Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb[1-x]Sn[x]Te (In) в терагерцовой спектральной области [Текст] / А. В. Галеева [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 1. - С. 37-39
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- узкощелевые полупроводники -- фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- фоточувствительность Аннотация: Исследована спектральная зависимость сигнала фотопроводимости в легированном узкощелевом полупроводнике Pb[0. 75]Sn[0. 25]Te (In) при температурах 4. 2-30 К при воздействии импульсов терагерцового лазерного излучения. Показано, что спектр фотопроводимости полупроводника простирается, по крайней мере, до длины волны 500 мкм. Эта величина более чем в два раза превышает длину волны красной границы фотоэффекта для наиболее длинноволновых из известных высокочувствительных фотонных приемников излучения на основе одноосно легированного Ge (Ga) - 220 мкм. Обсуждаются механизмы, ответственные за фоточувствительность PbSnTe (In) в терагерцовой спектральной области. Доп.точки доступа: Галеева, А. В.; Рябова, Л. И.; Никорич, А. В.; Ганичев, С. Д.; Данилов, С. Н.; Бельков, В. В.; Хохлов, Д. Р. |
538.9 В 586 Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb[1-x]Sn[x]Te(In) / Л. И. Рябова [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 9. - С. 607-610
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- фотопроводимость -- терагерцовая фотопроводимость -- электрический ток -- магнитное поле -- узкощелевые полупроводники -- квазиуровень Ферми -- Ферми квазиуровень -- локальные электронные состояния Аннотация: Фотопроводимость твердых растворов Pb[1-x]Sn[x]Te (In) в терагерцовой области спектра определяется новым типом локальных электронных состояний, "привязанных" к квазиуровню Ферми. В работе исследовано влияние электрического тока и магнитного поля на амплитуду терагерцовой фотопроводимости в сплавах Pb[1-x]Sn[x]Te (In) переменного состава. Показано, что плотность локальных электронных состояний, ответственных за задержанную положительную фотопроводимость, уменьшается при увеличении тока, протекающего через образец, и при переходе к дырочной проводимости в образцах с высоким содержанием теллурида олова (x больше 0. 26). Установлено, что зависимость амплитуды положительной фотопроводимости от магнитного поля немонотонна и характеризуется наличием максимума, положение которого по полю меняется пропорционально энергии кванта терагерцового излучения. Обсуждаются механизмы, ответственные за наблюдаемые эффекты. Доп.точки доступа: Рябова, Л. И.; Никорич, А. В.; Данилов, С. Н.; Хохлов, Д. Р.; МГУ им. Ломоносова; Институт прикладной физики АН Молдовы; University of Regensburg (Germany); МГУ им. Ломоносова |
538.9 Р 982 Рябова, Л. И. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb[1-x]Sn[x]Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения / Л. И. Рябова, авт. Д. Р. Хохлов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 12. - С. 825-831
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): узкощелевые полупроводники -- локальные электронные состояния -- твердые растворы -- теллурид свинца -- лазерное терагерцовое излучение Аннотация: Локальные электронные состояния в легированных индием твердых растворах на основе теллурида свинца характеризуются рядом особенностей, выделяющих их из многообразия примесных состояний в полупроводниках. В наиболее явном виде эти особенности проявляются в терагерцовой фотопроводимости. В настоящем обзоре рассматриваются результаты соответствующих экспериментальных исследований, проводимых в рамках проектов РФФИ в течение последних лет. Доп.точки доступа: Хохлов, Д. Р.; МГУ им. ЛомоносоваМГУ им. Ломоносова |
537.533/.534 С 784 Стафеев Виталий Иванович (01.01.1929-16.02.2013) // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 1006 : ил. . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): микроэлектроника -- матричные фотоприемники -- узкощелевые полупроводники -- некрологи -- ученые -- физики Аннотация: Памяти выдающегося физика, видного научного деятеля Виталия Ивановича Стафеева. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p1006-1006.pdf Доп.точки доступа: Стафеев, Виталий Иванович (российский физик ; 1929-2013) |
539.21:535 В 932 Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией / К. Д. Мынбаев [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 10. - С. 147-150. - Библиогр.: c. 150 ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- твердые растворы -- нитриды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- фотолюминесценция -- высокотемпературная фотолюминесценция -- гетероэпитаксиальные структуры -- узкощелевые полупроводники -- разупорядочение растворов -- теллурид кадмия-ртути Аннотация: Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн lambda=1. 5-4. 3 mum. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/10/p147-150.pdf Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Шиляев, А. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Ремесник, В. Г.; Варавин, В. С. |
539.2 Р 982 Рябова, Л. И. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца / Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 10. - С. 1033-1044 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1044 (64 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные терагерцовые излучения -- локальные состояния -- нетривиальные состояния -- теллурид свинца -- терагерцовая фотопроводимость -- узкощелевые полупроводники -- фотоэлектрические эффекты Аннотация: В обзоре рассмотрены фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллура свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Доп.точки доступа: Хохлов, Д. Р.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Химический факультетМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия). Физический факультет; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва (Россия) |