539.2 С 136 Савотченко, С. А. Особенности плотности квазилокальных состояний при наличии дефектов в средах с пространственной дисперсией [Текст] / С. А. Савотченко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.15 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): дефекты -- квазилокальные состояния -- квазичастицы -- пространственная дисперсия Аннотация: Проведен анализ плотности стационарных квазилокальных состояний сплошного спектра, возникающих за счет наличия дефектов в среде с пространственной дисперсией. Изучено влияние плоского и точечного дефектов на особенности спектральной плотности квазилокальных состояний. Показано, что спектральная плотность имеет строгий максимум вследствие наличия квазилокального уровня энергии в системе. В случае плоского дефекта энергия квазилокального уровня смещена относительно резонансной энергии полного отражения квазичастицы от дефекта. Проанализировано влияние квазилокального состояния на электронную теплоемкость при наличии точечного дефекта Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |
621.3 Л 186 Лайхо, Р. О квазилокальных состояниях Sn в Bi[2]Te[3] на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях [Текст] / Р. Лайхо, С. А. Немов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 565-569 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Bi[2]Te[3] -- квазилокальные состояния -- гальваномагнитные эффекты -- магнитное поле -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- энергетический спектр Дрэббла-Вольфа -- Дрэббла-Вольфа энергетический спектр -- осциляции Шубникова-де-Гааза -- Шубникова-де-Гааза осциляции Аннотация: В монокристаллах p-Bi[2]Te[3] с высоким содержанием примеси Sn, выращенных методом Чохральского, исследованы гальваномагнитные свойства в классических и квантующих магнитных полях до 12 Тл при ориентации магнитного поля вдоль тригональной оси C[3]. Экспериментально и теоретически исследованы зависимости коэффициента Холла и поперечного магнитосопротивления от магнитного поля. Для шестиэллипсоидной модели энергетического спектра Дрэббла-Вольфа предложен и апробирован для кристаллов Bi[2]Te[3] : Sn метод оценки холл-фактора и холловской подвижности носителей заряда на основе магнитополевой зависимости коэффициента Холла. Наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза и холловской компоненты тензора сопротивления ро[xy] при температурах T=4. 2 и 11 K. Получены новые свидетельства в пользу существования частично заполненной электронами узкой полосы примесных состояний Sn на фоне зонного спектра легких дырок. Сделаны оценки параметров примесных состояний: их энергия E[Sn]? 15 мэВ уширение Г << kT, радиус локализации примесного состояния R? 30?. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Лашкул, А. В.; Лахдеранта, Э.; Свечникова, Т. Е.; Дворник, Д. С. |
Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe (Na+Te) [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1195-1198 : ил. - Библиогр.: с. 1198 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): межзонное рассеяние -- МР -- резонансное рассеяние -- спектры -- электронные спектры -- теллурид свинца -- PbTe -- дырки квазилокальных состояний -- квазилокальные состояния -- электропроводность -- термоэдс -- число Лоренца -- Лоренца число -- валентные зоны -- акцепторные примеси -- Na+Te -- температура -- эксперименталные данные -- рассеяние носителей тока Аннотация: В рамках двузонной модели с учетом межзонного рассеяния проведены расчеты концентрационных зависимостей кинетических коэффициентов в PbTe{Na + Te) в диапазоне 100-300 К. Результаты сопоставления расчетных и экспериментальных данных для температур ~ 100 К имеют противоречивый характер. Преодолеть эти трудности позволяет предположение о существовании в энергетическом спектре дырок квазилокальных состояний, связанных с введением Na + Те. Резонансное рассеяние носителей тока в эти состояния вносит как количественные (электропроводность), так и качественные (термоэдс, число Лоренца) изменения в температурное и концентрационное поведение транспортных свойств. На основании анализа результатов делается вывод, что роль резонансного рассеяния при низких температурах является основной. Предложен механизм образования квазилокальных состояний в валентной зоне материалов данной группы. Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
621.3 Л 385 Легирование твердого раствора Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te[3] примесью Sn [Текст] / М. К. Житинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1021-1025 : ил. - Библиогр.: с. 1024 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- легирование примесью Sn -- удельная электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- температурные зависимости -- олово -- Sn -- кинетические коэффициенты -- квазилокальные состояния -- валентные зоны -- дырки (физика) -- запрещенные зоны -- примесные состояния -- акустические фононы Аннотация: В твердом растворе (Bi[1. 9]Sb[0. 1]) [1-x]Sn[x]Te[3] с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность sigma[11], коэффициенты Холла R[123] и R[321], коэффициенты Зеебека S[11] и S[33], коэффициенты Нернста-Эттингсгаузена Q[123] и Q[321]. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te3. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок md, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K (E[g0]=0. 20-0. 25 eV), энергии примесных состояний (E[Sn]~40-45 meV) и параметра рассеяния (r~ 0. 1-0. 4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1021-1025.pdf Доп.точки доступа: Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтаров, В. Р.; Свечникова, Т. Е. |