621.3 Р 690 Ромака, В. А. Особенности проводимости сильно легированного акцепторной примесью In интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn [Текст] / В. А. Ромака, Ю. В. Стаднык [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1059-1065` . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- ZrNiSn[1-x]In[x] -- легирование -- акцепторные примеси -- проводимость Аннотация: Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления и коэффициента термоэдс сильно легированного и сильно компенсированного полупроводникового твердого раствора ZrNiSn[1-x]In[x] в диапазоне температур T=80-380 K и диапазоне концентраций x=0. 005-0. 15. Доп.точки доступа: Стаднык, Ю. В.; Ромака, В. В.; Fruchart, D.; Гореленко, Ю. К.; Чекурин, В. Ф.; Горынь, А. М. |
Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника ZrNiSn. Акцепторная примесь Dy [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): акцепторные примеси -- интерметаллические полупроводники -- коэффициент термоэдс -- металлическая проводимость -- донорные примеси -- электронная структура Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника ZrNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Dy (уровень легирования 9. 5 х 10\{19\}-3. 8 х 10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Fruchart, D.; Ромака, В. В.; Hlil, E. K.; Стаднык, Ю. В.; Гореленко, Ю. К.; Аксельруд, Л. Г. |
Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe (Na+Te) [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1195-1198 : ил. - Библиогр.: с. 1198 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): межзонное рассеяние -- МР -- резонансное рассеяние -- спектры -- электронные спектры -- теллурид свинца -- PbTe -- дырки квазилокальных состояний -- квазилокальные состояния -- электропроводность -- термоэдс -- число Лоренца -- Лоренца число -- валентные зоны -- акцепторные примеси -- Na+Te -- температура -- эксперименталные данные -- рассеяние носителей тока Аннотация: В рамках двузонной модели с учетом межзонного рассеяния проведены расчеты концентрационных зависимостей кинетических коэффициентов в PbTe{Na + Te) в диапазоне 100-300 К. Результаты сопоставления расчетных и экспериментальных данных для температур ~ 100 К имеют противоречивый характер. Преодолеть эти трудности позволяет предположение о существовании в энергетическом спектре дырок квазилокальных состояний, связанных с введением Na + Те. Резонансное рассеяние носителей тока в эти состояния вносит как количественные (электропроводность), так и качественные (термоэдс, число Лоренца) изменения в температурное и концентрационное поведение транспортных свойств. На основании анализа результатов делается вывод, что роль резонансного рассеяния при низких температурах является основной. Предложен механизм образования квазилокальных состояний в валентной зоне материалов данной группы. Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
Исследование туннельных диодов GaAs: Si/GaAs: C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1253-1256 : ил. - Библиогр.: с. 1256 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- туннельные диоды -- GaAs: Si/GaAs: C -- исследование диодов -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- акцепторные примеси -- донорные примеси -- сопротивления -- дифференциальные сопротивления Аннотация: Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs: Si/GaAs: С методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей С и Si позволяет получить р-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~ 9 x 10{19}см{-3}. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока J[p] ~ 1. 53 к А/см[2] и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R ~30 мОм. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Симаков, В. А.; Сухарев, А. В.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 729-734 : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe. Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т. |
537.311.33 Д 440 Диагностика полупроводниковых структур с использованием терагерцового безапертурного ближнепольного микроскопа [Текст] / В. Н. Трухин [и др.] // Известия вузов. Радиофизика. - 2011. - Т. 54, № 8/9. - С. 640-648. - Библиогр.: с. 648 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ближнепольный микроскоп -- микроскопы -- полупроводниковые микроструктуры -- концентрация -- InAs -- акцепторные примеси -- примеси Аннотация: С помощью терагерцового ближнепольного микроскопа исследовано пространственное распределение концентрации носителей заряда в различных полупроводниковых микроструктурах. Для образца на основе InAs проведена оценка концентрации носителей заряда в низколегированном акцепторной примесью Zn слое InAsSbP. Доп.точки доступа: Трухин, В. Н.; Голубок, А. О.; Лютецкий, А. В.; Матвеев, Б. А.; Пихтин, Н. А.; Самойлов, Л. Л.; Сапожников, И. Д.; Тарасов, И. С.; Фельштын, М. Л.; Хорьков, Д. П. |
621.315.592 О-754 Особенности механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1130-1137 : ил. - Библиогр.: с. 1136 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллические структуры -- электронная плотность -- плотность энергии -- энергетические характеристики -- кинетические характеристики -- сильно легированные и компенсированные полупроводники -- СЛКП -- акцепторные примеси -- энергия активации -- прыжковая проводимость -- непрерывные энергии -- модуляция -- доноры -- структурные дефекты -- кобальт -- Co -- легирование кобальтом -- генерирование -- модель Шкловского - Эфроса -- Шкловского - Эфроса модель Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические и кинетические характеристики полупроводника HfNi[1-x]Co[x]Sn, сильно легированного акцепторной примесью Co в диапазонах: T=80-1620 K и N{Co}A от 9. 5 x 10{20} см{-3} (при x=0. 05) до 7. 6 x 10{21} см{-3} (при x=0. 40). Показано, что характер изменения значений энергии активации прыжковой проводимости varepsilon{rho}3 (x) и амплитуды модуляции зон непрерывных энергий varepsilon{alpha}1 (x) обусловлен появлением источника доноров в полупроводнике дырочного типа проводимости HfNi[1-x]Co[x]Sn. Установлено, что легирование n-HfNiSn акцепторной примесью Co сопровождается изменением степени компенсации полупроводника из-за одновременного генерирования как структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni атомами Co, так и донорной природы, при частичном занятии атомами Sn позиций атомов Ni. Обсуждение результатов ведется в рамках модели Шкловского-Эфроса сильно легированного и компенсированного полупроводника. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1130-1137.pdf Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Rogl, P.; Стаднык, Ю. В.; Ромака, В. В.; Hlil, E. K.; Крайовский, В. Я.; Горынь, А. М. |
621.315.592 Ф 796 Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия p-типа [Текст] / В. В. Литвинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 629-632 : ил. - Библиогр.: с. 631 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- дефекты -- легирование оловом -- олово -- кристаллы германия -- облучение электронами -- электронное облучение -- температура нагрева -- акцепторные примеси -- ионизация дырок -- электрические свойства Аннотация: Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия p-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge: Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0. 16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30-75 °C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110-150 °C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при E[v]+0. 29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p629-632.pdf Доп.точки доступа: Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б. |
539.2 С 306 Семина, М. А. Влияние локализации в квантовых ямах и квантовых проволоках на смешивание тяжелых и легких дырок и на энергию связи акцептора [Текст] / М. А. Семина, авт. Р. А. Сурис // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 947-955 : ил. - Библиогр.: с. 954 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- квантовые проволоки -- вариационный метод -- локализация дырок -- дырки (физика) -- энергия связи акцептора -- акцепторные примеси -- валентные зоны -- наноструктуры -- пробные функции Аннотация: При помощи вариационного метода, учитывающего сложную структуру валентной зоны, проведено исследование влияния локализации в квантовых ямах и в квантовых проволоках на энергию связи акцептора. Построены пробные функции, позволяющие проследить переход от объемного материала к узким квантовым проволокам малого радиуса. Показана возможность появления немонотонной зависимости энергии связи акцептора от размера системы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p947-955.pdf Доп.точки доступа: Сурис, Р. А. |
539.2 А 651 Андерсоновская локализация и псевдощель в энергетическом спектре дырок в PbTe : Tl при наличии резонансного рассеяния [Текст] / С. А. Немов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. 878-880. - Библиогр.: с. 880 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): акцепторные примеси -- псевдощель -- андерсоновская локализация -- легирование -- низкотемпературное сопротивление -- энергетический спектр -- резонансное рассеяние Аннотация: Подробно изучено влияние дополнительного легирования акцепторной примесью Na на низкотемпературное сопротивление образцов PbTe, легированных примесью Tl (2 at. %), создающей полосу резонансных состояний на фоне зонного спектра валентной зоны. С помощью дополнительного легирования натрием осуществлялось смещение уровня Ферми в пределах полосы резонансных состояний Tl в PbTe и изменялась степень заполнения дырками (k[h]) примесных состояний таллия. Большая часть образцов PbTe : (Tl, Na) переходит в сверхпроводящее состояние с критической температурой T[c]=0. 4-2. 3 K. Полученная зависимость T[c] (k[h]) свидетельствует о том, что в области резонансных состояний в PbTe : Tl наблюдается андерсоновская локализация дырок и псевдощель в плотности делокализованных состояний. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Равич, Ю. И.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В. |
539.21:537 О-754 Особенности механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh / В. А. Ромака [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллические структуры -- распределение электронов -- электроны -- электронная плотность -- энергетические характеристики -- кинетические характеристики -- магнитные характеристики -- интерметаллические полупроводники -- акцепторные примеси -- магнитные поля -- структурные дефекты -- дефекты -- электронные структуры -- результаты расчета -- результаты исследований -- полупроводники Шкловского - Эфроса -- Шкловского - Эфроса полупроводники Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh, в диапазонах температур T=80-400 K, концентраций акцепторов N[A]{Rh}~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21} см{-3} (x=0. 005-0. 10) и в магнитных полях H меньше либо равно 10 кГс. Установлено, что легирование сопровождается одновременным уменьшением концентрации, ликвидацией структурных дефектов донорной природы (до x~0. 02) и увеличением концентрации структурных дефектов акцепторной природы (0 меньше х меньше либо равно 0. 10). Выявлена зависимость степени компенсации полупроводника от температуры. Предложена модель пространственного расположения атомов в HfNi[1-x]Rh[x]Sn, а основанные на ней результаты расчета электронной структуры согласуются с результатами исследований кинетических и магнитных характеристик полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского - Эфроса. The crystal structure, electron density distribution, electrokinetic and magnetic properties of n-HfNiSn intermetallic semiconductor heavily doped with Rh acceptor impurity were investigated in the ranges of temperature T = 80-400K, acceptor concentration N{Rh}[A] примерно равно 9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21} cm{-3} (x = 0. 005-0. 10) and in magnetic fields H less-than or equal to 10 kGs. It was established that doping was accompanied by a simultaneous decrease of concentration and elimination of the structural defects of donor nature (up to x approximately equal to or 0. 02) and increase of concentration of acceptor ones (0 less x less-than or equal to 0. 10). The temperature dependence of the compensation degree in the semiconductor was found. The model of the atoms space arrangement in HfNi[1-x]Rh[x]Sn, and the results of electronic structure calculations based on this model were consistent with the results of electrokinetic and magnetic properties in the semiconductor. Discussion of the results was carried out in the framework of the heavily doped and compensated semiconductor model defects by Shklovskii - Efros. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1157-1164.pdf Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Rogl, P.; Стаднык, Ю. В.; Ромака, В. В.; Hlil, E. K.; Крайовский, В. Я.; Горынь, А. М.; Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины (Львов); Институт физической химии Венского университета (Австрия); Львовский Национальный университет им. И. Франко (Украина); Национальный университет "Львовская политехника" (Украина); Институт Нееля Национального центра научных исследований (Франция); Национальный университет "Львовская политехника" (Украина); Львовский Национальный университет им. И. Франко (Украина) |
536.42 Т 352 Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb / М. И. Федоров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 448-453 : ил. - Библиогр.: с. 453 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термоэлектрическая эффективность -- акцепторные примеси -- медь -- серебро -- натрий -- результаты исследований -- германий -- олово -- свинец -- интерметаллиды -- антимонид цинка Аннотация: В интерметаллическом полупроводнике ZnSb были приняты во внимание акцепторные примеси элементов I (медь, серебро) и IV групп (свинец, олово, германий). Дополнительное легирование было снабжено небольшим добавлением элементов I группы, которые могут быть сопровождаться образованием акцепторных состояний внутри запрещенной зоны, заполнение которых становится эффективным при высоких температурах. Второй эффект возникает в легированных образцах при температуре около 600 К независимо от состава акцепторных примесей и величины концентрации дырок; в нелегированных образцах он начинается примерно 400K. Этот эффект предшествует поколению собственных носителей. В результате использования двойного легирования были получены материалы с оптимальными термоэлектрическими свойствами в широком диапазоне температур. Для образцов с малой концентрацию Cu термоэлектрической эффективности ZT не было меньше, чем 0, 8 при 600 К и уменьшается только на 10% в диапазоне 575-725K. В образцах, легированных Ag она была больше, чем 0, 9 при 635K. In the intermetallic semiconductor ZnSb two effects of additional increase of Hall concentration were revealed when it was doped with elements of I (copper, silver) and IV (lead, tin, germanium) groups. The fist one was observed in the temperature range of 500-600K in the samples doped with impurities of both mentioned groups. Extra doping was provided with small addition of the element of I group that can be accompanied by the formation of acceptor states inside the band gap, the filling of which becomes efficient at high temperatures. The second effect emerges in the doped samples at the temperature about 600K independently of a composition of acceptor addition and of a magnitude of hole concentration; in undoped sample it starts at about 400K. This effect precedes intrinsic carrier generation. It is possible that intrinsic defects of the material can form localized stated near the conduction band bottom inside the band gap. Using double doping, the materials with optimal thermoelectric properties in the wide temperature range were obtained. For the samples with small Cu concentration the thermoelectric efficiency ZT was not smaller than 0. 8 at 600K and decreased only by 10% in the range of 575-725K. In the samples doped with Ag it was greater than 0. 9 at 635K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p448-453.pdf Доп.точки доступа: Федоров, М. И.; Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Константинов, П. П.; Пшенай-Северин, Д. А.; Шабалдин, А. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наукСанкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики |
539.2 О-754 Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Ru / В. А. Ромака [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1585-1591 : ил. - Библиогр.: с. 1591 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллические структуры -- электронные структуры -- энергетические характеристики -- кинетические характеристики -- акцепторные примеси -- полупроводники Шкловского - Эфроса -- Шкловского - Эфроса полупроводники -- экспериментальные данные -- структурные дефекты -- результаты расчетов Аннотация: Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические и кинетические характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Ru, в диапазонах температур T=80-400 K, концентраций Ru N[A]{Ru}~9. 5 x 10{19}-5. 7 x 10{20} см{-3} (x=0-0. 03). Установлен механизм генерирования структурных дефектов, приводящий к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении концентрации и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиций Hf (4a), генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni в позициях 4c атомами Ru и генерировании дефектов донорной природы в виде вакансий в позиции Sn (4b). Результаты расчета электронной структуры HfNi[1-x]Ru[x]Sn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского - Эфроса. The crystal and electronic structure, energy and kinetic properties of n-HfNiSn, heavy doped with Ru acceptor impurity in the ranges of temperature T = 80? 400K and Ru concentration N{Ru}[A] ~ 9. 5 x 10{19} - 5. 7 x 10{20} cm{-3} (x = 0? 0. 03) were investigated. The mechanism of generation of structural defects, leading to a change in the band gap and the degree of compensation of the semiconductor is determined. The mechanism essence is simultaneous concentration reduction and elimination of structural defects of the donor nature as a result of displacement of ~ 1% of Ni atoms from the positions of Hf (4a), generation of structural defects with acceptor nature by substitution of Ni by Ru atoms in 4c sites and generation of donor nature defects in the form of vacancies in Sn (4b) sites. The results of calculation of the electronic structure HfNi[1-x]Ru[x]Sn are in agreement with experimental data and are discussed in the framework of the heavy doped and compensated semiconductor model by Shklovsky - Efros. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1585-1591.pdf Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Rogl, P.; Ромака, В. В.; Стаднык, Ю. В.; Корж, Р. О.; Крайовский, В. Я.; Горынь, А. М.; Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины; Институт физической химии Венского университета; Национальный университет "Львовская политехника"; Львовский Национальный университет им. И. Франко; Национальный университет "Львовская политехника"; Национальный университет "Львовская политехника"; Львовский Национальный университет им. И. Франко |