Кустов, Е. Ф.
    Теория и система классификации наноструктур [Текст] / Кустов Е. Ф., Нефедов В. И. // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 6. - С. 772-776. - Библиогр.: с. 776 (7 назв. ) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кристаллические тела -- нанооболочки -- наночастицы -- пентагональная ветвь -- классификация наноструктур
Аннотация: Классификация разработанная в этой работе, производится по триаде: группа симметрии-состав оболочки-структурная формула оболочки.


Доп.точки доступа:
Нефедов, В. И.




   
    Моделирование структуры, электронного строения и свойств примесных дефектов с участием германия в теллуриде свинца [Текст] / А. С. Зюбин [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 1. - С. 88-96 : табл. - Библиогр.: с. 39 (96 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Неорганическая химия

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- легирование -- примеси -- твердые растворы -- кластеры -- моделирование -- электронное строение -- примесные дефекты -- германий -- точечные дефекты -- кристаллические тела -- теллурид свинца
Аннотация: Выполнено кластерное моделирование объема и поверхности кристаллического свинца и проанализированы различные варианты внедрения атома Ge в объем кристалла PbTe и на его поверхность. Рассмотрены кластеры различных размеров.


Доп.точки доступа:
Зюбин, А. С.; Дедюлин, С. Н.; Штанов, В. И.; Яшина, Л. В.




   
    Динамические длиннопериодические наноразмерные состояния в решетчатой структуре [Текст] / С. В. Дмитриев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 21-26. - Библиогр.: c. 25-26 (26 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
динамические длиннопериодические структуры -- ДПС -- кристаллические тела -- решетчатая структура -- слабоустойчивые состояния
Аннотация: На примере биатомной цепочки атомов, взаимодействие которых представлялось потенциалом Морзе, обнаружена возможность существования долгоживущего динамического длиннопериодического наноразмерного состояния в решеточной структуре. Подобная наноразмерная структура возникает при возбуждении колебательной коротковолновой моды, где в движении принимают участие только атомы легкой компоненты.


Доп.точки доступа:
Дмитриев, С. В.; Назаров, А. А.; Потекаев, А. И.; Пшеничнюк, А. И.; Хадеева, Л. З.


535.2/.3
Р 345


   
    Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc- Si/SiO[2] / Ф. Б. Байрамов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 608-612 : ил. - Библиогр.: с. 611 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
рассеяние света -- квантовые точки -- фотолюминесценция -- резонансные явления -- неупругое рассеяние -- оптические фононы -- квантование -- кристаллические тела -- спектры рассеяния -- феноменологическая теория
Аннотация: Сообщается об обнаружении при комнатной температуре спектров резонансного неупругого рассеяния света пространственно ограниченными оптическими фононами, а также экситонной фотолюминесценции, обусловленной эффектами размерного квантования для образцов, состоящих из ансамбля изолированных квантовых точек (КТ) nc-Si/SiO[2]. Показано, что исследовавшиеся образцы являются сверхчистыми КТ nc-Si/SiO[2] высокого кристаллического совершенства без присутствия аморфной фазы alpha-Si и вредных химических реагентов. Путем сравнения полученных экспериментальных данных с феноменологической теорией в модели сильного пространственного ограничения оптических фононов выявлена необходимость учета более корректной формы весовой функция для локализованных оптических фононов. Показано, что одновременная регистрация спектров неупругого рассеяния света локализованными фононами и экситонной люминесценции электронно-дырочными парами в КТ nc-Si/SiO[2] дает возможность самосогласованным образом при комнатной температуре определять наиболее достоверные значения диаметра КТ nc-Si/SiO[2].
Observation at the room temperature the spectra of the resonant inelastic light scattering by the spatially confined optical phonons as well as the excitonic luminescence caused by confinement effects in the ensemble of isolated quantum dots (QD[s]) nc-Si/SiO[2] is reported. It is shown that the samples investigated are high purity and high crystalline perfection quality nc-Si/SiO[2] QD[s] without amorphous phase ? -Si and contaminants. Comparison between the experimental data obtained and phenomenological model of the strong space confinement of optical phonons revealed the need of the more accurate form of the weighted function for the confinement of optical phonons. It is shown that simultaneous detection of the inelastic light scattering by the confinement of phonons and the excitonic luminescence spectra by the confined electron-hole pairs in the nc-Si/SiO[2] QD[s]allows self consistently to determines more accurate values of the diameter of the nc-Si/SiO[2 ]QD[s].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p608-612.pdf

Доп.точки доступа:
Байрамов, Ф. Б.; Топоров, В. В.; Полоскин, Е. Д.; Байрамов, Б. Х.; Roder, C.; Sprung, C.; Bohmhammel, K.; Seidel, J.; Irmer, G.; Lashkul, A.; Lahderanta, E.; Song, Y. W.


621.03
Л 365


    Левинский, Ю. В.
    Модели поведения газонаполненных пор в аморфных и кристаллических телах / Ю. В. Левинский, авт. М. П. Лебедев // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 452, № 2, сентябрь. - С. 158-160 : 2 рис. - Библиогр. : с. 160 (4 назв.) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 30.13
Рубрики: Техника
   Техническая физика

Кл.слова (ненормированные):
газонаполненные поры -- аморфные тела -- кристаллические тела -- закон Сивертса -- Сивертса закон -- константа Сивертса -- Сивертса константа -- сферическая изолированная пора -- газы -- твердые тела -- давление газа
Аннотация: Показано, что в аморфных телах перенос массы осуществляется вязким течением, в кристаллических - диффузией атомов по вакансиям кристаллической решетки.


Доп.точки доступа:
Лебедев, М. П.