Гаврилюк, А. И. Фотолиз, фотохромизм и получение наночастиц меди в пленках CuCl с помощью водородной фотосенсибилизации [Текст] / А. И. Гаврилюк // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 68-74 : ил. - Библиогр.: с. 74 (16 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): фотолиз -- фотохромизм -- Cu -- медь -- наночастицы меди -- получение наночастиц -- CuCl -- пленки (физика) -- двухслойные структуры -- пленочные двухслойные структуры -- поверхности пленок -- облучение поверхности пленок -- атомы водорода -- молекулы -- водородосодержащие молекулы -- оксиды -- адсорбируемые молекулы -- водородная фотосенсибилизация -- водородная сенсибилизация Аннотация: Использование пленочной двухслойной структуры CuCl-WO[3] позволяет осуществить фотолиз в пленках CuCl. При облучении поверхности пленок WO[3] атомы водорода сначала отщепляются от водородосодержащих молекул, предварительно адсорбированных на поверхности оксида, а затем перетекают на поверхность пленок CuCl и осуществляют водородную сенсибилизацию одновременно с облучением, что приводит к фотолизу в пленках CuCl, образованию наночастиц меди и фотохромизму. |
Исследование поверхности пленок из полиэтилентерефталата, модифицированных вакуумно-ультрафиолетовым облучением на воздухе [Текст] / А. В. Митрофанов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 30-38
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки из полиэтилентерефталата -- поверхности пленок -- радиационное окисление полимера -- вакуумное ультрафиолетовое излучение -- атомно-силовая микроскопия -- оптические спектры пропускания -- фототравление -- гидрофильные свойства Аннотация: Представлены результаты измерений характеристик поверхности пленок из полиэтилентерефталата (ПЭТФ), изменяющихся при радиационном окислении полимера под действием вакуумного ультрафиолетового излучения в кислородсодержащей среде. Облучение пленок проводилось с помощью отпаянной дейтериевой лампы с максимальной энергией квантов в полосе (10 +/- 1) эВ на воздухе в условиях, когда термическая деструкция ПЭТФ несущественна. Посредством измерений оптических спектров пропускания T (лямбда) пленок и исследований микрорельефа поверхности методом атомно-силовой микроскопии была установлена функциональная связь уменьшения толщины пленки и роста неровностей поверхности при фототравлении. По измерениям краевого угла смачивания были изучены гидрофильные свойства облученных участков образцов с разными дозами облучения. Доп.точки доступа: Митрофанов, А. В.; Карбань, О. В.; Сугоняко, А.; Любомска, М. |
Зимин, С. П. Особенности травления в плазме спиралевидных структур PbTe на подложках BaF[2] (111) [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, С. В. Кутровская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1808-1811. - Библиогр.: с. 1811 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- пленки -- поверхности пленок -- теллурид свинца -- механизмы спирального роста -- эпитаксильные пленки -- спиралевидные структуры на пленках -- плазменные обработки -- микрорельефы поверхностей пленок Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пленок теллурида свинца с образованиями спиралевидной формы на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после обработки в аргоновой плазме. Показано, что присутствие крупных спиралевидных ступенчатых структур в области выходов пронизывающих дислокаций приводит к специфическим явлениям при распылении. Определены основные особенности модификации рельефа поверхности и взаимосвязь формирующихся одиночных и сгруппированных микровыступов с исходным рельефом и дислокациями. Доп.точки доступа: Горлачев, Е. С.; Кутровская, С. В. |
544 С 873 Структурный фазовый переход в ленгмюровских пленках фталоцианина ванадила [Текст] / Н. Л. Левшин [и др.] // Журнал физической химии. - 2008. - Т. 82, N 11. - С. 2135-2139 : рис. - Библиогр.: c. 2139 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): пленки Ленгмюра-Блоджетт -- фталоцианин ванадила -- структурные фазовые переходы -- метод пьезорезонансных кварцевых весов -- изотермы адсобции -- поверхности пленок -- Ленгмюра-Блоджетт пленки Аннотация: Исследованы пленки Ленгмюра-Блоджетт на основе фталоцианина ванадила PcVO (NHSO[2]C[18]H[37]) [4]. Доп.точки доступа: Левшин, Н. Л.; Юдин, С. Г.; Крылова, Е. А.; Златкин, А. Т. |
539.2 А 501 Алисултанов, З. З. Щель в плотности состояний эпитаксиального графена, сформированного на поверхности размерно-квантованной металлической пленки / З. З. Алисултанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 4. - С. 23-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (17 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графен -- эпитаксиальный графен -- металлические пленки -- поверхности пленок -- плотность -- щели -- квантовый размерный эффект -- электронные состояния Аннотация: Исследованы электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности размерно-квантованной пленки. Показано, что в плотности состояний эпитаксиального графена появляется запрещенная щель. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p23-30.pdf |
539.19 М 902 Мультифрактальная параметризация пространственных форм на поверхности гетерокомпозиций Zn[x[Cd[1 – x]Te - Si (111) и ее взаимосвязь с условиями синтеза слоев / П. П. Москвин [и др.]. // Журнал физической химии. - 2014. - Т. 88, № 7/8. - С. 1194-1200. - Библиогр.: c. 1200 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): мультифрактальный анализ -- поверхности пленок -- полупроводниковые пленки -- технология получения тонких слоев -- энтальпия сублимации Аннотация: Реализован метод мультифрактального анализа пространственных форм на поверхности тонких слоев твердого раствора Zn[x[Cd[1 – x]Te, осажденного на подложку Si (111) методом горячей стенки. Доп.точки доступа: Москвин, П. П.; Крыжановский, В. Б.; Рашковецкий, Л. В.; Литвин, П. Н.; Вуйчик, Н. В.; Житомирский государственный технологический университет (Украина); Житомирский государственный технологический университет (Украина); Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников (Киев); Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников (Киев); Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников (Киев) |
539.2 Р 175 Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром / В. М. Грабов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 648-653 : ил. - Библиогр.: с. 653 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- результаты исследований -- гальваномагнитные явления -- пленки висмута -- висмут -- легирование -- теллур -- носители заряда -- фононы -- поверхности пленок -- дефекты структур -- границы кристаллитов -- кристаллиты Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных явлений в монокристаллических и блочных пленках висмута, легированного теллуром, в интервале температур 77-300 K, в диапазоне толщин пленок 0. 1-1 мкм. Показано, что в исследованных пленках концентрация носителей заряда не зависит от толщины, рассеяние носителей заряда осуществляется на фононах, поверхности пленок, дефектах структуры и границах кристаллитов. Величины и соотношение перечисленных вкладов в ограничение подвижности носителей заряда зависит от содержания теллура, толщины пленки, а также их монокристаллического или блочного состояния. The experimental results of galvanomagnetic phenomena in monocrystalline and polycrystalline films of bismuth doped with tellurium in the temperature range 77-300K and the thickness range 0. 1-1Mum are presented. It is shown that carrier density in the studied films does not depend on the film thickness. Carriers scatter on phonons, the surface of a film, the crystallite boundaries and structural defects. The values and the ratio of these contributions to the carrier mobility restriction depend on the tellurium concentration, film thickness and poly- or monocrystalline structure. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p648-653.pdf Доп.точки доступа: Грабов, В. М.; Демидов, Е. В.; Комаров, В. А.; Матвеев, Д. Ю.; Николаева, А. А.; Константинов, Е. В.; Константинова, Е. Е.; Маркушевс, Д.; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Институт электронной инженерии и нанотехнологий им. Д. В. Гицу Академии наук Молдовы; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург); Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург) |
539.2 П 764 Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / Л. К. Марков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1713-1718 : ил. - Библиогр.: с. 1717-1718 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- оптические свойства -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- индий -- In -- олово -- Sn -- оксиды -- поглощение света -- коэффициент отражения -- электропроводность -- светодиоды -- пленки -- поверхности пленок Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства многослойных композиций ITO/SiO[2]/Ag, в которых слой ITO (оксид индия и олова) был получен двумя различными методами: электронно-лучевым испарением и комбинированным способом, включающим электронно-лучевое испарение и последующее магнетронное напыление. Показано, что отражающая способность композиции на основе пленки ITO, полученной методом электронно-лучевого испарения, существенно ниже. Это можно объяснить значительным поглощением света на обеих границах слоя SiO[2], возникающим вследствие сложного рельефа поверхности пленок ITO, напыленных электронно-лучевым испарением. Образцы с пленкой, полученной методом комбинированного нанесения, имеют коэффициент отражения на уровне 90% при нормальном падении излучения, что в совокупности с их большей электропроводностью обеспечивает им преимущество для применения в качестве отражающих контактов к области p-GaN AlInGaN-светодиодов флип-чип конструкции. In this paper, structural and optical properties of the multi-layer compositions ITO/SiO[2]/Ag are studied. ITO layers in the system were obtained by two different ways: electronbeam evaporation and combined method including electron-beam evaporation and following magnetron sputtering deposition. It is shown that the reflectivity of the composition based on ITO film obtained by electron-beam evaporation is much less. It can be explained by considerable light absorption at both interfaces of SiO[2] layer due to the complicated rough surface relief of the ITO films deposited by electron-beam evaporation. The samples with the film obtained by the combined method demonstrated a reflection coefficient as high as 90% at normal incident of light. This fact together with higher conductivity of these films ensures them advantages for application as reflective p-contacts in AlInGaN flip-chip LEDs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1713-1718.pdf Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Закгейм, Д. А.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва) |