О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов PbTe [Текст] / Г. А. Ахмедова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1456-1459 : ил. - Библиогр.: с. 1458-1459 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- PbTe -- глубокие акцепторные уровни -- энергия активации -- образцы -- неотожженные образцы -- запрещенные зоны -- дефекты -- макронапряжения -- отжиг Аннотация: Установлено, что в образцах монокристаллов PbTe, отожженных при 473 и 673 K, отсутствуют акцепторные уровни с энергией активации ~0. 1 эВ, наблюдаемые в неотожженных образцах. Сделано заключение о том, что указанные уровни в неотожженных образцах были связаны с дефектами, вызванными макронапряжениями, и неоднородным распределением атомов сверхстехиометрического теллура вдоль слитка, возникающими в процессе выращивания кристаллов PbTe и залечивающимися при отжиге. Доп.точки доступа: Ахмедова, Г. А.; Багиева, Г. З.; Агаев, З. Ф.; Абдинов, Д. Ш. |
Выращивание монокристаллов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] и свойства фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 42 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- кубические решетки -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- атомы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи -- оптические излучения -- шпинели -- удельное сопротивление -- сопротивление -- температурная зависимость Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27. Доп.точки доступа: Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д. |
Фоточувствительность гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 335-337 : ил. - Библиогр.: с. 337 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- ГП -- n-CdS/p-CdTe -- химическое поверхностное осаждение -- ХПО -- тонкие пленки -- подложки -- фоточувствительность -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фотопреобразования -- запрещенные зоны -- тонкопленочные солнечные элементы Аннотация: Разработана новая технология химического поверхностного осаждения и получены тонкие пленки CdS (35-100 нм) на подложках p-CdTe. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, и показано, что развитый метод обеспечивает высокую эффективность фотопреобразования в диапазоне, ограничиваемом ширинами запрещенных зон СdTe и CdS. Показана возможность применения метода химического поверхностного осаждения CdS при создании тонкопленочных солнечных элементов n-CdS/p-CdTe. Доп.точки доступа: Ильчук, Г. А.; Кусьнэж, В. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Шаповал, П. Й.; Петрусь, Р. Ю. |
Фотонные кристаллы с контрастом на затухании в иммерсионной среде [Текст] / С. Г. Ерохин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 63-67. - Библиогр.: с. 67 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотонные кристаллы -- диэлектрическая проницаемость -- иммерсионная среда -- контраст импеданса слоев -- запрещенные зоны Аннотация: Рассмотрены оптические свойства одномерного фотонного кристалла, в котором контраст импеданса слоев достигается за счет различия не в действительных, а в мнимых частях диэлектрических проницаемостей слоев. Рассчитаны спектральные зависимости коэффициентов пропускания, отражения и поглощения света такого кристалла конечной толщины в случае, когда он помещен в иммерсионную среду с тем же значением действительной части диэлектрической проницаемости, что и в слоях фотонного кристалла. Показано, что, хотя в таких структурах запрещенные зоны не образуются, имеются их признаки (следы), в окрестности которых оптические свойства могут сильно отличаться от гомогенизированного случая. Доп.точки доступа: Ерохин, С. Г.; Лисянский, А. А.; Мерзликин, А. М.; Виноградов, А. П.; Грановский, А. Б. |
Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 x 0. 1) от условий выращивания [Текст] / Д. А. Пашкеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 891-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- твердые растворы -- Pb[1-x]Eu[x]Te -- эпитаксиальные слои -- выращивание слоев -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- температура роста -- неоднородности -- запрещенные зоны Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм), которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) от состава при 77. 4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E[g][эВ]=0. 213+4. 8x-18. 4x{2}. Доп.точки доступа: Пашкеев, Д. А.; Селиванов, Ю. Г.; Felder, F.; Засавицкий, И. И. |
Остапов, С. Э. Исследование основных зонных параметров HgMnZnTe [Текст] / С. Э. Остапов, В. М. Фрасуняк, В. В. Жихаревич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1027-1030 : ил. - Библиогр.: с. 1030 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- HgMnZnTe -- запрещенные зоны -- параболическое приближение -- экспериментальные исследования -- теоретические исследования -- зонные параметры -- эмпирические формулы Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования основных зонных параметров многокомпонентных твердых растворов HgMnZnTe. Предлагаются эмпирические формулы для вычисления ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей в параболическом приближении в широком диапазоне температур и составов. Результаты теоретического исследования хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными. Доп.точки доступа: Фрасуняк, В. М.; Жихаревич, В. В. |
Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках [Текст] / Е. А. Татохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1031-1037 : ил. - Библиогр.: с. 1037 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- ГУ -- релаксационная спектроскопия глубоких уровней -- РСГУ -- DLTS -- метод релаксационной спектроскопии -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- запрещенные зоны -- изометрическая релаксация емкости -- ИРЕ -- статистические методы -- статистический анализ Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения. Доп.точки доступа: Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожный, В. Г. |
Кузнецов, В. А. Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-CdTe [Текст] / В. А. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1153-1156 : ил. - Библиогр.: с. 1156 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): энергетические диаграммы -- полупроводниковые соединения -- CdS-CdSe-CdTe -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- деформационные потенциалы -- смешанные сингонии -- фоточувствительность Аннотация: На основе анализа энергетических диаграмм полупроводниковых соединений A {II}B{VI} предложены методика определения глубины провисания запрещенной зоны и механизм этого эффекта, связанный с деформационным потенциалом, который может возникать в области существования смешанных сингоний твердых растворов. Подбирая состав двойной или тройной системы, за счет эффекта провисания зоны можно увеличить фоточувствительность в заданной области спектра. |
Степанов, Н. П. Особенности спектров отражения монокристаллов твердых растворов Bi[2]Te[3]-Sb[2]Te[3] в области плазменных эффектов [Текст] / Н. П. Степанов, А. А. Калашников // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1165-1169 : ил. - Библиогр.: с. 1168 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры отражения -- монокристаллы -- твердые растворы -- Bi[2]Te[3]-Sb[2]Te[3] -- вектор напряжения -- электрическое поле Е -- тригональная ось кристалла -- плазменное отражение -- запрещенные зоны -- плазменные эффекты -- плазменные колебания -- свободные носители заряда Аннотация: Исследованы спектры отражения монокристаллов твердых растворов Bi[2]Te[3]-Sb[2]Te[3], содержащих 0, 10, 25, 40, 50, 60, 65, 70, 80, 90, 99. 5 и 100 мол% Sb[2]Te[3], в диапазоне 400-4000 см{-1} при температуре T=291 K и ориентации вектора напряженности электрического поля E перпендикулярно тригональной оси кристалла C[3] ( E normal C[3]). Спектры имеют вид, характерный для плазменного отражения, и содержат особенности в диапазоне 1250-3000 см{-1}, соответствующем оптической ширине запрещенной зоны E[gopt]. Интенсивность особенностей усиливается при увеличении содержания Sb[2]Te[3] в составе твердого раствора Bi[2]Te[3]-Sb[2]Te[3] до 80 мол%. Дальнейшее увеличение содержания Sb[2]Te[3] сопровождается разрывами в функциональных зависимостях параметров, характеризующих плазменные колебания свободных носителей заряда от состава твердого раствора, а также резким увеличением E[gopt]. Доп.точки доступа: Калашников, А. А. |
Емельянов, А. М. Дифференциальный метод анализа спектров люминесценции полупроводников [Текст] / А. М. Емельянов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1170-1175 : ил. - Библиогр.: с. 1174-1175 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция полупроводников -- спектры люминесценции -- дифференциация спектров -- поглощение монокристаллов -- монокристаллы кремния -- твердые растворы -- запрещенные зоны -- методы анализа люминесценции Аннотация: Предложен метод анализа спектров люминесценции полупроводников, основанный на дифференцировании спектров. Возможности метода продемонстрированы в области края поглощения монокристаллов кремния и твердого раствора SiGe. Метод превосходит по точности ранее известные люминесцентные методы определения ширины запрещенной зоны для непрямозонных полупроводников и практически нечувствителен к различным условиям вывода излучения из образца. |
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1527-1532 : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика) Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф. |
Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-VO[2] в спектральной области 1. 3-1. 6 мкм [Текст] / А. Б. Певцов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1585-1590 : ил. - Библиогр.: с. 1590 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенные зоны -- фотонные запрещенные зоны -- ФЗЗ -- фотонные кристаллы -- ФК -- трехмерные фотонные кристаллы -- композиты -- опал -- спектральные области -- длина волны Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1. 3-1. 6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO[2]. Установлен диапазон степеней заполнения (0. 25-0. 6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO[2] с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO[2] максимальный сдвиг (~170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн ~1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Певцов, А. Б.; Грудинкин, С. А.; Поддубный, А. Н.; Каплан, С. Ф.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г. |
Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI [Текст] / В. А. Кульбачинский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1596-1601 : ил. - Библиогр.: с. 1601 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- монокристаллы -- BiTeBr -- BiTel -- гальваномагнитные свойства -- термоэлектрические свойства -- висмут -- теллур -- бром -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- запрещенные зоны -- теория функционала плотности -- кристаллы -- функционал плотности -- зонные структуры -- полупроводники -- непрямые зоны Аннотация: Методом Бриджмена синтезированы монокристаллы BiTeI и BiTeBr и исследованы их гальваномагнитные и термоэлектрические свойства. Оба полупроводника обладают n-типом проводимости. Термоэлектрическая эффективность BiTeBr существенно больше, чем термоэлектрическая эффективность BiTeI, что связано главным образом с большим значением коэффициента Зеебека у первого соединения. Для обоих кристаллов на уровне теории функционала плотности рассчитана зонная структура и показано, что оба соединения являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной. Доп.точки доступа: Кульбачинский, В. А.; Кытин, В. Г.; Лаврухина, З. В.; Кузнецов, А. Н.; Шевельков, А. В. |
621.398 З-128 Забудский, Г. Г. Сужение области поиска решения задачи Вебера на плоскости с прямоугольными запрещенными зонами [Текст] / Г. Г. Забудский, авт. И. В. Амзин // Автоматика и телемеханика. - 2012. - № 5. - С. 71-83. - Библиогр.: с. 82-83 (16 назв.) . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Математика Исследование операций Кл.слова (ненормированные): фиксированные объекты -- прямоугольные запрещенные зоны -- прямоугольные метрики -- задача Вебера -- Вебера задача -- запрещенные зоны -- задача оптимального размещения объектов -- оптимальное размещение объектов -- взаимосвязанные точечные объекты -- точечные объекты Аннотация: В данной работе рассматривается задача оптимального размещения взаимосвязанных точечных объектов в определенной постановке. Доп.точки доступа: Амзин, И. В. |
539.21:537 Г 340 Генерация хаотических автосолитонов в активном кольцевом резонаторе с одномерной периодической ферромагнитной микроструктурой [Текст] / Е. Н. Бегинин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 22. - С. 50-60 : ил. - Библиогр.: с. 59-60 (21 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): автосолитоны -- хаотические автосолитоны -- генерация автосолитонов -- резонаторы -- кольцевые резонаторы -- активные кольцевые резонаторы -- микроструктуры -- ферромагнитные микроструктуры -- периодические микроструктуры -- периодические ферромагнитные микроструктуры -- одномерные микроструктуры -- одномерные периодические ферромагнитные микроструктуры -- монокристаллические пленки -- железо-иттриевый гранат -- магнитостатические волны -- поверхностные волны -- поверхностные магнитостатические волны -- ПМСВ -- квазипериодическая последовательность -- процессы распада -- трехмагнонные процессы -- спиновые волны -- автомодуляция волн -- частоты -- синхронизация частот -- пассивная синхронизация -- линии задержки -- запрещенные зоны -- сверхвысокочастотные сигналы Аннотация: Наблюдалась генерация хаотических автосолитонов в активном кольцевом резонаторе с одномерной периодической ферромагнитной микроструктурой, состоящей из монокристаллической пленки железо-иттриевого граната, на поверхности которой была сформирована решетка канавок, расположенных перпендикулярно к направлению распространения поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ). Квазипериодическая последовательность хаотических автосолитонов генерировалась в условиях трехмагнонных процессов распада ПМСВ за счет пассивной синхронизации частот автомодуляции спиновых волн в полосе частот первой запрещенной зоны. Возникновение пассивной синхронизации было обусловлено наличием у линии задержки на ПМСВ насыщающегося поглощения сверхвысокочастотного сигнала в запрещенной зоне. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/22/p50-60.pdf Доп.точки доступа: Бегинин, Е. Н.; Гришин, С. В.; Никитов, С. А.; Шараевский, Ю. П.; Шешукова, С. Е. |
539.21:535 П 880 Пугачевский, М. А. УФ-спектр поглощения наночастиц диоксида титана, аблированных лазерным излучением [Текст] / М. А. Пугачевский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 58-59 (19 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Ультрафиолетовые лучи Кл.слова (ненормированные): диоксид титана -- наночастицы -- спектры поглощения -- УФ-спектры -- ультрафиолетовые спектры -- ультрафиолетовое излучение -- УФ-излучение -- лазерное излучение -- лазерная абляция -- метод лазерной абляции -- анализ спектров -- частицы -- запрещенные зоны -- интенсивность излучения -- получение наночастиц -- отжиг частиц -- температура отжига -- дефекты Аннотация: Исследуются спектры поглощения ультрафиолетового (УФ) излучения наночастицами диоксида титана, полученные методом лазерной абляции. На основе анализа спектров определяется ширина запрещенной зоны частиц и влияние на нее различных факторов, таких как интенсивность лазерного излучения при получении наночастиц и температура последующего отжига частиц в печи. Обсуждается зависимость положения пиков на УФ-спектрах от типа дефектов в структуре наночастиц. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p53-59.pdf |
621.315.592 Б 811 Бондарь, И. В. Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn[x]Fe[1-x]In[2]S[4] [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 44-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенные зоны -- кристаллы тройных соединений -- тройные соединения -- твердые растворы -- направленная кристаллизация -- спектры пропускания -- собственное поглощение -- квадратичная зависимость Аннотация: На кристаллах тройных соединений MnIn[2]S[4], FeIn[2]S[4] и твердых растворов Mn[x]Fe[1-x]In[2]S[4], выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом x изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p44-47.pdf |
621.315.592 Ф 815 Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se[2]/Mo, полученных на различных подложках [Текст] / В. Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 231-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительность -- тонкопленочные солнечные элементы -- ТСЭ -- солнечные элементы -- СЭ -- квантовая эффективность -- спектры квантовой эффективности -- подложки -- запрещенные зоны -- фотопреобразование -- солнечное излучение -- структуры -- тонкопленочные структуры -- результаты измерений Аннотация: Представлены результаты по измерению первых спектров относительной квантовой эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu (In, Ga) Se[2]/Mo, изготовленных на жесткой (стекло) и гибкой (полиимид) подложках. Исследован характер межзонных переходов и определены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в тонких пленках Cu (In, Ga) Se[2]. Обнаружено, что с переходом от жестких к гибким подложкам наблюдается смещение максимальной фоточувствительности полученных солнечных элементов в коротковолновую спектральную область. Сделан вывод о возможностях применений тонкопленочных структур Cu (In, Ga) Se[2] в качестве широкополосных фотопреобразователей солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p231-234.pdf Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Гременок, В. Ф.; Теруков, Е. И.; Байрамов, Б. Х.; Song, Y. W. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных дефектов технологического происхождения на оптические и фотоэлектрические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] [Текст] / А. П. Третяк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 321-326 : ил. - Библиогр.: с. 326 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): структурные дефекты -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- твердые растворы -- фотопроводимость -- ФП -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кристаллы -- запрещенные зоны Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] с изовалентным замещением из Mn в Cd. Определено положение максимумов фотопроводимости, фотолюминесценции и оценена ширина запрещенной зоны твердого раствора в зависимости от его компонентного состава. Проанализировано влияние технологических дефектов на особенности фотоэлектрических и оптических свойств твердого раствора. Установлено, что за центры, определяющие фоточувствительность кристаллов раствора, ответственны катионные вакансии. Центрами фотолюминесценции в интервале длин волн ~0. 77-0. 88 мкм (в зависимости от соотношения компонент в растворе) являются комплексы дефектов, состоящие из катионной и анионной вакансий. Предложена физически не противоречивая модель наблюдаемых явлений в растворе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p321-326.pdf Доп.точки доступа: Третяк, А. П.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Булатецкая, Л. В.; Парасюк, О. В. |