669.018 Н 37 Нащекин, А. В. Формирование кластеров при синтезе наноструктурных пленок C[60]-CdTe [Текст] / А. В. Нащекин, А. Г. Колмаков, Г. В. Встовский, Е. Е. Баранов // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 4. - С. 26-34 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Техника--Материаловедение Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): кластеры; наноструктурные пленки; синтез наноструктурных пленок; композитные пленки; двумерные фотоновые кристаллы; поверхности композитных пленок; пленочные материалы; кластеризация; наноматериалы; формирование кластеров; топографическая структура композитных пленок; полупроводниковые материалы Аннотация: Методами информационной интерпретации мультифрактального формализма и анализа кривизны структурных функций исследовано формирование кластеров в топографической структуре поверхности композитных пленок C[60]-CdTe толщиной 200-600 нм. Доп.точки доступа: Колмаков, А. Г.; Встовский, Г. В.; Баранов, Е. Е. |
539.2 В 58 Власенко, А. И. Генерация дислокаций в варизонных гетеросиситемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста [Текст] / А. И. Власенко, З. К. Власенко, И. В. Курило, И. А. Рудый // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 3. - С. 436-442. - Библиогр.: с. 441-442 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): варизонные гетеросистемы; гетеросистемы; дислокации; микротвердость; твердые растворы; эпитаксиальный рост Аннотация: На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др. ) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности. Доп.точки доступа: Власенко, З. К.; Курило, И. В.; Рудый, И. А. |
539.2 В 49 Виноградов, В. С. Проявление эффектов взаимодействия в спектрах рамановского рассеяния слоев квантовых точек CdTe с узкими барьерами ZnTe [Текст] / В. С. Виноградов, Л. К. Водопьянов, Г. Карчевски, Н. Н. Мельник // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 902-905. - Библиогр.: с. 905 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые точки; колебательные моды; полупроводниковые микроструктуры; рассеяние слоев квантовых точек; сверхрешетки; спектры рамановского рассеяния Аннотация: Исследованы спектры рамановского рассеяния света сверхрешеток из слоев самоорганизующихся квантовых точек CdTe, разделенных узкими барьерами ZnTe в 10 и 5 монослоев. В области колебательных мод CdTe кроме полос около 120 и 140 cm{-1}, наблюдавшихся ранее в спектрах образцов с более широкими барьерами (25 и 12 монослоев) , присутствовала также полоса около 147 cm{-1}. Эта полоса объясняется симметричной модой колебаний пары квантовых точек, в которой колебания их дипольных моментов происходят навстречу друг другу. Подобного типа модой колебаний материала, окружающего квантовую точку (ZnTe) , можно объяснить сдвиг полосы около 200 cm{-1} вблизи LO моды ZnTe в низкочастотную сторону. Доп.точки доступа: Водопьянов, Л. К.; Карчевски, Г.; Мельник, Н. Н. |
539.23:621.382 С 31 Сенокосов, Э. А. Электрическая неустойчивость в слоях n - CdTe : In C S - образными вольт - амперными характеристиками [Текст] / Э. А. Сенокосов, А. Л. Макаревич, В. В. Сорочан // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 6. - С. 28-30. - Библиогр.: с. 30 (7 назв. ) . - ISSN 0021 - 34
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): электрическая неустойчивость; поликристалл; пороговые параметры; вакуумное осаждение; физика полупроводников; физика диэлектриков Аннотация: Приведены результаты исследования переключения S - типа в поликристаллических слоях n - CdTe : In толщиной 20 - 500 мкм и сопротивлением 10{3} - 10{6} Ом / см. Отмечено, что в основе электрической неустойчивостислоев лежит механизм электронно - теплового пробоя. Зависимость пороговых параметров переключения от интенсивности засветки может быть использована для создания на основе слоев n - CdTe : In электрических переключателей, управляемых ИК - светом. Доп.точки доступа: Макаревич, А. Л.; Сорочан, В. В. |
53.07 Р 27 Рахимов, Н. Р. Координатно-чувствительный приемник оптического излучения на основе пленок с аномальным фотонапряжением [Текст] / Н. Р. Рахимов, авт. А. Н. Серьезнов // Приборы и техника эксперимента. - 2005. - N 4. - С. 125-126. - Библиогр.: с. 126 (4 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): приемники; координатно-чувствительные приемники; тонкие пленки; полупроводниковые соединения; CdTe; фотонапряжение Аннотация: Описана технология изготовления в лабораторных условиях координатно-чувствительных приемников оптического излучения на основе тонких пленок из полупроводниковых соединений типа CdTe. Доп.точки доступа: Серьезнов, А. Н. |
621.3.08 К 231 Каримов, М. А. Спектры тока короткого замыкания фотовольтаических пленок CdTe, CdTe: In [Текст] / М. А. Каримов, авт. Н. Х. Юлдашев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 73-74 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): фотовольтаические пленки CdTe, CdTe: In; спектральная область; короткое замыкание; спектры тока; примесное поглощение Аннотация: Обнаружено, что генерация АФН в легированных косонапыленных тонких пленках CdTe: In вызывается светом из спектральной области как собственного, так и примесного поглощения. Проанализирован спектр фототока короткого замыкания в зависимости от температуры. Доп.точки доступа: Юлдашев, Н. Х. |
621.3 S 45 Sellin, P. J. IBIC characterization of charge transport in CdTe : Cl [Text] / P. J. Sellin, A. W. Davies [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 4. - С. 411-416. - Материалы конференции "International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): конференции -- международные конференции -- полупроводники -- микроструктуры на основе полупроводников -- зондовые методы исследования Доп.точки доступа: Davies, A. W.; Boroumand, F.; Lohstroh, A.; Ozsan, M. E.; Parkin, J.; Veale, M. |
621.3 К 480 Клевков, Ю. В. Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe [Текст] / Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 670-673 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поликристаллы -- нелегированные высокоомные поликристаллы -- высокоомные поликристаллы -- теллурид кадмия -- электрофизические свойства Аннотация: Исследованы транспортные свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe, выращенных по новой технологии. Определены характерные особенности температурных зависимостей проводимости, фотопроводимости и дрейфа ноcителей в этих поликристаллах. Полученные результаты лишь частично укладываются в рамки общепринятых представлений. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Плотников, А. Ф. |
539.2 В 191 Васильев, Р. Б. ИК-активные колебательные моды коллоидных квантовых точек CdTe, CdSe, наночастиц ядро/оболочка CdTe/CdSe и эффекты взаимодействия [Текст] / Р. Б. Васильев, В. С. Виноградов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 3. - С. 523-526. - Библиогр.: с. 526 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ИК-активные колебательные моды; квантовые точки; колебательные моды квантовых точек; наночастицы; поперечные фононы; продольные фононы; частоты мод Аннотация: Методами ИК-пропускания и отражения определены частоты колебательных мод квантовых точек CdTe, CdSe и наночастиц ядро/оболочка CdTe/CdSe, синтезированных методом коллоидной химии. Экспериментальный спектр ИК-пропускания нанокристаллов CdTe и CdSe имеет широкий минимум, расположенный между частотами поперечных (TO) и продольных (LO) фононов объемных кристаллов CdTe и CdSe. Частоты мод ансамблей кантовых точек CdTe, CdSe существенно сдвинуты в низкочастотную сторону по сравнению с рассчитанными для изолированных квантовых точек, что объясняется диполь-дипольным взаимодействием между квантовыми точками. Частоты мод структур с наночастицами ядро/оболочка мало отличаются от рассчитанных, что свидетельствует об ослаблении взаимодействия в этих структурах. Это объясняется увеличением в них диэлектрического экранирования. Доп.точки доступа: Виноградов, В. С.; Дорофеев, С. Г.; Козырев, С. П.; Кучеренко, И. В.; Новикова, Н. Н. |
621.3.08 К 231 Каримов, М. А. Стимулирование фотовольтаических свойств косонапыленных пленок CdTe методом легирования индием [Текст] / М. А. Каримов // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 88-89. - Библиогр.: с. 89 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): аномально фотовольтаический эффект; косонапыленные пленки CdTe; легирование индием; метод легирования индием; пленки CdTe; фотовольтаические свойства Аннотация: В данной работе исследован аномально фотовольтаический эффект в легированных примесями In, Cl тонких поликристаллических слоях CdTe с целью повышения рабочей мощности пленок как источника фотоЭДС и выяснения роли фоточувствительных центров в генерации АФН. |
539.2 М 690 Михайлов, В. И. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 2. Cd, Te[2], Te, CdTe [Текст] / В. И. Михайлов, Л. Е. Поляк, В. М. Каневский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 11. - С. 48-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- наноструктуры -- масс-спектрометрия -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Приведены данные исследований поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Измерения кинетических параметров проведены с модулированными молекулярными пучками Cd и Те[2] интенсивностью 0. 1-5. 0 м/с при температурах кристалла 550-730 К. Экспериментальные результаты обработаны по модели, в которой процессы конденсации и испарения происходят через стадии адсорбции и десорбции. Скорости десорбции составили для Те[2] 2-15 с\{-1\}, для Cd >150 с\{-1\}. Энергия активации процесса "испарения" CdTe равна 1. 2 эВ; энергии десорбции E[d] (Cd) = 1. 0 эВ и E[d] (Te[2]) = 0. 3 эВ. Получены оценки заполнения адсорбционного слоя атомами кадмия и молекулами теллура: n (Cd) < 0. 01, n (Те[2]) = 0. 02-0. 20 и n (Те) = 0. 2-1. 0. Доп.точки доступа: Поляк, Л. Е.; Каневский, В. М. |
539.2 М 690 Михайлов, В. И. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe. Часть I: Cd, Te[2], CdTee [Текст] / В. И. Михайлов, Л. Е. Поляк, В. М. Каневский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 53-58 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- масс-спектрометрия -- CdTe -- Cd -- Te[2] -- наноструктуры -- адсорбция -- десорбция -- конденсация -- испарение -- диффузия Аннотация: Приведены данные исследований поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров использовались модулированные молекулярные пучки Cd и Te[2]. Эксперименты проведены при температуре кристалла в диапазоне 600-730 К. Результаты обработаны по модели, в которой процессы конденсации и испарения происходят через стадии адсорбции и десорбции. Скорость десорбции составила для Te[2] 2-10 c\{-1\}, для Cd более 30 с\{. 1\}. Определены значения энергии активации процесса испарения, энергии десорбции. Получены оценки величин заполнения адсорбционного слоя. Доп.точки доступа: Поляк, Л. Е.; Каневский, В. М. |
621.3 У 932 Ушаков, В. В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 140-143 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы CdTe -- CdTe -- теллурид кадмия -- фотолюминесценция Аннотация: Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах ~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до 0. 5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
621.3 З-177 Зайцев, С. В. Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1357-1362 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): селективная интердиффузия -- квантовые точки -- квантовые ямы -- гетероструктуры Аннотация: Индивидуальные квантовые точки реализованы методом селективной интердиффузии между барьерами и слоем квантовой ямы CdTe/CdMgTe. Гетероструктура с предварительно нанесенной на поверхность маской SiO[2], содержащей открытые апертуры диаметром вплоть до 140 нм, была подвергнута кратковременному отжигу в течение одной минуты при температуре 410\{o\}C. Отжиг вызывает диффузию атомов Mg в глубь квантовой ямы, существенно усиленную под маской. Возникший латеральный потенциал с минимумами в области апертур маски эффективно локализует носители, образующие квазинульмерные экситоны. Изучение излучательной рекомбинации свидетельствует о полной пространственной локализации экситонов, что проявляется в существенном сужении ширины линии экситонного перехода, а также наблюдении биэкситона и возбужденных состояний при высоких уровнях фотовозбуждения. Характерные значения энергий межуровневого расщепления и энергии связи биэкситона указывают на режим слабой локализации носителей в квантовых точках. Доп.точки доступа: Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г. |
621.3 С 284 Седова, И. В. Структуры с квантовыми точками CdSe в матрице ZnSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием субмонослоя-стрессора CdTe [Текст] / И. В. Седова, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1363-1369 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- субмонослои-стрессоры -- наноструктуры -- фотолюминесценция Аннотация: Представлен способ формирования квантовых точек CdSe в матрице ZnSe, основанный на введении субмонослоя соединения-стрессора CdTe (рассогласование параметров решетки Дельта a/a ? 14% для CdTe/ZnSe), осаждаемого на поверхность матрицы непосредственно перед осаждением материала квантовых точек. Стрессор формирует на поверхности ZnSe мелкие напряженные островки, задавая локальные поля сильных упругих напряжений, управляющих процессом самоформирования квантовых точек. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, этот способ позволяет значительно увеличить поверхностную плотность квантовых точек при некотором уменьшении их латерального размера (до 4. 5. 1. 5 нм). Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Сорокин, С. В.; Ситникова, А. А.; Торопов, А. А.; Donatini, F.; Le Si Dang; Иванов, С. В. |
621.3 Г 694 Горкавенко, Т. В. Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe [Текст] / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, В. А. Макара, Л. Н. Русина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 908-916 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения типа вюртцита -- зонная структура -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия актуальных экстремумов -- температурные зависимости -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона -- факторы Дебая-Валлера -- Дебая-Валлера факторы Аннотация: Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости энергии актуальных экстремумов в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, а также энергий основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая-Валлера, а вклад линейного расширения решетки - через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергий уровней, межзонных переходов и температурных коэффициентов. Рассматриваются вопросы применимости полученных данных. Доп.точки доступа: Зубкова, С. М.; Макара, В. А.; Русина, Л. Н. |
621.315.592 Б 181 Байдуллаева, А. Влияние процесса плавления на акустический отклик соединений CdTe и GaAs при импульсном лазерном облучении [Текст] / А. Байдуллаева, В. П. Велещук [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 286-290 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностное плавление -- импульсное лазерное облучение -- акустический отклик -- CdTe -- GaAs Аннотация: Рассмотрено влияние порогового процесса поверхностного плавления на акустический отклик в соединениях CdTe и GaAs при импульсном лазерном облучении, и проанализированы механизмы возбуждения звуковых сигналов. Установлены пороги плавления поверхности бинарных соединений CdTe и GaAs при облучении импульсами наносекундной длительности рубинового и неодимового лазеров по измерению амплитуды акустического отклика. Доп.точки доступа: Велещук, В. П.; Власенко, А. И.; Даулетмуратов, Б. К.; Ляшенко, О. В.; Мозоль, П. Е. |
621.315.592 В 526 Вирт, И. С. CdTe как пассивирующий слой в гетероструктуре CdTe/HgCdTe [Текст] / И. С. Вирт, И. В. Курило [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 788-792 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пассивирующий слой -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифракция Аннотация: Исследовались гетероструктуры CdTe/Hg[1-x]Cd[x]Te, где CdTe используется как пассивирующий слой, осаждаемый в виде поликристалла или монокристалла на монокристаллическую пленку Hg[1-x]Cd[x]Te. Пленку и пассивирующий слой получали в едином технологическом процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Структуру пассивирующих слоев исследовали методом дифракции электронов высоких энергий на отражение, а влияние структуры пассивирующего слоя на свойства активного слоя - методом рентгеновской дифракции. Механические свойства гетероструктур исследованы методом микротвердости. Представлены электрофизические и фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te. Доп.точки доступа: Курило, И. В.; Рудый, И. А.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.; Смирнов, Р. Н. |
539.2 В 493 Виноградов, В. С. Спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe и их связь с технологией изготовления [Текст] / В. С. Виноградов, Г. Карчевски [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 159-162. - Библиогр.: с. 162 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): комбинационное рассеяние света -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводники -- квантовые точки -- теллур -- коллоидные нанокристаллы -- метод микроразмалывания -- спектры комбинационного рассеяния света Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe, полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, коллоидной химии и микроразмалывания. Во всех спектрах локализованные продольные фононы. По зависимости частоты локализованного фонона от толщины барьера ZnTe в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe восстановлена дисперсионная зависимость продольного фонона в ZnTe. Спектры комбинационного рассеяния света ансамблей коллоидных квантовых точек отличаются от остальных отсутствием полос теллура, а также значительной интенсивностью полосы продольного фонона CdTe. Выявлена зависимость спектров от технологии изготовления структур с квантовыми точками. Доп.точки доступа: Карчевски, Г.; Кучеренко, И. В.; Мельник, Н. Н.; Фернандес, П. |
539.2 К 959 Кучеренко, И. В. Спектры ИК-отражения структур с квантовым точками dTe/ZnTe и проявление в них свойств квантовых точек CdTe, а также эффектов взаимной диффузии [Текст] / И. В. Кучеренко, В. С. Виноградов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1488-1491. - Библиогр.: с. 1491 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузия; квантовые точки; локальные моды; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; спектры решеточного ИК-отражения; фрейлиховские моды; щелевые моды Аннотация: Исследованы спектры ИК-отражения структур из чередующихся слоев квантовых точек CdTe и барьеров ZnTe, выращенных на буферных слоях ZnTe и CdTe/ZnTe на подложке (001) GaAs. Проведен дисперсионный анализ спектров и найдены параметры осцилляторов. Квантовые точки проявляются в спектрах в виде широкой полосы с частотой, близкой к частоте фрелиховской моды. В спектрах обнаружены также свидетельства взаимной диффузии CdTe и ZnTe - полосы, связанные с локальной модой Zn в CdTe и двумя щелевыми модами Cd в ZnTe. Доп.точки доступа: Виноградов, В. С.; Карчевски, Г.; Новикова, Н. Н.; Чистелли Гауди, М.; Пиччинини, М. |