740-742.pdf Доп.точки доступа: Равич, Ю. И.; Корчагин, В. И. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных дефектов на теплопроводность поли- и монокристаллического PbTe / Г. З. Багиева [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 8. - С. 901-904 : 2 рис. - Библиогр.: с. 903-904 (11 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- дефекты -- тепловое сопротивление -- отжиг -- поликристаллические образцы -- монокристаллические образцы -- PbTe -- теллурид свинца -- термоэлектрические материалы Аннотация: Исследована теплопроводность поли- и монокристаллических неотожженных и отожженных при 800 K в течение 120 ч образцов PbTe в интервале температур 80–303 K. Рассчитаны электронная и решеточная составляющие теплопроводности. Доп.точки доступа: Багиева, Г. З.; Муртузов, Г. М.; Абдинова, Г. Д.; Аллахвердиев, Э. А.; Абдинов, Д. Ш. |
538.9 Р 982 Рябова, Л. И. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb[1-x]Sn[x]Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения / Л. И. Рябова, авт. Д. Р. Хохлов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 12. - С. 825-831
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): узкощелевые полупроводники -- локальные электронные состояния -- твердые растворы -- теллурид свинца -- лазерное терагерцовое излучение Аннотация: Локальные электронные состояния в легированных индием твердых растворах на основе теллурида свинца характеризуются рядом особенностей, выделяющих их из многообразия примесных состояний в полупроводниках. В наиболее явном виде эти особенности проявляются в терагерцовой фотопроводимости. В настоящем обзоре рассматриваются результаты соответствующих экспериментальных исследований, проводимых в рамках проектов РФФИ в течение последних лет. Доп.точки доступа: Хохлов, Д. Р.; МГУ им. ЛомоносоваМГУ им. Ломоносова |
535 Ф 815 Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне / А. И. Артамкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 293-297 : ил. - Библиогр.: с. 296-297 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- теллурид свинца -- PbTe -- фоточувствительность -- длина волны -- диапазоны -- терагерцовые спектральные диапазоны -- спектральные диапазоны -- фотопроводимость -- легирование ванадием -- ванадий -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- кристаллы -- фотоотклик -- лазерные импульсы Аннотация: Показано, что монокристаллы PbTe (V) обладают фоточувствительностью в терагерцовом спектральном диапазоне вплоть до длины волны 280 мкм. Измерения проводились в области температур 8-300 K. В указанном температурном интервале проводимость кристаллов в темновом состоянии активационным образом зависит от температуры и изменяется на 4 порядка величины, что обусловлено эффектом стабилизации уровня Ферми на 20 мэВ ниже дна зоны проводимости. С повышением температуры и соответственно с ростом проводимости образцов амплитуда фотоотклика существенно возрастает. Полученный результат интерпретируется в рамках модели, учитывающей значительное уширение примесного уровня ванадия и его смещение к дну зоны проводимости с ростом температуры. PbTe (V) single crystals are found to be photosensitive in terahertz spectral range up to the wavelength of 280 Mum. The measurements were performed at temperatures 8-300K. Due to the Fermi level pinning at 20meV below the conduction band edge, the "dark" conductivity of PbTe (V) samples changes by4 orders of magnitude in the indicated temperature range. The photoresponse is enhanced significantly as the temperature rises and, consequently, the conductivity increases. The impurity level broadening and its shift towards the conduction band edge with increasing temperature are taken into account to interpret the experimental data. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p293-297.pdf Доп.точки доступа: Артамкин, А. И.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Данилов, С. Н.; Бельков, В. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
621.315.592 Р 345 Резонансный уровень хрома в ромбоэдрической и кубической фазах сплавов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te / Е. П. Скипетров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 721-727 : ил. - Библиогр.: с. 726-727 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурные зависимости -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- твердые растворы -- свободные электроны -- резонансные уровни -- хром -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- закон дисперсии Кейна -- Кейна закон дисперсии -- фазовые переходы -- структурные переходы -- ромбоэдрические фазы -- кубические фазы -- запрещенные зоны -- состав сплавов -- электронные структуры -- теллурид свинца -- Pb Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла (4. 2 меньше или равно T меньше или равно 300 K, B меньше или равно 0. 07 Тл) в твердых растворах Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 03-0. 08, y меньше или равно 0. 01). Обнаружено увеличение абсолютной величины коэффициента Холла с ростом температуры, указывающее на уменьшение концентрации свободных электронов в результате движения резонансного уровня хрома, стабилизирующего уровень Ферми, относительно дна зоны проводимости. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна с учетом структурного фазового перехода при увеличении температуры рассчитаны температурные зависимости коэффициента Холла, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными. Определены энергетическое положение и температурные коэффициенты движения резонансного уровня хрома относительно середины запрещенной зоны в ромбоэдрической и кубической фазах. Temperature dependences of the Hall coefficient (4. 2 less-than or equal to T less-than or equal to 300K, B less-than or equal to 0. 07 T) in Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x = 0. 03-0. 08, y less-than or equal to 0. 01) solid solutions are studied. An increase of the absolute value of the Hall coefficient upon increasing of temperature, indicating the decrease of the free electron concentration due to the movement of the chromium resonant level, stabilizing the Fermi level, relative to the conduction band bottom, is found. In the frame of the two-band Kane dispersion law, taking into account the structural phase transition upon increasing of temperature, the temperature dependences of the Hall coefficient, satisfactorily coinciding with experimental ones, are calculated. The energy position and temperature coefficients of the chromium resonant level movement relative to the middle of the gap in rhombohedra and cubic phases are determined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p721-727.pdf Доп.точки доступа: Скипетров, Е. П.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е. |
539.2 Р 982 Рябова, Л. И. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца / Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 10. - С. 1033-1044 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1044 (64 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные терагерцовые излучения -- локальные состояния -- нетривиальные состояния -- теллурид свинца -- терагерцовая фотопроводимость -- узкощелевые полупроводники -- фотоэлектрические эффекты Аннотация: В обзоре рассмотрены фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллура свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Доп.точки доступа: Хохлов, Д. Р.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Химический факультетМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Физический факультет; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва (Россия) |
536.42 К 630 Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений / В. А. Володин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 185-189 : ил. - Библиогр.: с. 189 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): комбинационное рассеяние света -- КРС -- халькогениды -- свинец -- теллурид свинца -- олово -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- метод спектроскопии комбинационного рассеяния света -- фазовые трансформации -- пленки -- поверхность пленок -- легирование индием -- индий -- сравнительный анализ -- теллур -- оксид теллура -- фазовый состав Аннотация: Пленки PbTe и Pb[1-x]Sn[x]Te, как нелегированные, так и легированные индием, исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Обнаружено, что поверхность пленок меняется в процессе записи спектров. Из сравнительного анализа полученных нами и литературных данных предположено, что пики при 90, 117 и 138 см{-1} связаны с комбинационным рассеянием света на выделениях теллура или оксида теллура. Установлено, что эти пики появляются в пленках Pb[1-x]Sn[x]Te и в пленках PbTe только при легировании индием. Пик при 180 см{-1} наблюдается в спектрах всех образцов и не связан с плазмон-фононной модой, природа его до конца не ясна. Both undoped and indium doped PbTe and Pb[1-x]Sn[x]Te films were studied using Raman spectroscopy technique. It was observed that film surfaces were modified during registration of Raman spectrum. It was concluded from comparing analysis of the Raman spectra and literature data that peaks at 90, 117, and 138 cm{-1} are due to Raman scattering by tellurium or tellurium oxide precipitates. It was observed, that these peaks appeared for Pb[1-x]SnxTe films or for indium doped PbTe films. The peak at 180 cm{-1} was observed in Raman spectra of all samples, it is not related to coupled plasmon-phonon modes, it’s nature is not clear now. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p185-189.pdf Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Синюков, М. П.; Щеглов, Д. В.; Латышев, А. В.; Федосенко, Е. В.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет |
539.1 Д 534 Дмитриев, А. В. Вычисление термоэлектрических величин PbTe в трехзонной модели электронного энергетического спектра / А. В. Дмитриев, Е. С. Ткачева // Вестник Московского университета. Серия 3, Физика. Астрономия. - 2014. - № 3. - С. 38-44 : рис. - Библиогр.: с. 44 (31 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): PbTe -- Больцмана уравнение -- кинетика материалов -- многозонные полупроводники -- теллурид свинца -- термоэлектрическая эффективность -- термоэлектрические характеристики -- трехзонная модель спектра -- уравнение Больцмана Аннотация: Теоретически исследованы термоэлектрические характеристики теллурида свинца n- и p-типа в широком интервале температур от 300 до 900 К при уровне донорного и акцепторного легирования до 1\cdot10 Перейти: http://vmu.phys.msu.ru/file/2014/3/14-3-38.pdf Доп.точки доступа: Ткачева, Е. С. |