539.2 К 56 Ковачевич, Ж. Резонансные состояния в высокотемпературных сверхпроводниках с примесями [Текст] / Ж. Ковачевич, Н. М. Плакида, Р. Хайн // Теоретическая и математическая физика. - 2003. - Т. 136, N 2. - С. 299-311. - Библиогр.: с. 310-311 (20 назв. ) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные сверхпроводники -- примеси -- резонансные состояния -- t-J модель -- сверхпроводники -- функции Грина -- Грина функции -- идеальные решетки Аннотация: В предложенной модели, полученной из p-d модели, примеси Zn рассматриваются как вакансии d-состояний на узлах Cu. В сверхпроводящей фазе, дополнительно к локальному статическому возмущению за счет вакансии, появляется динамический вклад, в результате чего матрица возмущений становится частотно-зависимой. Доп.точки доступа: Плакида, Н. М.; Хайн, Р. |
530.1 В 199 Васько, Ф. Т. Модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах при гидростатическом сжатии [Текст] / Ф. Т. Васько, авт. М. В. Стриха // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 646-653. - Библиогр.: с. 652-653 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- гидростатическое сжатие -- сжатие -- локализованные состояния -- несимметричные короткодействующие дефекты -- короткодействующие дефекты -- модификация состояний Аннотация: Изучена модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах при гидростатическом сжатии. Доп.точки доступа: Стриха, М. В. |
621.315.592 Б 422 Бекин, Н. А. Каскадный лазер на мелких донорах в дельта-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs [Текст] / Н. А. Бекин, авт. В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 622-629 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): каскадный лазер -- терагерцевый диапазон -- квантовые ямы -- резонансные состояния Аннотация: Теоретически анализируется возможность усиления электромагнитных волн терагерцового диапазона частот на оптических переходах между состояниями двумерного континуума и мелких доноров в сверхрешетках GaAs/AlGaAs с селективным дельта-легированием квантовых ям. Механизм требуемой инверсной населенности состояний основывается на использовании эффекта гибридизации состояний соседних квантовых ям, связанных благодаря туннелированию электронов через барьер, в условиях вертикального транспорта. Показано, что при плотности легирования 5 10\{10\} см\{-2\} на каскад коэффициент усиления может достигать 50 см\{-1\} на длинах волн 100-120 мкм. Плотность тока в рабочем режиме составляет ~ 50 А/см\{2\}. Доп.точки доступа: Шастин, В. Н. |
Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы [Текст] / Б. А. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 6. - С. 501-504
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- валентная подзона -- акцепторы -- изотопический эффект -- спин-орбитальное расщепление -- валентная зона кремния Аннотация: Обнаружена зависимость энергии переходов в резонансные состояния акцепторов под спин-отщепленной валентной подзоной от изотопного состава матрицы кремния. Получена оценка изотопического эффекта для спин-орбитального расщепления валентной зоны кремния. Доп.точки доступа: Андреев, Б. А.; Ежевский, А. А.; Абросимов, Н. В.; Сенников, П. Г.; Поль, Х. -Й. |
Кипа, М. С. Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии [Текст] / М. С. Кипа, П. С. Алексеев, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 210-217 : ил. - Библиогр.: с. 216 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- подзоны квантовых ям -- двумерные электроны -- кинетика -- акустические фононы -- оптические фононы -- электрические поля -- интерфейсы -- рассеяние -- резонансное рассеяние -- резонансные состояния -- модель Брейта-Вигнера -- Брейта-Вигнера модель -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- метод случайных блужданий -- функция распределения -- стримминговый режим -- электроны Аннотация: Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта-Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода "случайных блужданий" Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки. Доп.точки доступа: Алексеев, П. С.; Яссиевич, И. Н. |
Легирование полупроводников A{IV}B{VI} и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 742-748 : ил. - Библиогр.: с. 747 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): легирование полупроводников -- полупроводники А{IV}В{VI} -- энергетические спектры дырок -- дырки -- акцепторное легирование -- твердые растворы -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- термоэдс -- электропроводность -- резонансные состояния -- PbTe -- теллурид свинца -- кинетические явления Аннотация: В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1. 0 и 1. 5 ат% каждого компонента; достигнутные при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
Скалярные мезоны сигма и a[0] в распаде эта' эта пи\{0\}пи\{0\} [Текст] / С. В. Донсков [и др. ] // Ядерная физика. - 2009. - Т. 72, N 12. - С. 2132-2137
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): распад частиц -- скалярные мезоны -- матричные элементы -- киральная теория возмущений -- резонансные состояния -- Далитц-плот -- плот Далитца Аннотация: Проведено изучение матричного элемента распада эта' > эта пи\{0\}пи\{0\} с учетом скалярных мезонов сигма и a[0]. Получено хорошее согласие с экспериментом. Доп.точки доступа: Донсков, С. В.; Лиходед, А. К.; Лучинский, А. В.; Самойленко, В. Д. |
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1443-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я. |
621.315.592 Р 345 Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A{IV}B{VI} [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 889-895 : ил. - Библиогр.: с. 895 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- резонансные состояния -- примеси -- квазичастицы -- тяжелые квазичастицы -- термоэлектрическая эффективность -- дырки -- коэффициент термоэдс -- теплопроводность решетки -- экспериментальные данные -- энергетические спектры -- носители заряда -- теллурид германия -- GeTe -- дефекты Аннотация: На твердых растворах на основе GeTe с примесями Bi и Pb получена высокая термоэлектрическая эффективность ZT с максимумом для состава Ge[0. 9]Pb[0. 05]Bi[0. 05]Te ZT=1. 5 при 670-800 K. Достижению такого результата способствовали уменьшение концентрации дырок, повышение коэффициента термоэдс и понижение теплопроводности решетки. При интерпретации экспериментальных данных основное внимание уделено особенностям энергетического спектра дырок в исходном соединении GeTe. Дальнейшее развитие получила модель резонансных состояний, в формировании которых участвуют атомы Ge и вакансии металла. Рассмотрены виды дефектов и их трансформация в зависимости от температуры и концентрации сверхстехиометрического Te. Экспериментальные результаты дают основание полагать, что взаимодействие локализованных и свободных носителей заряда с повышением температуры приводит к сильной гибридизации их состояний и образованию тяжелых квазичастиц - ситуации, во многом схожей с наблюдаемой в материалах с тяжелыми фермионами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p889-895.pdf Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
539.2 В 720 Вольф, Г. В. Время жизни резонансных состояний сплошного спектра электронов квантово-размерной пленки Cu (001) [Текст] / Г. В. Вольф, авт. Ю. П. Чубурин // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1423-1427. - Библиогр.: с. 1427 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантово-размерные пленки -- резонансные состояния -- спектры -- электроны Аннотация: Впервые рассчитан закон дисперсии и времена жизни резонансов упругого рассеяния электронов с энергиями выше границы сплошного спектра электронов (001) ГЦК-пленки меди. Найдено, что в определенном интервале значений квазиимпульса электронов, лежащего на направлении Y двумерной зоны Бриллюэна, существует разонансная зона с очень большими временами жизни. Учет специфики этих состояний важен при описании транспорта скользящих пучков низкоэнергетических электронов в квантово-размерной пленке меди. Доп.точки доступа: Чубурин, Ю. П. |
621.315.592 Э 554 Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В. |
539.163 П 517 Полная сила магнитного дипольного резонанса [Текст] / А. С. Качан [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 3. - С. 430-433. - Библиогр.: c. 433 (19 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): М1-резонанс -- полная сила -- гамма-переходы -- резонансные состояния -- ускоренные протоны -- гамма-распад -- экспериментальные данные -- магнитный дипольный резонанс Аннотация: Изучен гамма-распад резонансноподобных структур, наблюдаемых в реакциях {36}S (pгамма) {37}Cl и {38}Ar (pгамма) {39}K в области энергий ускоренных протонов E[p]=0. 8-2. 8 МэВ. Доп.точки доступа: Качан, А. С.; Кургуз, И. В.; Ковтуненко, И. С.; Мищенко, В. М. |
539.163 П 517 Полная сила магнитного дипольного резонанса в {27}Al [Текст] / А. С. Качан [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1630-1633. - Библиогр.: c. 1633 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): М1-резонанс -- полная сила -- гамма-переходы -- резонансные состояния -- возбужденные состояния -- гамма-распад -- экспериментальные данные -- магнитный дипольный резонанс Аннотация: Изучен гамма-распад резонансно-подобной структуры, наблюдаемой в реакции {26}Mg (pгамма) {27}Al в области энергий ускоренных протонов E[p]=0. 8-3. 0 МэВ. Доп.точки доступа: Качан, А. С.; Кургуз, И. В.; Ковтуненко, И. С.; Мищенко, В. М. |
539.163 П 517 Полная сила магнитного дипольного резонанса в {31}P [Текст] / А. С. Качан [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 11. - С. 1601-1606. - Библиогр.: c. 1605-1606 (26 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): гамма-переходы -- гамма-распад -- М1-резонанс -- магнитный дипольный резонанс -- полная сила -- резонансные состояния -- угловые распределения -- ускоренные протоны -- экспериментальные данные -- энергии ускоренных протонов Аннотация: Изучен гамма-распад резонансноподобной структуры, наблюдаемой в реакции {30}Si (p-гамма) {31}P в области энергий ускоренных протонов E[p]=1. 4-2. 7 МэВ. Доп.точки доступа: Качан, А. С.; Кургуз, И. В.; Ковтуненко, И. С.; Мищенко, В. М.; Панин, В. А. |
538.958 П 432 Поглощение и модуляции излучения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 91-94. - Библиогр.: c. 94 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- квантовые ямы -- легирование бериллием -- наноструктуры -- оптические явления -- резонансные состояния -- спектры поглощения Аннотация: В работе проведены экспериментальные исследования оптических явлений в квантовых ямах GaAs/AlGaAs, легированных акцепторами, в средней ИК-области спектра. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Софронов, А. Н.; Паневин, В. Ю.; Винниченко, М. Я.; Тхумронгсилапа, П.; Ганичев, С. Д.; Данилов, С. Н.; Жуков, А. Е. |
539.2 А 497 Алешкин, В. Я. Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs / В. Я. Алешкин, авт. Д. И. Бурдейный // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 466-472 : ил. - Библиогр.: с. 472 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кулоновское рассеяние электронов -- резонансное кулоновское рассеяние электронов -- донорные центры -- гетероструктуры -- арсенидгаллиевые структуры -- квантовые ямы -- резонансные состояния -- размерное квантование -- амплитуды рассеяния Аннотация: Теоретически исследуются характеристики кулоновского рассеяния электронов проводимости на мелких донорных центрах в гетероструктурах Al[x]Ga[1-x]As/n-GaAs/Al[x]Ga[1-x]As с квантовыми ямами при учете влияния резонансных состояний. Резонансные состояния возникают под возбужденными подзонами размерного квантования вследствие наличия доноров. Найдены асимметричные резонансные особенности в спектрах полного и транспортного сечений кулоновского рассеяния в окрестности резонансных значений энергии. Показано, что особенности не являются малым эффектом: вблизи резонансных значений энергии сечения могут в несколько раз отличаться от соответствующих величин для нерезонансного случая. We report a theoretical study on characteristics of the Coulomb scattering of conduction electrons by shallow donors in heterostructures Al[x]Ga[1-x]As/n-GaAs/Al[x]Ga[1-x]As with quantumwells, taking into account the effect of resonance states. The resonance states are formed under the excited dimensional quantization subbands owing to the shallow donors. The obtained spectra of total and transport Coulomb scattering cross-sections exhibit asymmetric resonance features in the vicinity of the resonanceenergy values. It is shown that these features are no small effect: near the resonance energy values the cross-sections may largelydiffer from the corresponding cross-sections for the non-resonancecase. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p466-472.pdf Доп.точки доступа: Бурдейный, Д. И. |