Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1072-1078 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасные спектры отражения -- многослойные эпитаксиальные гетероструктуры -- погруженные слои -- дисперсионный анализ Аннотация: Исследовано влияние толщины погруженных InAs- и GaAs-слоев на инфракрасные спектры отражения колебаний решетки в многослойных эпитаксиальных гетероструктурах AlInAs/InAs/AlInAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlInAs/InGaAs/GaAs/InGaAs/AlInAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP (100). Оценены относительные напряжения, возникающие в слоях, окружающах погруженные, при изменении числа монослоев, из которых формируются квантовые точки, а также при изменении толщины самих слоев, окружающих погруженные. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Лукин, А. Н.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С. |
Шаров, М. К. Концентрация свободных электронов и удельная электропроводность теллурида свинца, легированного хлором [Текст] / М. К. Шаров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 12. - С. 37-39
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): плазменный резонанс -- инфракрасные спектры отражения -- твердые растворы -- удельная электропроводность -- теллурид свинца -- легированное хлором Аннотация: На основе исследования плазменного резонанса в ИК-спектрах отражения определена концентрация и время релаксации свободных носителей заряда, а также удельная электропроводность в твердых растворах PbTe[1-x]Cl[x]. Обнаружено, что с увеличением концентрации хлора возрастает концентрация электронов и удельная электропроводность, достигая насыщения при x=0. 03 (n = 5. 5х10\{19\} см\{-3\}, сигма = 3750 Ом\{-1\}см\{-1\}). Время релаксации падает по мере возрастания содержания хлора, достигая минимального значения 2. 2х10\{-14\} с при x=0. 03, и далее практически не меняется. |
Улашкевич, Ю. В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В. Голубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 324-328
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические образцы -- моносульфид самария -- инфракрасные спектры отражения -- тензорезистивный эффект -- отжиг Аннотация: На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm[1+x]S, лежащими внутри области гомогенности (0=? x= ? 0. 17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см\{-1\} в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см\{-1\}, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами \{7\}F[0]-\{7\}F[2] 4f-электронов ионов Sm\{2+\}. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В. |
Оптические свойства керамики BiFeO[3] в диапазоне частот 0. 3-30 THz [Текст] / Г. А. Командин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 684-692. - Библиогр.: с. 692 (40 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): инфракрасные спектры отражения -- инфоракрасные спектры пропускания -- мультиферроики -- феррит висмута -- субмиллиметровая спектроскопия -- спектроскопия Аннотация: Измерены инфракрасные спектры отражения и пропускания керамических образцов BiFeO3 в диапазоне частот 5-1000 cm{-1} и интервале температур 10-500 K с использованием техники субмиллиметровой спектроскопии на основе ламп обратной волны и инфракрасной Фурье-спектроскопии. Впервые методом инфракрасной спектроскопии в области 10-30 cm{-1} зарегистрированы новые резонансные моды (вероятно, магнитной природы), собственные частоты которых уменьшаются с ростом температуры, и обнаружено дополнительное поглощение (30-60 cm{-1}) с довольно большим диэлектрическим вкладом. Показано, что соответствующие ему осцилляторы взаимодействуют как с наиболее низкочастотной фононной модой, так и с магнитной подсистемой. Доп.точки доступа: Командин, Г. А.; Торгашев, В. И.; Волков, А. А.; Породников, О. Е.; Спектор, И. Е.; Буш, А. А. |