530.1 К 899 Кукушкин, В. А. Генерация среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 522-531. - Библиогр.: с. 530-531 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкоразмерные гетероструктуры -- лазеры -- полупроводниковые лазеры -- излучения -- гетероструктуры -- инфракрасное излучение -- ближняя инфракрасная область -- генерация -- среднее инфракрасное излучение Аннотация: Предложен метод генерации среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах. |
621.315.592 К 899 Кукушкин, В. А. Периодическое создание кратковременной инверсии населенностей на межподзонных лазерных переходах в квантовых ямах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 810-816 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кратковременная инверсия -- межподзонные лазерные переходы -- квантовые ямы -- резонансное туннелирование Аннотация: Предложен метод периодического кратковременного инвертирования межподзонного лазерного перехода в квантовой яме с частотой повторения ~1 ГГц и временем сохранения инверсии ~1 пс. Метод основан на быстром заселении верхнего уровня перехода в результате резонансного туннелирования носителей из смежной квантовой ямы при изменении приложенного к гетероструктуре электрического поля. В результате пиковое значение инверсной населенности может достигать, например, 8 х 10[10] см[-2] на переходе, соответствующем длине волны ламбдa приближенно равно 10 мкм, и 2 х 10[10] см-2 в случае ламбдa приближенно равно 25 мкм. Реализация данного метода возможна при комнатной температуре, что делает его привлекательным для создания усилителей пикосекундных импульсов среднего, дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов. |
Кукушкин, В. А. Оптическая ректификация сильно сфокусированных импульсов ближнего инфракрасного диапазона в плазмонном волноводе [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 10. - С. 78-82. - Библиогр.: c. 82 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): плазмонные волноводы -- генерация импульсов -- лазерные импульсы -- терагерцовые импульсы -- волноводы -- оптическая ректификация Аннотация: Рассмотрена генерация импульсов терагерцового (ТГц) диапазона в результате смешения фурье-гармоник одиночных накачивающих сильно сфокусированных лазерных импульсов ближней инфракрасной области в заполненном нелинейной средой плазмонном волноводе. При определенном выборе параметров такой волновод обеспечивает эффективное поперечное ограничение ТГц моды и малую дисперсию ее показателя преломления. В результате в данной системе становится возможной генерация коротких сравнительно мощных ТГц импульсов. По сравнению с традиционными (без волновода) схемами генерации ТГц импульсов из одиночных накачивающих импульсов (оптическая ректификация) предлагаемый метод позволяет значительно (в ~50 раз) уменьшить мощность накачки, обеспечивая при этом ту же интенсивность выходного ТГц импульса и эффективность конверсии. Для частного примера структуры Ag/GaP/Ag найдены оптимальные параметры плазмонного волновода и импульса накачки и вычислены характеристики выходного ТГц импульса. |
Технологические аспекты получения комплексных полимерных добавок на основе отходов полимерных материалов для модификации дорожных битумов [Текст] / Э. М. Сульман [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 63-66 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 66 (13 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Кл.слова (ненормированные): отходы полимерных материалов -- битумы -- комплексные полимерные добавки -- полимерные добавки -- дорожные битумы -- модификация битумов Аннотация: Рассмотрен вопрос получения комплексной добавки для модификации битумов на основе отходов вторичных полимерных материалов. Изучены основные закономерности процесса термической деструкции модификаторов и влияния свойств продуктов термолиза на параметры добавок. Доп.точки доступа: Сульман, Э. М.; Кукушкин, В. А.; Сульман, М. Г.; Тимофеев, А. Г. |
Кукушкин, В. А. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 7-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразования -- безынверсные лазеры -- лазеры -- инфракрасные лазеры -- инфракрасные излучатели -- терагерцевые диапазоны -- наногетероструктуры -- квантовые ямы -- электромагнитные излучения -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- импульсные режимы -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые усилители Аннотация: Предложен и рассчитан вариант активной среды, способной обеспечить безынверсное частотноперестраиваемое усиление или генерацию электромагнитного излучения в дальнем инфракрасном и терагерцовом диапазоне. Он основан на сравнительно простой полупроводниковой наногетероструктуре с квантовыми ямами, которая способна работать при комнатной температуре (в импульсном режиме) и обеспечивать изменение рабочей частоты основанного на ней усилителя или генератора в несколько раз в результате изменения интенсивности накачивающего излучения. Такой усилитель или генератор (лазер) может стать удобным, дешевым и компактным перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения для многочисленных технических, а также медицинских применений. |
Кукушкин, В. А. Слабополевая нелинейная динамическая проводимость в квантовой яме с поперечным магнитным полем [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 2. - С. 111-114
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- магнитное поле -- динамическая проводимость -- электромагнитное излучение Аннотация: Показано, что в гетероструктурах с квантовыми ямами, помещенными в постоянное магнитное поле, ортогональное их плоскости, динамическая дифференциальная проводимость должна существенно падать при значительно меньших амплитудах переменного электрического поля, чем в случае обычного полупроводника. Данный эффект может быть использован, например, для создания низкопорогового насыщающегося поглотителя для электромагнитного излучения с частотой в несколько десятков ГГц. |
Кукушкин, В. А. Перестраиваемый безинверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на квантовых точках [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 9. - С. 524-527
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- квантовые точки -- частота излучения лазера -- интенсивность оптической накачки -- безинверсный механизм усиления -- модифицированная трехуровневая лестничная схема -- дипольно запрещенный переход Аннотация: Предложен лазер на квантовых точках, частота генерации которого может плавно перестраиваться в пределах дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов в результате изменения интенсивности оптической накачки. Его работа возможна при комнатной температуре и основана на безинверсном механизме усиления в предложенной модифицированной трехуровневой "лестничной" схеме, где частота накачки равна частоте дипольно запрещенного перехода с основного на второй возбужденный уровень. |
Кукушкин, В. А. Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 109-113 : ил. - Библиогр.: с. 113 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- волноведущие гетероструктуры -- инфракрасные импульсы -- ИК импульсы -- терагерцовые импульсы -- ТГц импульсы -- конверсия -- эффективная конверсия -- двухфотонные поглощения -- 2ФП -- трехфотонные поглощения -- 3ФП -- оптические выпрямления -- волноводы -- C/GaAs/C -- дисперсия групповой скорости -- ДГС -- диэлектрическая проницаемость -- квадратичная нелинейность -- нелинейность Аннотация: Показано, что применение волноведущей полупроводниковой гетероструктуры позволяет существенно увеличить степень конверсии мощного инфракрасного импульса в терагерцовый в процессе оптического выпрямления первого в среде с квадратичной нелинейностью диэлектрической проницаемости. На примере волноведущей гетероструктуры C/GaAs/C определены оптимальные параметры как самой структуры, так и инфракрасного импульса, а также вычислены длительность и форма выходного терагерцового импульса. |
Кукушкин, В. А. Генерация терагерцевого излучения в высококачественных алмазных образцах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1716-1721. - Библиогр.: с. 1721 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): терагерцевое излучение -- пороги генерации -- лазеры -- THz-излучения -- излучения THz -- излучения СВЧ -- СВЧ излучения Аннотация: Рассмотрен метод генерации терагерцевого излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне полупроводников. Указанная инверсия достигается помещением образца в статическое магнитное поле и накачкой его переменным электрическим полем, резонансным с циклотронной частотой тяжелых дырок. В результате при достаточно малой концентрации дырок, когда обмен энергии между ними менее эффективен, чем обмен с решеткой, происходит существенный нагрев тяжелых дырок при практически неизменной функции распределения легких дырок. Низкая концентрация дырок, однако, приводит к достаточно малому коэффициенту усиления терагерцевого поля, который может превысить его потери лишь в высококачественных алмазных образцах, практически прозрачных в терагерцевом диапазоне. Важным преимуществом рассматриваемого метода генерации терагерцевого излучения по сравнению с предложенными ранее является возможность его реализации при комнатной температуре, что значительно повышает его привлекательность для практического применения, особенно в биологии и медицине. |
Кукушкин, В. А. Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1483-1488 : ил. - Библиогр.: с. 1488 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- инфракрасное излучение -- терагерцовое излучение -- лазеры -- сверхрешетки -- квантовые ямы -- электромагнитное поле -- волноводы -- комнатная температура -- фундаментальные исследования -- безынверсные усилители Аннотация: Предложена схема усилителя или лазера дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наноструктуре - сверхрешетке из двойных квантовых ям определенной архитектуры, помещенной в планарный металлический волновод и накачиваемой излучением CO[2]-лазера. Данная схема основана на безынверсном механизме усиления электромагнитного поля, который позволяет перейти к работе при комнатной температуре (в импульсном режиме) и значительно (более чем в 1. 7 раза) менять частоту выходного излучения с помощью простого варьирования интенсивности накачки. Основанный на такой схеме лазер может стать удобным и легко перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения как для фундаментальных исследований, так и для различных практических приложений. |
530.145 К 899 Кукушкин, В. А. Эффективное безынверсное усиление инфракрасного излучения на квантовых точках с квазидискретными уровнями [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 224-231. - Библиогр.: с. 231 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): излучения -- инфракрасное излучение -- квантовые точки -- квант -- безынверсное усиление -- квазидискретные уровни -- поглощение накачки -- генератор излучения Аннотация: Предложена схема, позволяющая получить усиление электромагнитного поля на переходе между двумя квазидискретными уровнями квантовой системы и минимизировать поглощение накачивающего систему излучения, возникающее вследствие конечных времен жизни соответствующих этим уровням состояний. |
621.383 С 387 Синхронизация мод и высокоэффективная импульсная генерация излучения разностной частоты в двухчастотных гетеролазерах [Текст] / А. В. Андрианов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 252-256. - Библиогр.: c. 255-256 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- терагерцевый диапазон -- лазерная физика -- импульсная генерация -- двухчастотные гетеролазеры -- нелинейное смешение полей -- квантовые ямы -- синхронизация мод -- пикосекундные импульсы Аннотация: Предложены эффективные схемы генерации пикосекундных импульсов излучения среднего и дальнего инфракрасного и терагерцевого диапазонов за счет внутрирезонаторного нелинейного смешения полей в двухчастотных инжекционных гетеролазерах, работающих в режиме синхронизации мод при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Алёшкин, В. Я.; Белянин, А. А.; Дубинов, А. А.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В.; Кукушкин, В. А. |
530.145 К 899 Кукушкин, В. А. Двухчастотный лазер оптического и среднего инфракрасного диапазона на квантовых ямах [Текст] / В. А. Кукушкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 109-114. - Библиогр.: c. 113-114 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): двухчастотные лазеры -- квантовые ямы -- метод генерации ИК-излучения -- оптические гетеролазеры -- пороговая плотность тока накачки -- полупроводниковые наноструктуры -- электронные уровни энергии Аннотация: Рассмотрен метод среднего инфракрасного излучения в оптических гетеролазерах на квантовых ямах. |
537 К 899 Кукушкин, В. А. Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1451-1456 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): численное моделирование -- рекомбинация свободных экситонов -- свободные экситоны -- фотовозбуждение -- нанокристаллы алмаза -- алмаз -- полимерные пленки -- некогерентное спонтанное излучение -- спонтанное излучение -- генерация импульсов -- пикосекудные импульсы -- импульсы -- ультрафиолетовые поля -- рентгеновские поля -- электромагнитные поля -- длина волны Аннотация: С помощью численного моделирования показано, что рекомбинация свободных экситонов, фотовозбужденных в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку, может происходить в кооперативном режиме. Установлено, что этот режим может реализоваться несмотря на то, что алмаз является "непрямым" полупроводником. Продемонстрировано, что при кооперативной рекомбинации свободных экситонов мощность генерируемого излучения в пике импульса может более чем на порядок превосходить мощность некогерентного спонтанного излучения такого же начального числа свободных экситонов. В итоге показано, что рассмотренный процесс может быть использован для генерации пикосекундных импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского электромагнитного поля на длине волны 235 нм. By means of numerical simulation it is shown that recombination of free excitons, photoexcited in diamond nanocrystals, embedded in a polymer film, can proceed in the cooperative regime. It is concluded that this regime can realize inspite of the fact that diamond is an"indirect" semiconductor. It is demonstrated that under the cooperative recombination of free excitons the power of the generated radiation in the pulse peak can by more than an order of magnitude exceed that of the incoherent spontaneous emission of the same initial number of free excitons. In result it is shown that the considered process can be used for the generation of picosecond pulses of ultraviolet and soft X-ray electromagnetic field at wavelength 235 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1451-1456.pdf Доп.точки доступа: Институт прикладной физики Российской академии наук (Нижний Новгород); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.2 К 899 Кукушкин, В. А. Радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах полупроводников с прямой и непрямой зонными структурами / В. А. Кукушкин // Известия вузов. Радиофизика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 494-504 : 1 рис. - Библиогр.: с. 503-504 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экситоны Ванье - Мотта -- Ванье - Мотта экситоны -- экситоны Мотта - Ванье -- Мотта - Ванье экситоны -- нанокластеры -- прямая зонная структура -- непрямая зонная структура -- радиационное время жизни -- полупроводники Аннотация: В работе вычислено радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в потенциальных ямах, сформированных нанокластерами узкозонных полупроводников в широкозонных материалах. Доп.точки доступа: Институт прикладной физики РАН; Нижегородский госуниверситет им. Н. И. Лобачевского |