Фальковский, Л. А.
    Оптические свойства графена и полупроводников типа A[4]B[6] [Текст] / Л. А. Фальковский // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 9. - С. 923-934 : 14 рис. - Библиогр.: с. 933-934 (30 назв. ) . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- свойства графена -- оптические свойства -- частотная дисперсия -- проводимость графена -- многослойные системы
Аннотация: Рассмотрена частотная дисперсия динамической проводимости графена, многослойной системы графеновых слоев и полупроводников A[4]B[6] в зависимости от температуры и концентрации носителей в области частот больших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости.





    Сибатов, Р. Т.
    Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, В. В. Учайкин // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1079-1104 : 15 рис. - Библиогр.: с. 1103-1104 (91 назв. ) . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
дробно-дифференциальные подходы -- полупроводники -- дисперсионные переносы -- автомодельность -- кинетические уравнения
Аннотация: Излагается новый подход к описанию дисперсионного переноса в неупорядоченных полупроводниках, основанный на уравнениях с производными дробного порядка. Установлена связь автомодельности дисперсионного переноса, устойчивых предельных распределений и кинетических уравнений с дробными производными.


Доп.точки доступа:
Учайкин, В. В.




    Кусраев, Ю. Г.
    Спиновые явления в полупроводниках: физика и приложения [Текст] / Ю. Г. Кусраев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 759-773 : 12 рис. - Библиогр.: с. 772-773 (96 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379 + 22.344
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

   Спектроскопия

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- спектроскопия -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Холла -- Холла эффект -- спиновые явления -- спинтроника -- сессии
Аннотация: К настоящему времени открыто много новых интересных спин-зависимых эффектов в полупроводниках и гибридных структурах с магнетиками и на их основе предложено большое количество устройств. Разработаны методы генерации, управления и детектирования спина - на них основывается работа будущих устройств спинтроники.





    Тарасенко, С. А.
    Спиновые фототоки в полупроводниках [Текст] / С. А. Тарасенко // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 773-777 : 2 рис. - Библиогр.: с. 776-777 (25 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- спиновые фототоки -- электроны -- квазичастицы -- спинтроника -- эффект Холла -- Холла эффект -- электромагнитные заряды -- магнитные поля -- сессии
Аннотация: Возможность эффективного управления спиновыми состояниями электронов, дырок и других квазичастиц в низкоразмерных структурах является ключевой проблемой полупроводниковой спинтроники. Благодаря спин-орбитальному взаимодействию спиновое состояние квазичастицы можно изменять, воздействуя на ее орбитальное движение.





    Аверкиев, Н. С.
    Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках [Текст] / Н. С. Аверкиев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 777-780 : 3 рис. - Библиогр.: с. 780 (12 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
эффект Рашбы -- Рашбы эффект -- эффект Дрессельхауза -- Дрессельхауза эффект -- полупроводники -- спинтроника -- спин-орбитальное взаимодействие -- электроны -- электрические поля -- сессии
Аннотация: В статье рассмотрены особенности анизотропии спиновой релаксации для электронов в низкоразмерных полупроводниках. Показано, что анизотропия возникает вследствие как естественных причин, так и взаимного действия эффектов Рашбы и Дрессельхауза.



539.2
Р 982


    Рябова, Л. И.
    Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца / Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 10. - С. 1033-1044 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1044 (64 назв.) . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
лазерные терагерцовые излучения -- локальные состояния -- нетривиальные состояния -- теллурид свинца -- терагерцовая фотопроводимость -- узкощелевые полупроводники -- фотоэлектрические эффекты
Аннотация: В обзоре рассмотрены фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллура свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения.


Доп.точки доступа:
Хохлов, Д. Р.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Химический факультетМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Физический факультет; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва (Россия)