Фальковский, Л. А. Оптические свойства графена и полупроводников типа A[4]B[6] [Текст] / Л. А. Фальковский> // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 9. - С. 923-934 : 14 рис. - Библиогр.: с. 933-934 (30 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- свойства графена -- оптические свойства -- частотная дисперсия -- проводимость графена -- многослойные системы Аннотация: Рассмотрена частотная дисперсия динамической проводимости графена, многослойной системы графеновых слоев и полупроводников A[4]B[6] в зависимости от температуры и концентрации носителей в области частот больших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости. |
Сибатов, Р. Т. Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, В. В. Учайкин> // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1079-1104 : 15 рис. - Библиогр.: с. 1103-1104 (91 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): дробно-дифференциальные подходы -- полупроводники -- дисперсионные переносы -- автомодельность -- кинетические уравнения Аннотация: Излагается новый подход к описанию дисперсионного переноса в неупорядоченных полупроводниках, основанный на уравнениях с производными дробного порядка. Установлена связь автомодельности дисперсионного переноса, устойчивых предельных распределений и кинетических уравнений с дробными производными. Доп.точки доступа: Учайкин, В. В. |
Кусраев, Ю. Г. Спиновые явления в полупроводниках: физика и приложения [Текст] / Ю. Г. Кусраев> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 759-773 : 12 рис. - Библиогр.: с. 772-773 (96 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- спектроскопия -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Холла -- Холла эффект -- спиновые явления -- спинтроника -- сессии Аннотация: К настоящему времени открыто много новых интересных спин-зависимых эффектов в полупроводниках и гибридных структурах с магнетиками и на их основе предложено большое количество устройств. Разработаны методы генерации, управления и детектирования спина - на них основывается работа будущих устройств спинтроники. |
Тарасенко, С. А. Спиновые фототоки в полупроводниках [Текст] / С. А. Тарасенко> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 773-777 : 2 рис. - Библиогр.: с. 776-777 (25 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- спиновые фототоки -- электроны -- квазичастицы -- спинтроника -- эффект Холла -- Холла эффект -- электромагнитные заряды -- магнитные поля -- сессии Аннотация: Возможность эффективного управления спиновыми состояниями электронов, дырок и других квазичастиц в низкоразмерных структурах является ключевой проблемой полупроводниковой спинтроники. Благодаря спин-орбитальному взаимодействию спиновое состояние квазичастицы можно изменять, воздействуя на ее орбитальное движение. |
Аверкиев, Н. С. Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках [Текст] / Н. С. Аверкиев> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 777-780 : 3 рис. - Библиогр.: с. 780 (12 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): эффект Рашбы -- Рашбы эффект -- эффект Дрессельхауза -- Дрессельхауза эффект -- полупроводники -- спинтроника -- спин-орбитальное взаимодействие -- электроны -- электрические поля -- сессии Аннотация: В статье рассмотрены особенности анизотропии спиновой релаксации для электронов в низкоразмерных полупроводниках. Показано, что анизотропия возникает вследствие как естественных причин, так и взаимного действия эффектов Рашбы и Дрессельхауза. |
539.2 Р 982 Рябова, Л. И. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца / Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов> // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 10. - С. 1033-1044 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1044 (64 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные терагерцовые излучения -- локальные состояния -- нетривиальные состояния -- теллурид свинца -- терагерцовая фотопроводимость -- узкощелевые полупроводники -- фотоэлектрические эффекты Аннотация: В обзоре рассмотрены фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллура свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Доп.точки доступа: Хохлов, Д. Р.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Химический факультетМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Физический факультет; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва (Россия) |