539.2 П 92 Пчеляков, О. П. Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей [] / О. П. Пчеляков, А. В. Двуреченский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 63-66. - Библиогр.: с. 66 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуум; галлий; германий; гетероструктуры; композиции; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; молекулярные пучки; мышьяк; наногетероструктуры; нанофотоника; полупроводники; преобразователи; пучки; сверхвысокий вакуум; тонкопленочные композиции; фотоэлектрические преобразователи; эпитаксия Аннотация: Проведен анализ состояния технологических разработок в области синтеза из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, который является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Паханов, Н. А.; Соколов, Л. В.; Чикичев, С. И.; Якимов, А. И. |
669 Л 68 Лобов, И. Д. Магнитооптические и магнитные свойства наногетероструктур Fe/ZnTe/Fe: проявление межслоевого обменного взаимодействия [Текст] / И. Д. Лобов, В. М. Маевский [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2006. - Т. 102, N 2. - С. 162-170. - Библиогр.: с. 170 (27 назв. ). - Проявление межслоевого обменного взаимодействия . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): магнитооптические свойства; магнитные свойства; наногетероструктуры; межслоевое взаимодейстие; Fe/ZnTe/Fe Аннотация: Изучены магнитооптические и магнитные свойства бислоев Fe/ZnTe и сэндвичей Fe/ZnTe/Fe, приготовленных магнетронным распылением на поджложки Si (100) при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Маевский, В. М.; Кириллова, М. М.; Королев, А. В.; Пудонин, Ф. А. |
539.2 П 874 Птицын, В. Э. Аномальная термополевая эмиссия [Текст] / В. Э. Птицын // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 4. - С. 113-118. - Библиогр.: c. 117-118 (36 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аномальная термополевая эмиссия; гетероструктуры; диоксид стронция; наногетероструктуры; наноструктуры; термополевая эмиссия; ток эмиссии; эмиссия электронов Аннотация: Проведено исследование полевых эмиссионных свойств ZrO[2]/W<100> наногетероструктуры, образованной тонким (~ 10 nm) слоем ZrO[2] на поверхности острийного микрокристалла W<100>. Установлено, что при температуре вещества наногетероструктуры ~ 2000 K процесс эмиссии электронов возбуждается при низких значениях напряженности экстрагирующего (лапласова) поля (менее ~ 50 V/mum). Показано, что в стационарном режиме электронной эмиссии с поверхности исследованной наногетероструктуры плотность эмиссионного тока может достигать аномально высоких значений (порядка ~ 10{8} A/cm{2}). Предложена феноменологическая модель аномальной термополевой эмиссии электронов с поверхности наногетероструктур вида: проводник (металл) -тонкий слой диэлектрика. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/04/p113-118.pdf |
621.315.592 С 128 Савельев, А. В. Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками [Текст] / А. В. Савельев, Л. Я. Карачинский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 730-735 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсы сверхизлучения Дике -- Дике импульсы сверхизлучения -- наногетероструктуры -- квантовые точки -- планарные волноводы -- микродиски Аннотация: Изучены условия возникновения и основные параметры импульсов сверхизлучения Дике в полупроводниковых наногетероструктурах с квантовыми точками: планарном волноводе и микродиске. Доменная модель формирования сверхизлучения, предложенная ранее для квантовых ям, обобщена для описания неоднородных массивов квантовых точек. Проведена классификация различных сценариев формирования сверхизлучения в полупроводниковом микродиске. Доп.точки доступа: Карачинский, Л. Я.; Новиков, И. И.; Гордеев, Н. Ю.; Сейсян, Р. П.; Зегря, Г. Г. |
621.315.592 У 760 Усов, С. О. Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN [Текст] / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 736-741 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экситоны -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- фотоны -- энергия фотона -- наногетероструктуры -- InGaN -- газофазная эпитаксия -- металлорганические соединения Аннотация: Проведено исследование образцов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, которые содержат ультратонкие слои InGaN, излучающие в спектральном интервале от ультрафиолетового до желтого диапазонов. Определены энергия Урбаха, энергии локализации экситонов и активации носителей заряда, которые характеризуют излучательные и безызлучательные процессы в квантовых точках и барьерах исследуемых структур. Показано, что значения этих энергетических параметров линейно зависят от энергии фотона в диапазоне от 3. 05 до 2. 12 эВ. Установлено, что изменение интенсивности излучения в зависимости от температуры связано с увеличением числа термически активированных носителей, уходящих из квантовых ям в барьеры, а также с увеличением процессов рассеяния свободных экситонов на дефектах. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Леденцов, Н. Н. |
Ворох, А. С. Гетеронаноструктура Cd (OH) [2]/СdS типа ядро-оболочка [Текст] : текст / А. С. Ворох, Н. С. Кожевникова // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 58-64. - Библиогр.: с. 64 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химическая термодинамика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- наногетероструктуры -- сульфидные наночастицы -- электролиты -- ионы кадмия -- гидроксид кадмия -- сульфид кадмия -- лиганды Аннотация: На примере гетеронаноструктуры Cd (OH) [2]/СdS впервые рассмотрен физически простой способ получения структур типа ядро-оболочка по одной реакции путем постепенной сульфидизации кристаллических частиц Cd (OH) [2], осажденных из водного щелочного раствора N[2]H[4]CS, и предложен метод оценки условий образования таких структур. Доп.точки доступа: Кожевникова, Н. С. |
Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y]/GaInP/GaAs (001) [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1086-1093 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): домены -- эпитаксиальные гетероструктуры -- спинодальный распад -- наногетероструктуры -- закон Вегарта -- Вегарта закон -- уравнение Куфала -- Куфала уравнение Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства двухслойных и трехслойных эпитаксиальных гетероструктур, содержащих слои четверного твердого раствора Ga[x]In[1-x]AsyP[1-y]. В трехслойных гетероструктурах обнаружено образование доменов в результате спинодального распада четверного твердого раствора. В результате в спектрах фотолюминесценции возникает дополнительная длинноволновая полоса, а на дифрактограммах линии (006) появляется дополнительный дублет CuK[aльфа1, 2]-линии. На основании закона Вегарда и уравнения Куфала определены составы доменов. Доп.точки доступа: Домашевская, Э. П.; Гордиенко, Н. Н.; Румянцева, Н. А.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Битюцкая, Л. А.; Арсентьев, И. Н.; Вавилова, Л. С.; Тарасов, И. С. |
Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса [Текст] / О. В. Кучерова [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 3. - С. 24-28. - Библиогр.: с. 28 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Спектроскопия Техника Материаловедение Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): неразрушающая диагностика -- наногетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- квантовые ямы -- температурная спектроскопия -- спектроскопия адмиттанса -- адмиттансная спектроскопия -- низкотемпературная спектроскопия -- электронные спектры -- полупроводниковые гетероструктуры -- светодиодные гетероструктуры -- аппаратно-программные комплексы -- адмиттансные методы -- измерения адмиттанса Аннотация: На основе разработанного комплекса низкотемпературной спектроскопии адмиттанса приведены исследования электронного спектра полупроводниковых светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. Доп.точки доступа: Кучерова, О. В.; Зубков, В. И.; Цвелев, Е. О.; Яковлев, И. Н.; Соломонов, А. В. |
Исследование локальной электропроводности поверхности гетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием СТМ в режиме полевой электронной эмиссии [Текст] / С. А. Масалов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 44-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры -- наноструктуры -- гетероструктуры -- электропроводность -- локальная электропроводность -- ZnSe/CdSe/ZnSe -- метод СТМ -- метод сканирующей туннельной микроскопии -- электронная эмиссия -- полевая электронная эмиссия -- морфология поверхности -- полевые контакты -- потенциальные барьеры Аннотация: Исследовались морфология поверхности и локальная электропроводность наногетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe методом СТМ в режиме полевой электронной эмиссии. Проведена оценка однородности распределения локальной электропроводности приповерхностного слоя. Экспериментально определены основные параметры потенциального барьера локального полевого контакта. Показана возможность использования зонда туннельного микроскопа для создания в полупроводнике локальных областей с неравновесной концентрацией носителей. Доп.точки доступа: Масалов, С. А.; Евтихиев, В. П.; Растегаева, М. Г.; Иванов, С. В. |
Кукушкин, В. А. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 7-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразования -- безынверсные лазеры -- лазеры -- инфракрасные лазеры -- инфракрасные излучатели -- терагерцевые диапазоны -- наногетероструктуры -- квантовые ямы -- электромагнитные излучения -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- импульсные режимы -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые усилители Аннотация: Предложен и рассчитан вариант активной среды, способной обеспечить безынверсное частотноперестраиваемое усиление или генерацию электромагнитного излучения в дальнем инфракрасном и терагерцовом диапазоне. Он основан на сравнительно простой полупроводниковой наногетероструктуре с квантовыми ямами, которая способна работать при комнатной температуре (в импульсном режиме) и обеспечивать изменение рабочей частоты основанного на ней усилителя или генератора в несколько раз в результате изменения интенсивности накачивающего излучения. Такой усилитель или генератор (лазер) может стать удобным, дешевым и компактным перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения для многочисленных технических, а также медицинских применений. |
Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 13. - С. 89-95 : ил. - Библиогр.: с. 94-95 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- дисковые лазеры -- WGM-лазеры -- дисковые WGM-лазеры -- моды шепчущей галереи -- диаграмма направленности -- наногетероструктуры -- квантово-размерные наногетероструктуры -- AlGaAsSb/InGaAsSb -- резонаторы -- метод жидкостного химического травления -- усеченные конусы -- цилиндры -- дисковые кольца -- активные области -- режимы генерации -- лазерная генерация -- спонтанная генерация -- интерференционные картины -- кольцевые интерференционные картины -- лучи света -- интерференция лучей -- кристаллы -- поверхность кристалла Аннотация: Исследована диаграмма направленности дисковых WGM-лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb. Резонаторы дисковых лазеров изготавливались методом жидкостного химического травления и представляли собой усеченный конус высотой 15 mum, верхняя часть которого (около 5 mum) имеет форму цилиндра с выступающим дисковым кольцом над поверхностью цилиндра (на ~ 1. 0 mum), и с шириной, равной толщине активной области. В диаграмме направленности WGM-лазеров наблюдается кольцевая интерференционная картина с несколькими максимумами, отстоявшими друг от друга на ~ 6{o}. Наблюдаемую как в спонтанном, так и в лазерном режимах генерации интерференционную картину можно объяснить интерференцией лучей света, непосредственно исходящих из кольца с лучами, отраженными от травленой поверхности кристалла. Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Шерстнев, В. В.; Монахов, А. М.; Гребенщикова, Е. А.; Головин, А. С.; Сиповская, М. А.; Старостенко, Д. А.; Ларченков, М. И.; Трошков, С. И.; Тарасов, Д. И.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Мощные диодные лазеры (lambda=1. 7-1. 8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP [Текст] / А. В. Лютецкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1646-1649 : ил. - Библиогр.: с. 1648-1649 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- диодные лазеры -- квантово-размерные двойные гетероструктуры раздельного ограничения -- КР ДГС РО -- твердые растворы -- InGaAsP/InP -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- наногетероструктуры -- оптические излучения -- длина волны -- волноводы -- расширенные волноводы -- квантово-размерные слои -- мощности -- оптические мощности -- апертура -- температура -- мощные диодные лазеры Аннотация: Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см{-1} в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1. 76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2. 5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T[0]=50-60 K. Доп.точки доступа: Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лешко, А. Ю.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Рябоштан, Ю. А.; Мармалюк, А. А.; Тарасов, И. С. |
Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1523-1529. - Библиогр.: с. 1529 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ndthlsthfcndjhs -- многослойные материалы -- твердые растворы -- толщина слоев -- состав слоев -- рентгеновские дифракции -- энергия электронных переходов -- деформации наногетероструктур -- наногетероструктуры -- светоотдача материалов Аннотация: Методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции высокого разрешения (HRXRD) проведено исследование многослойных структур на основе соединений In[x]Ga[1-x]N/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Разработан способ анализа экспериментальных кривых качания многослойных структур в рамках модели Парратта-Спериози, который позволил определить толщины, период и средний состав слоев In[x]Ga[1-x]N, а также деформацию активной области в исследуемых образцах. Локальное содержание индия было определено с использованием теоретической модели, которая описывает энергию излучения как функцию толщин слоев InGaN с учетом энергии квантового ограничения, энергий спонтанной и пьезополяризации и параметров, определенных из HRXRD. Доп.точки доступа: Усов, С. О.; Цацульников, А. Ф.; Заварин, Е. Е.; Кютт, Р. Н.; Леденцов, Н. Н. |
Исследование временных характеристик фотодетекторов на основе наногетероструктур Ge/Si 1 [Текст] / В. А. Донченко [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 5. - С. 64-67. - Библиогр.: c. 67 (2 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры Ge/Si -- фотодетекторы -- фотоотклик -- фотоприемники -- фотосопротивления Аннотация: Приводятся результаты исследования временных характеристик фоточувствительных слоев на базе наногетероструктур Ge/Si при возбуждении фемтосекундными импульсами лазера на длине волны 1, 55 мкм. Показано, что длительность переднего фронта импульсов фотооткликов исследуемых образцов не более 30-40 пс при возбуждении лазерными импульсами длительностью 120 фс. Доп.точки доступа: Донченко, В. А.; Якимов, А. И.; Землянов, А. А.; Кириенко, В. В. |
Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Физическая оптика Физика Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П. |
Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 70-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- гетероструктуры -- наногетероструктуры -- CdHgTe -- подложки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- потенциальные ямы -- барьерные слои -- носители (физика) -- размерное квантование носителей -- уровни размерного квантования -- экситоны -- стохастические флуктуации -- эпитаксиальные слои -- экситонная фотолюминесценция -- микроскопические неоднородности Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наногетероструктур Cd[x]Hg[1-x]Te/ Cd[y]Hg[1-y]Te, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ширина потенциальных ям в структурах варьировалась от 12 до 200 nm при составе в яме x~ 0. 25-0. 40 и в барьерных слоях y~ 0. 68-0. 82. В структурах с ямами шириной 33 nm и менее наблюдались переходы между уровнями размерного квантования носителей. В структурах с ямами шириной более 50 nm наблюдалась ФЛ экситонов, локализованных флуктуациями состава, характерная для эпитаксиальных слоев Cd[x]Hg[1-x]Te толщиной более 3 mum. Показано влияние на уширение пика экситонной ФЛ Cd[x]Hg[1-x]Te не только стохастических флуктуаций состава, но и его макроскопических неоднородностей. Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Шиляев, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г. |
Кравцов, Е. А. Комплементарное применение нейтронного и рентгеновского синхротронного рассеяния для определения магнитной микроструктуры обменно-связанных слоистых наногетероструктур [Текст] / Е. А. Кравцов, В. В. Устинов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2116-2119. - Библиогр.: с. 2119 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные микроструктуры -- наногетероструктуры -- нейтронное синхротронное рассеяние -- рентгеновское синхротронное рассеяние Аннотация: Рассматривается комплементарное применение нейтронных и рентгеновских методик для исследования неоднородной магнитной микроструктуры, характерной для обменно-связанных наногетероструктур, образованных чередующимися слоями ферромагнитных и антиферромагнитных металлов. Показано, что изменение магнитных моментов как по величине, так и по направлению внутри ферромагнитных слоев может быть определено путем комбинированного применения поляризационной нетроннной и резонансной рентгеновской магнитной рефлектометрии, а внутри антиферромагнитных слоев - комбинированного применения рентгеновской и нейтронной дифрактометрии. Доп.точки доступа: Устинов, В. В. |
537.311.33 В 191 Васильев, М. Г. Разработка мощного полупроводникового лазера на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP с полосой модуляции 10 ГГц [Текст] / М. Г. Васильев, А. М. Васильев, А. А. Шелякин // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 9. - С. 1128-1133 : 6 рис. - Библиогр.: с. 1133 (12 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Химия твердого тела Химия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- лазеры -- наногетероструктуры -- твердые растворы -- лазерные излучатели -- СВЧ-диапазоны Аннотация: Рассмотрены технологические аспекты разработки и изготовления лазерных излучателей с высоким значением произведения средней мощности на полосу модуляции. Описаны особенности экспериментального исследования параметров лазерного излучателя в СВЧ-диапазоне. Исследованы ватт-амперная, спектральная и частотно-модуляционная характеристики при частотах до 10 ГГц. Доп.точки доступа: Васильев, А. М.; Шелякин, А. А. |
621.315.592 И 395 Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb [Текст] / А. Н. Именков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 365-371 : ил. - Библиогр.: с. 370-371 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полудисковые лазеры -- лазеры -- квантово-размерные наногетероструктуры -- наногетероструктуры -- AlGaAsSb/InGaAsSb -- WGM-лазеры -- моды шепчущей галереи -- излучение лазеров -- пространственное распределение -- полудисковые резонаторы -- пространственные моды -- лазерные структуры -- спектры излучения -- математические модели -- оптические потери Аннотация: Исследовано спектральное и пространственное распределение излучения лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (WGM-лазеры) с резонатором в форме полудиска. В пространственном распределении выделяются до 13 широких лепестков разной интенсивности, разделенных на более узкие (на порядок) лепестки. Спектр излучения близок к одномодовому. Предложена математическая модель распределения электромагнитного поля в WGM-лазере и рассчитана диаграмма направленности лазерного излучения. Показано, что каждый широкий лепесток соответствует своей устойчивой пространственной радиальной моде. Установлено, что наибольшую интенсивность излучения дает не сама периферийная мода, а следующая за ней, которая, по-видимому, имеет наименьшие оптические потери. Преобладание одной пространственной моды приводит к наблюдению практически одномодового спектра излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p365-371.pdf Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Шерстнев, В. В.; Гребенщикова, Е. А.; Сиповская, М. А.; Ларченков, М. И.; Тарасов, Д. И.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
621.315.592 Э 455 Электролюминесценция наногетероструктур GaP[x]N[y]As[1-x-y] через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена [Текст] / А. В. Бабичев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 815-819 : ил. - Библиогр.: с. 818-819 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- наногетероструктуры -- светодиодные наногетероструктуры -- твердые растворы -- прозрачные электроды -- графен -- CVD-графен -- длина волны излучения -- электролюминесцентные свойства Аннотация: Представлены результаты экспериментальных работ по созданию светодиодных наногетероструктур твердых растворов GaP[x]N[y]As[1-x-y] с новым типом прозрачного электрода на основе CVD-графена и исследованию их электролюминесцентных свойств. Продемонстрирована высокая стабильность длины волны излучения (около 2-3 нм) при увеличении температуры (от 12 до 60 °C) и инжекционном токе (вплоть до 1 А). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p815-819.pdf Доп.точки доступа: Бабичев, А. В.; Бутко, В. Ю.; Соболев, М. С.; Никитина, Е. В.; Крыжановская, Н. В.; Егоров, А. Ю. |