53 К 210 Караваев, Г. Ф. (???? 1). Вляние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах [Текст] / Г. Ф. Караваев, А. А. Воронков // Известия вузов. Физика. - 2003. - N1. - Библиогр: 42 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- резонанснотуннельные структуры -- уравнение Пуассона Аннотация: При помощи приближения самосогласованного поля электронов рассчитаны вольт-амперные характеристики, спектры прохождения и времени туннелирования электронов в полупроводниковых гетероструктурах в рамках модели эффективной массы и иследовано влияние сложного зонного спектра материалов Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Воронков, А.А. |
621.38 К 210 Караваев, Г. Ф. (???? 1). Метод огибающих функций для гетерострктур. Модели сшивания в применение для AlAs/Al[x]Ga[1-x](110 [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- гетероструктуры -- огибающие функции -- электронные свойства полупроводников Аннотация: В работе рассмотрены вопросы, связанные с применением метода огибающих функций для гетероструктур, а также проанализированы некоторые подходы при получении условий для огибающих функций Доп.точки доступа: Чернышов, В.Н. (???? 1) |
539.2 К 21 Караваев, Г. Ф. "Сверхрешеточная " модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 893-901. - Библиогр.: с. 901 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерограница; метод псевдопотенциала; огибающие волновые функции; период сверхрешетки; плавный интерфейсный потенциал; рассеяние; сверхрешеточная модель; туннелирование электронов Аннотация: На основе метода псевдопотенциала исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния в структурах GaAs/AlAs (001) . В предложенном подходе переходная область между GaAs и AlAs представлена слоем из половины периода сверхрешетки (AlAs) [2] (GaAs) [2], потенциал которого близок к истинному потенциалу вблизи гетерограницы. В этом случае междолинное смешивание происходит не на ее границе, как в модели с резко оборванным потенциалом, а на двух границах и в области переходного слоя. Показано, что учет плавного потенциала приводит к заметным изменениям при туннелировании электронов в структурах с тонкими слоями, причем особенно существенным в том случае, когда они происходят при участии коротковолновых X-состояний. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.2 К 210 Караваев, Г. Ф. Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика) Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.19 Г 856 Гриняев, С. Н. Туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с плавным потенциалом на гетерограницах [Текст] / С. Н. Гриняев, авт. Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 7-13. - Библиогр.: с. 13 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): гексагональная сверхрешетка; метод псевдопотенциала; плавный интерфейсный потенциал; туннелирование электронов; фано-резонансы Аннотация: На основе метода псевдопотенциала изучено влияние плавного интерфейсного потенциала на туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с тонкими слоями. Переходная область между компонентами структуры представлена половиной перехода гексагональной сверхрешетки (GaAs) [3] (AlAs) [3] (111). Показано, что по сравнению с моделью резкой границы учет плавного потенциала приводит к уменьшению Г-L-смешивания, сужению фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на границе GaAs/ AlAs (111). Возникающие сдвиги нижних Г- и L-резонансов в структурах с толщиной слоев <2 нм достигают значений ~0, 1 эВ и согласуются с поведением уровней в квантовых ямах. Результаты многозонного расчета коэффициента прохождения электронов с энергиями 0-0, 5 эВ от дна зоны проводимости GaAs близки к расчету, в котором учитывались только нижние состояния зоны проводимости сверхрешетки Г[1]{ (1) }, Г[1]{ (2) } и бинарных кристаллов Г[1], L[1], что указывает на возможность развития <двухдолинной> сверхрешеточной модели <плавной> границы GaAs/ AlAs (111). Доп.точки доступа: Караваев, Г. Ф. |
Караваев, Г. Ф. Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AIAs (001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 45-54. - Библиогр.: c. 53-54 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- псевдопотенциал -- сверхрешетки -- спектр сверхрешеток -- электронные спектры Аннотация: В рамках упрощенных моделей резкой и "плавной" гетерограниц рассмотрены связанные с г- и Хz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AIAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs) [m] (AIAs) [n] (001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели <плавной> границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.2 К 210 Караваев, Г. Ф. Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии. Доп.точки доступа: Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н. |
539.2 К 210 Караваев, Г. Ф. Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С. 92-99 : рис., табл. - Библиогр.: c. 99 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовая яма -- моделирование дырочных состояний -- моделирование электронных состояний -- псевдопотенциалы -- уровень энергии -- условная сшивания Аннотация: Проведены псевдопотенциальные расчеты электронных и дырочных состояний для различных наноструктур на основе GaN/InGaN (0001) в приближении разрывного на гетерограницах потенциала. На основе данных расчетов предложена модель для упрощенного описания этих состояний, которая включает в себя 14-зонную систему уравнений kр-теории и приближенные условия сшивания на гетерограницах. Сравнение результатов, полученных с помощью псевдопотенциальных расчетов и на основе упрощенной модели, свидетельствует о хорошей точности предложенной модели. Доп.точки доступа: Чернышов, В. Н. |
539.21:535 К 210 Караваев, Г. Ф. Релятивистские поправки в теории наноструктур / Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 92-98. - Библиогр.: c. 98 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): Дирака уравнение -- Паули уравнение -- гетероструктуры -- квантовая яма -- спиновое расщепление -- спиновые свойства носителей заряда -- теория наноструктур -- уравнение Дирака -- уравнение Паули -- уровень энергии -- условия сшивания Аннотация: На примере простой, точно решаемой модели потенциальной ямы, сформированной тремя кусочнопостоянными потенциалами, показано, что спиновое расщепление электронных уровней (эффект Рашбы) существует лишь при приближенном описании в рамках уравнения Паули. Точное решение задачи на основе уравнения Дирака показывает, что такого расщепления уровней в потенциальной яме нет. Этот результат получен как аналитически, так и численно. Показано, что он справедлив для произвольных систем кусочно-постоянных потенциалов, формирующих потенциальную яму. |