Применение диафрагмирования для снижения шумов в оптической системе регистрации атомно-силового микроскопа [Текст] / В. В. Бауков [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 13. - С. 40-46 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): диафрагмирование -- величины шумов -- атомно-силовой микроскоп -- кантилевер Аннотация: Предложено использовать диафрагмирование для снижения влияния поперечных блужданий лазерного пучка на общий уровень шумов в системе регистрации изгиба кантилевера по отклонению лазерного луча в атомно-силовом микроскопе (АСМ). Эффективность метода продемонстрирована экспериментально. Показано, что использование метода позволяет снизить уровень шумов до 0. 01 nm. Доп.точки доступа: Бауков, В. В.; Жижимонтов, В. В.; Беляев, А. В.; Саунин, С. А.; Быков, В. А. |
Измерение модуля Юнга биологических объектов в жидкой среде с помощью специального зонда атомно-силового микроскопа [Текст] / Д. В. Лебедев [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 54-61
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): модуль Юнга -- Юнга модуль -- атомно-силовой микроскоп -- биологические объекты -- зондовая микроскопия -- действие лекарственных препаратов Аннотация: Для получения более точных значений модуля Юнга с помощью атомно-силового микроскопа и предотвращения повреждения поверхности биологических объектов в жидкой среде использовался специально созданный зонд, на вершине которого был закреплен шарик диаметром 5 микрон. Использование такого зонда позволило зарегистрировать in situ увеличение модуля Юнга кровеносного сосуда крысы при воздействии на него хлоргексидина. Доп.точки доступа: Лебедев, Д. В.; Чукланов, А. П.; Бухараев, А. А.; Дружинина, О. С. |
Рехвиашвили, С. Ш. Влияние размерной зависимости поверхностного натяжения жидкой пленки на капиллярную силу в атомно-силовом микроскопе [Текст] / С. Ш. Рехвиашвили, Б. А. Розенберг, В. В. Дремов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 11. - С. 887-891
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): поверхностное натяжение -- жидкости -- пленки жидкости -- капиллярная сила -- атомно-силовой микроскоп -- уравнение Гиббса-Толмена-Кенига-Баффа -- Гиббса-Толмена-Кенига-Баффа уравнение Аннотация: При работе атомно-силового микроскопа в атмосферных условиях между зондом и образцом всегда имеется адсорбированная пленка влаги. Получено новое выражение для капиллярной силы, возникающей между зондом атомно-силового микроскопа и тонкой жидкой пленкой, с учетом размерной зависимости поверхностного натяжения жидкости, отвечающей точному решению уравнения Гиббса-Толмена-Кенига-Баффа. Проведенные расчеты удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Розенберг, Б. А.; Дремов, В. В. |
Атомно-силовая микроскопия наночастиц кобальта с электрокаталитическими свойствами [Текст] / С. А. Зиганшина [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 76-81
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- потенциостатическое электроосаждение -- пиролитический графит -- атомно-силовой микроскоп -- каталитическая активность Аннотация: Разработана методика потенциостатического электроосаждения на поверхность высокоориентированного пиролитического графита наночастиц кобальта с размерами от 30 до 400 нм, изображения которых были получены с помощью атомно-силового микроскопа. Специальная компьютерная программа использовалась для построения гистограмм распределения наночастиц по размерам в зависимости от потенциала электроосаждения, концентрации электролита и времени осаждения. Методом вольт-амперометрии установлено, что наибольшую каталитическую активность при электроокислении этанола проявляют наночастицы кобальта диаметром около 50 нм. Доп.точки доступа: Зиганшина, С. А.; Бухараев, А. А.; Шамсетдинова, Л. И.; Чукланов, А. П.; Бизяев, Д. А. |
Локальная наноразмерная декомпозиция пленки GeO под иглой атомно-силового микроскопа: наноструктурирование Ge [Текст] / К. Н. Астанкова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 29-36. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовой микроскоп -- локальная электротермическая декомпозиция пленки -- монооксид германия -- наноразмерные германиевые проволоки -- зондовая нанолитография -- электронная микроскопия высокого разрешения -- наноструктурирование германия Аннотация: В работе впервые продемонстрирован способ создания наноразмерных германиевых проволок на поверхности кремния посредством локальной модификации твердой пленки монооксида германия GeO (тв) c помощью сканирующей зондовой микроскопии. Свойством твердого монооксида германия является его метастабильность, что было использовано для осуществления локального распада пленки GeO на Ge и GeO2 при протекании электрического тока большой плотности под иглой атомно-силового микроскопа. Доп.точки доступа: Астанкова, К. Н.; Щеглов, Д. В.; Горохов, Е. Б.; Володин, В. А.; Черков, А. Г.; Латышев, А. В.; Vergnat, M. |
Измерение механических характеристик графенового слоя [Текст] // Природа. - 2009. - N 6. - С. 71
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики--США, 21 в. Кл.слова (ненормированные): графены -- упругость -- прочность на разрыв -- атомно-силовой микроскоп -- Юнга значение модуля Аннотация: Об эксперименте в Колумбийском университете (США) по определению упругих свойств графенов и их прочности на разрыв. Доп.точки доступа: Колумбийский университет |
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs [Текст] / Н. А. Берт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1426-1433 : ил. - Библиогр.: с. 1432-1433 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- заращивание квантовых точек -- InAs -- GaAs -- дефекты -- дисклокационные дефекты -- релаксация напряжений -- дислокационная релаксация -- заращенные квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Представлены электронно-микроскопические свидетельства дислокационной релаксации напряжений вблизи квантовых точек InAs, перешедших в объем GaAs путем заращивания. Обнаружено, что в некоторых объемных квантовых точках образуются дислокационные дефекты, не выходящие на поверхность пленки. Это указывает на релаксацию напряжений в заглубленном состоянии квантовой точки, а не на стадии образования и роста островка InAs на поверхности GaAs. Приводятся модели внутренней дислокационной релаксации заращенных квантовых точек. Доп.точки доступа: Берт, Н. А.; Колесникова, А. Л.; Неведомский, В. Н.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Романов, А. Е.; Селезнев, В. М.; Семягин, Б. Р.; Чалдышев, В. В. |
Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si). Доп.точки доступа: Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н. |
621.382 Н 193 Назарчук, Ю. Н. Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 32-35. - Библиогр.: c. 35 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- атомно-силовой микроскоп -- зонд Кельвина -- Кельвина зонд -- металлизация поверхностей -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод зонда Кельвина -- поверхностный потенциал Аннотация: С использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) в варианте метода зонда Кельвина (МЗК) проведены исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд - металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП). Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Торхов, Н. А. |
621.315.592 О-624 Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке [Текст] / П. А. Алексеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 659-664 : ил. - Библиогр.: с. 664 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): модуль Юнга -- Юнга модуль -- нанопроводы -- полупроводниковые нанопроводы -- подложки -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- конечные элементы -- аппроксимация нанопроводов -- кубические решетки -- дефекты упаковки Аннотация: В работе представлен удобный и оперативный метод измерения модуля Юнга полупроводниковых нанопроводов, наклонно стоящих на ростовой подложке. Метод состоит в упругом изгибе нанопровода под давлением зонда атомно-силового микроскопа с одновременной регистрацией нагрузочно-разгрузочных зависимостей возникающего изгиба балки зонда. Из этих зависимостей определяется коэффициент изгибной жесткости наклоненных нанопроводов и затем с учетом их габаритов находится модуль Юнга. Применение метода показано на примере нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке GaAs (111). Определение модуля Юнга с учетом реальной формы и огранки нанопроводов выполнялось по методу конечных элементов для случая упругого стационарного изгиба нанопроводов. Оказалось, что достаточно аккуратные оценки модуля Юнга могут быть получены и при использовании аппроксимации нанопроводов круглыми и цилиндрами с одинаковой площадью сечения. Для исследовавшихся нанопроводов GaAs с кубической решеткой значение модуля Юнга оказалось в 2-3 раза меньше его величины в объемном GaAs. Найденное отличие связывается с присутствием в нанопроводах дефектов упаковки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p659-664.pdf Доп.точки доступа: Алексеев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Стовпяга, А. В.; Lepsa, M.; Титков, А. Н. |