537 Б 890 Брудный, В. Н. (???? 1). Закрепление уровня ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиционное модифицирование [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 43 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): пластическая деформация -- уровень Ферми -- электронный химпотенциал Аннотация: Представлены обзор современного состояния проблемы закрепления уровня Ферми в полупроводниках для различных физических явлений и результаты оригинальных экспериментальных и теоритических исследований данного вопроса для границ раздела, кластеров и радиционных дефектов в большой группе полупроводников Доп.точки доступа: Гриняев, С.Н. (???? 1); Колин, Н.Г. (???? 1) |
537 К 739 Коуров, Н. И. Эволюция электронных свойств в сплавах Ti[50]Ni[50-x]Me[x] (Me = Cu, Ni, Co, Fe, Mn) с эффектом памяти формы [Текст] / Н. И. Коуров, В. Г. Пушин, А. В. Королев // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 97, N 5. - Библиогр.: с. 32-33 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электронные свойства -- сплавы -- титан -- никель -- медь -- железо -- кобальт -- электросопротивление -- термоЭДС -- мартенситные превращения -- легирование -- уровень Ферми -- интерметаллиды Аннотация: В интервале температур 2-400 К проведены исследования магнитной восприимчивости, электросопротивления и термоэдс сплавов Ti[50]Ni[50-x] (Me = Cu, Ni, Co, Fe, Mn) . Рассматривается изменение электронной зонной структуры вблизи уровня Ферми при мартенситных превращениях. Доп.точки доступа: Пушин, В. Г.; Королев, А. В. |
530.1 И 269 Игошев, П. А. Магнитные флуктуации и формирование ферромагнетизма в двумерных системах с сингулярностями Ван Хова [Текст] / П. А. Игошев, А. А. Катанин, В. Ю. Ирхин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 5. - С. 1187-1202. - Библиогр.: с. 1201-1202 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Ферромагнетизм -- Уровень Ферми -- Двумерные системы -- Ферми уровень -- Сингулярости Ван Хова -- Ван Хова сингулярности -- Магнитные флуктуации Аннотация: Анализируется критерий ферромагнетизма двумерных систем с уровнем Ферми вблизи сингулярностей Ван Хова. Доп.точки доступа: Катанин, А. А.; Ирхин, В. Ю. |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
621.3 П 484 Поклонский, Н. А. Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам,. локализующим. уровень Ферми [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1317-1323 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): эффект поля -- электрическая емкость кристаллов -- прыжковая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Проведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1), (0) и (-1),. локализующим. уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния. Доп.точки доступа: Вырко, С. А.; Забродский, А. Г. |
621.3 Б 890 Брудный, В. Н. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках [Текст] / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1031-1040 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- облученные полупроводники -- электрофизические свойства -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- тетраэдрические полупроводники -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона Аннотация: Развита модель для численного анализа электрофизических свойств и оценки стационарного (предельного) положения уровня Ферми (F[lim]) в тетраэдрических полупроводниках, облученных частицами высоких энергий. Приведены экспериментальные величины F[lim], расчетные значения. E[G]. /2 и данные по электрофизическим свойствам облученных полупроводников. Проанализированы химические тенденции в изменении величины Flim в группах полупроводников с родственным типом химической связи. Доп.точки доступа: Колин, Н. Г.; Смирнов, Л. С. |
621.3 С 429 Скипетров, Е. П. Переход металл-диэлектрик в сплавах Pb[1-x]Ge[x]Te, легированных хромом [Текст] / Е. П. Скипетров, Ф. А. Пакпур, Н. А. Пичугин, В. Е. Слынько // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1053-1057 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): сплавы -- Pb[1-x]Ge[x]Te -- электрофизические свойства -- легирование -- хром -- переход металл-диэлектрик -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- двухзонный закон дисперсии Кейна -- Кейна двухзонный закон дисперсии Аннотация: Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb[1-x]Ge[x]Te (x=0. 02-0. 13), легированных хромом. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов и переход металл-диэлектрик при увеличении концентрации германия в сплаве, связанные со стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем хрома и перетеканием электронов из зоны проводимости на примесный уровень. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от содержания германия в сплаве. Определена скорость движения уровня хрома относительно дна зоны проводимости и предложена модель перестройки электронной структуры при изменении состава матрицы. Доп.точки доступа: Пакпур, Ф. А.; Пичугин, Н. А.; Слынько, В. Е. |
621.3 Н 624 Никитина, А. Г. Бистабильные амфотерные центры с обратным порядком электронных уровней в полупроводнике [Текст] / А. Г. Никитина, авт. В. В. Зуев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 549-554 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): амфотерные центры -- бистабильные амфотерные центры -- электронные уровни -- полупроводники -- концентрация свободных носителей -- энергия активации проводимости -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Изучено влияние бистабильности амфотерных центров с отрицательной корреляционной энергией на концентрацию свободных носителей. Обнаружено, что в случае отсутствия компенсирующей примеси, в определенном интервале температур концентрация свободных носителей не зависит от концентрации бистабильных амфотерных U\{-\}-центров. Энергия активации проводимости и положение уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника определяются не только такими электронными характеристиками центров, как энергия ионизации центра, но и параметрами перехода между двумя равновесными состояниями центра. Приведены результаты численного расчета температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике с бистабильными амфотерными U/{-/}-центрами для различных условий компенсации. Показано, что имеет место эффект зависимости наблюдаемой энергии активации темновой проводимости от степени компенсации. Доп.точки доступа: Зуев, В. В. |
621.315.592 Т 356 Теруков, Е. И. Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, А. В. Зайцева, П. П. Серегин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1434-1439 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): германий -- двухэлектронные донорные центры -- халькогениды свинца -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта \{73\}Ge, возникающего в анионных подрешетках PbS, PbSe и PbTe после радиоактивного превращения \{73\}As, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как в катионных подрешетках PbS и PbSe центр \{73\}Ge представляет собой двухэлектронный донор с отрицательной корреляционной энергией: в образцах n-типа мессбауэровский спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge\{2+\}), в а образцах p-типа - двукратно ионизованному состоянию (Ge\{4+\}) этого центра. Для частично компенсированных образцов PbSe реализуется быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{119\}Sn продемонстрировано, что в PbS и PbSe энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова. Доп.точки доступа: Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Серегин, П. П. |
539.2 Е 700 Еремеев, С. В. Исследование границ раздела сплав Гейслера - полупроводник [Текст] / С. В. Еремеев, С. С. Кульков, С. Е. Кулькова // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 250-260. - Библиогр.: с. 260 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сплав Гейслера -- Гейслера сплав -- спиновая поляризация -- полупроводники -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Методами теории функционала электронной плотности исследованы электронная структура и магнитные свойства возможных типов контактов на границе раздела (001) между сплавами Гейслера составов XYZ и X[2]YZ (NiMnSb и Co[2]MnSi) и полупроводниками III-V групп (InP и GaAs). Показано, что в обоих случаях максимальная спиновая поляризация достигается на контактах Ni/P (As) или Co/As. Исследовано влияние структурных дефектов на поверхности и границах раздела на спиновую поляризацию на уровне Ферми. Проведен анализ природы состояний на границе раздела сплав Гейслера - полупроводник и электронных факторов, способствующих потере или сохранению полуметаллического поведения на рассмотренных контактах. Расчеты локальных магнитных моментов показали, что магнитные свойства контактных атомов не изменяются значительно на границах раздела вследствие частичной компенсации их координации за счет атомов полупроводника. Увеличение степени спиновой поляризации может быть достигнуто за счет легирования на подрешетке X-элемента. Доп.точки доступа: Кульков, С. С.; Кулькова, С. Е. |
539.2 М 420 Медведева, Н. И. Моделирование структурных, электронных и магнитных свойств бороцементитов Fe[3]C[1-x]B[x] [Текст] / Н. И. Медведева, И. Р. Шеин, О. Ю. Гутина, А. Л. Ивановский // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 12. - С. 2192-2195. - Библиогр.: с. 2195 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бороцементиты железа -- валентные полосы -- магнитный момент -- метод функционала электронной плотности -- намагниченность -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: В рамках неэмпирического метода функционала электронной плотности выполнен анализ структурных, электронных, магнитных свойств и энтальпии образования для бороцементитов железа Fe[3]C[1-x]B[x] при x = 0, 0. 25, 0. 5, 0. 75 и 1. Установлено, что параметр орторомбической решетки a линейно возрастает, а параметры b и c убывают с увеличением концентрации бора. Плотность состояний на уровне Ферми меняется слабо, а основные изменения в зонной структуре происходят в области дна валентных полос. Магнитный момент на атомах железа и полная намагниченность и стабильность фаз Fe[3]C[1-x]B[x] линейно возрастают с ростом концентрации бора. Доп.точки доступа: Шеин, И. Р.; Гутина, О. Ю.; Ивановский, А. Л. |
Луцкий, В. Н. Скачки контактной разности потенциалов в магнитном поле и электронный энергетический спектр сверхрешеток [Текст] / В. Н. Луцкий // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 397, N 2. - С. 191-192 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): контактные разности потенциалов -- сверхрешетки -- магнитные поля -- энергетические спектры -- уровни Ландау -- уровень Ферми -- электроны -- Ландау уровни -- Ферми уровень Аннотация: Показано каким образом особенности поведения контатной разности потенциалов могут быть использованы для определения микроскопических параметров сверхрешеток: ширины разрешенных и запрещенных мини-зон, циклотронной эффективной массы, концентрации электронов. |
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1126-1130 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитофотолюминесценция -- двумерные гетероструктуры -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Исследована магнитофотолюминесценция в спектральном диапазоне 0. 3-0. 8 эВ в одиночной разъединенной гетероструктуре II типа n-Ga[0. 94]In[0. 06]As[0. 13]Sb[0. 87]/p-InAs с двумерным электронным каналом на гетерогранице, содержащим две заполненные электронные подзоны, в сильных магнитных полях до 10 T при низких температурах (T=7 K). Оценено значение эффективной массы электронов в заполненной подзоне E2 (m2=0. 027m0), которая близка к значению эффективной массы на дне зоны проводимости InAs. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П.; Королев, К.; Meinning, C.; McCombe, B. |
Поклонский, Н. А. Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами) [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1420-1425
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсированные полупроводники -- электрическая емкость -- прыжковая миграция электронов -- кремний -- радиационные дефекты -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Проведен расчет низкочастотной электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой миграции как одиночных электронов, так и биполяронов (пар электронов) по дефектам одного сорта (типа), "стабилизирующим" уровень Ферми в окрестности середины запрещенной энергетической зоны. Рассматриваются кристаллы с двухуровневыми дефектами в трех зарядовых состояниях (+1, 0, -1) либо с положительной, либо с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что с ростом абсолютной величины внешнего потенциала емкость кремния, содержащего дефекты с положительной корреляционной энергией, увеличивается, а содержащего дефекты с отрицательной корреляционной энергией - уменьшается. Впервые записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). Доп.точки доступа: Вырко, С. А.; Забродский, А. Г. |
Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- диод Шоттки -- метод вольт-амперных характеристик -- метод вольт-фарадных характеристик -- поверхностно-электронные состояния -- приповерхностная область арсенида галлия -- селен -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- Шоттки диод Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми. Доп.точки доступа: Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.; Bhatmager, Р. К.; Mathur, Р. С. |
Комолов, С. А. Формирование и электронные свойства интерфейса между органическим материалом на основе тетрафенил бипиридина и поверхностью оксида цинка [Текст] / С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, И. С. Бузин // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 28-34
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): органические пленки -- термическое осаждение -- неорганический полупроводник -- электронные состояния в пленке -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- формирование интерфейса Аннотация: Начальная стадия формирования органического покрытия N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenylbezidine (TPD) на кристаллической поверхности исследована в процессе термического осаждения молекул TPD в условиях высокого вакуума с использованием низкоэнергетической спектроскопии полного тока (СПТ). Изменение работы выхода и плотности незаполненных электронных состояний в энергетическом диапазоне 0-20 eV выше уровня вакуума прослежено при увеличении толщин органического покрытия до 8 nm. Определено энергетическое положение зон незаполненных электронных состояний в пленке TPD: пи*-зона в интервале 7-9 eV, сигма*[1]-зона - 10-12 eV, сигма*[2]-зона - 14-16 и 18-20 eV выше уровня Ферми. Доп.точки доступа: Лазнева, Э. Ф.; Бузин, И. С. |
Silaev, M. A. Spectrum of bound fermion states on vortices in \{3\}He-B [Text] / M. A. Silaev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 5. - С. 433-439
Рубрики: Физика Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): фермионы -- связанные фермионы -- спектр фермионов -- вырождение спина -- квантование вихрей -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- аномальные ветви |
Kuchinskii, E. Z. Anion height dependence of T[c] and density of states in iron based superconductors [Text] / E. Z. Kuchinskii, I. A. Nekrasov, M. V. Sadovskii // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 10. - С. 567-571
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- формула Аллена-Дайнса -- Аллена-Дайнса формула -- фононные частоты Доп.точки доступа: Nekrasov, I. A.; Sadovskii, M. V. |
Хачатурова, Т. А. Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков [Текст] / Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 442-445
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спиновая фильтрация -- спиновые фильтры -- туннельные переходы -- двойные туннельные переходы -- двухзонные модели -- магнитные диэлектрики -- края валентной зоны -- валентные зоны -- изоляторы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Белоголовский, М. А.; Хачатуров, А. И. |
Shein, I. R. Electronic structure, Fermi surface and elastic properties of the new 7. 5 K superconductor Nb[2]InC from first principles [Text] / I. R. Shein, A. L. Ivanovskii // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 446-450
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- электронная структура -- упругие свойства -- модуль Юнга -- Юнга модуль -- поверхности Ферми -- Ферми поверхности -- уровень Ферми -- Ферми уровень Доп.точки доступа: Ivanovskii, A. L. |