537.311.322 Д 138 Давыдов, В. Н. Генерационная активность и структурные дефекты приповерхностного слоя кремния [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Беляев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремний -- аномальная генерация -- дефектоскопия -- диэлектрики Аннотация: Методом релаксации неравновесной емкости в сочетании с металлографическим методом исследуется взаимосвязь между образованием областей аномальной генерации в МОП-структурах из кремния и структурными нарушениями решетки его приповерхностного слоя. Выяснено, что в зависимости от продолжительности окисления возможно образование указанных областей с широким диапазоном значений их поверхностной концентрации и времени генерации носителей заряда, Наложением картин селективного травления и распределения времени генерации выбранного участка пластины установлено, что за образование областей аномальной генерации ответственны структурные нарушения, выявляемые травителем Сиртла в виде куполообразных фигур. Доп.точки доступа: Беляев, С. В.; Попов, В. В.; Рыбченков, А. А.; Мосейчук, А. Г. |
371 П 130 Пак, М. С. (д-р пед. наук; проф. зав. каф. методики обучения химии). Актуальные проблемы модернизации химического образования и развития химических наук [Текст] / М. С. Пак // Химия: методика преподавания. - 2004. - N 7 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Образование. Педагогика--Организация образования Кл.слова (ненормированные): высшее образование -- доклады -- модернизация образования -- образование -- организация образования -- педагогическое образование -- профессиональная школа -- развитие науки (химия) -- рофессиональное образование -- среднее образование -- учебно-методические коммисси -- химико-педагогическое образование -- химические науки -- химическое образование -- химия Аннотация: В Российском государственном педагогическом университете (РГПУ) им. С. И. Герцена 9-12 апреля 2004 года прошел методологический семинар химиков-педагогов в Санкт-Петербурге. Представленные доклады во всей полноте охватили актуальные проблемы современного химического образования. Доп.точки доступа: Волкова, Ю. М.; Киселева, Е. М.; Станкевич, К. А.; Новикова, А. В.; Иванова, И. С.; Пятышева, М. В.; Пономарева, Ю. Б.; Зелезинская, Я. Ю.; Кащеева, Ю. С.; Давыдов, В. Н.; Махова, Л. В.; Аршанский, Е. Я.; Хамитова, А. И.; Новик, И. Р.; Скопина, Ю. И.; Тупикин, Е. И.; Пак, М. С.; Пак, В. Н.; Тихомирова, И. Ю.; Суханов, С. В.; Шилов, С. М.; Лобов, Б. И.; Волков, В. Н.; Давтян, М. Н.; Касарицкая, О. В.; Шутова, И. В.; Куанышева, И. Б.; Гмох, Р.; Тхакушинова, А. Т.; Нодзыньска, М.; Першин, Р. В.; Щеголев, А. Е.; Швиркстс, Я. Я.; Шаталов, М. А.; Фадеев, Г. Н.; Биркун, Е. А.; Матвеева, Э. Ф.; Шагеева, Ф. Т.; Гаршин, А. П.; Литвинова, Т. Н.; Горский, М. В.; Шабаршин, В. М.; Соломатина, О. Ю.; методологический семинар химиков-педагогов; методологический семинар химиков-педагогов |
371.4 Д 13 Давыдов, В. Н. Eisenia fetida, или новая школьная технология [Текст] / В. Н. Давыдов // Школьные технологии. - 2005. - N 2. - С. 222-238. - Библиогр. в сносках . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
Рубрики: Образование. Педагогика--Теория и методика воспитания--Россия Кл.слова (ненормированные): пришкольный участок; учебно-опытный участок; биогумус; трудовое воспитание; бизнес; предпринимательство; сельское хозяйство; черви Аннотация: Рассматривается внедрение в работу пришкольного участка технологии по производству биогумуса. |
621.315.628 Д 13 Давыдов, В. Н. Изменение структурного состояния полупроводниковых соединений A{3}B{5} при механических воздействиях [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Беляев, А. Л. Кохлов // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 10. - С. 86-91. - Библиогр.: c. 91 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): соединения полупроводниковые; воздействия механические; антимонид индия; арсенид индия; полупроводники Аннотация: С помощью металлографического метода исследуется структурное состояние приповерхностных слоев антимонида и арсенида индия после локального воздействия статического упругого напряжения различной величины и продолжительности. Показано, что при малых напряжениях на поверхности полупроводника, окружающей место воздействия, концентрация фигур травления уменьшается, что приводит к очищению большой площади от структурных дефектов. При больших величинах упругого напряжения в области его приложения концентрация фигур травления возрастает. Предполагается, что в основе обсуждаемых изменений лежит действие двух противоположно направленных механизмов изменения концентраций дефектов: уменьшения за счет их ухода из области приложения упругого напряжения и увеличения концентрации дефектов за счет их генерации в поле упругих напряжений. Доп.точки доступа: Беляев, С. В.; Кохлов, А. Л. |
621.315.592 Р 690 Ромака, В. А. Механизм локальной аморфизации сильно легированного интерметаллического полупроводника Ti[1-x]V[x]CoSb [Текст] / В. А. Ромака, Ю. В. Стаднык [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 769-776 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): локальная аморфизация -- интерметаллические полупроводники -- дефекты донорной природы -- полупроводник Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводник -- решетка Вигнера-Зейтца -- Вигнера-Зейтца решетка Аннотация: Исследованы структурные и электрокинетические характеристики, произведен расчет распределения электронной плотности интерметаллического полупроводника TiCoSb, сильно легированного донорной примесью V (уровень легирования ~9. 5 х 10\{19\} - 1. 9 х 10\{21\} см\{-3\}, температуры 80-380 K). Установлена различная степень заполняемости атомных позиций Co и (Ti, V) в элементарной ячейке Ti[1-x]V[x]CoSb, что эквивалентно введению в полупроводник двух сортов акцепторов. Обнаружен срыв металлической проводимости в полупроводнике n-типа при увеличении концентрации донорной примеси, что объясняется одновременной генерацией акцепторов. Показано, что численные методы расчета адекватно описывают физические процессы, если при построении решетки Вигнера-Зейтца учитывать величину заполняемости атомных позиций элементарной ячейки. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Стаднык, Ю. В.; Аксельруд, Л. Г.; Ромака, В. В.; Fruchart, D.; Rogl, P.; Давыдов, В. Н.; Гореленко, Ю. К. |
Комплексы меди (I) с 2-бутин-1, 4-диолом. Синтез и кристаллическая структура анионного (пи) -комплекса ImH[CuCl[2]C (тройная связь) CCH[2]OH) ] (ImH{+} - катион имидазолия [Текст] / Ю. И. Слывка [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 2. - С. 205-211 : граф. - Библиогр.: с. 211 (10 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): дифрактограмма -- рентгеноструктурный анализ -- алкиновые соединения -- димеры -- рентгенофазовое исследование -- низкая симметрия решетки -- валентные углы Аннотация: Посвящено изучению возможности изоморфного замещения стронция на неодим в структуре стронциевого гидроксованадата. Доп.точки доступа: Слывка, Ю. И.; Мыхаличко, Б. М.; Горешник, Е. А.; Давыдов, В. Н. |
Давыдов, В. Н. Синергетические особенности быстрого охлаждения твердых тел [Текст] / В. Н. Давыдов, Данилов Г. Н. , А. А. Рыбченков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т. 45, N 4. - С. 69-73. - Библиогр.: с. 73 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- охлаждение -- температурные скачки Аннотация: Рассматриваются физические принципы экспериментально обнаруженного влияния условий охлаждения твердых тел на их кинетику температур, а также электрические свойства. Предполагается, что при высоких скоростях охлаждения при определенных температурах имеют место бифупкации, приводящие к скачкам температуры тела. Последние создают упругие напряжения, достаточные для генерации электрически активных структурных дефектов. Доп.точки доступа: Данилов Г. Н.; Рыбченков, А. А. |
543.62 Н 865 Нощенко, Г. В. Цвиттер-ионные пи-комплексы меди(I). Синтез и рентгеноструктурное исследование пи-комплекса хлорида меди(I) с хлоридом 4-этинил-4-гидрокси-2,2,6,6-тетраметилпиперидиния [Текст] / Г. В. Нощенко, Б. М. Мыхаличко, В. Н. Давыдов // Журнал неорганической химии. - 2012. - Т. 57, № 1. - С. 57–62 : рис. - Библиогр.: с. 62 (12 назв. )
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Анализ органических веществ Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): водородные связи -- кристаллы моноклинные -- рентгенофазовый анализ -- рентгеноструктурный анализ -- водные растворы Аннотация: Получены и изучены методами рентгеноструктурного и рентгенофазового анализа кристаллы первого моноядерного пи-комплекса хлорида меди (I) с однозамещенным алкином. Доп.точки доступа: Мыхаличко, Б. М.; Давыдов, В. Н. |
621.315.6 Д 138 Давыдов, В. Н. Шумовые свойства фоторезисторов на основе селенида кадмия при фоновой засветке [Текст] / В. Н. Давыдов, И. М. Мусина, А. С. Гребенников // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 3. - С. 90-96 : рис. - Библиогр.: c. 96 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): генерационно-рекомбинационный шум -- минимизация шумов -- селенид кадмия -- фликкер-шум -- фоновая засветка -- фоторезистор на основе CdSe -- фоторезисторы -- хвосты плотности состояний -- шумовое напряжение -- шумовые свойства фоторезисторов Аннотация: В результате исследования шумовых свойств фоторезистора на основе CdSe установлено, что при фоновой засветке определенной мощности имеет место минимум шума на его зависимости от напряжения смещения. Исследованы основные параметры обнаруженного минимума шума от мощности фоновой засветки. На основании расчета шумового напряжения и напряжения фотопроводимости показано, что обнаруженный минимум шума может быть связан только с особенностями формирования дисперсий числа свободных носителей заряда. Предположено, что уменьшение числа флуктуаций числа носителей заряда в разрешенных зонах возможно за счет протекания обратимых фотоструктурных преобразований в решетке полупроводника, вызванных захватом неравновесных дырок. Доп.точки доступа: Мусина, И. М.; Гребенников, А. С. |
378 Д 138 Давыдов, В. Н. Байки старого препода [Текст] / В. Н. Давыдов // Химия и жизнь - XXI век. - 2011. - № 11. - С. 44-46
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): преподаватели -- химики -- воспоминания -- высшие учебные заведения -- студенты Аннотация: Воспоминания преподавателя химии. |
621.315.592 Д 138 Давыдов, В. Н. Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям / В. Н. Давыдов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 70-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия Энергетика Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- пирокоэффициент -- пироэлектрическая поляризация -- пироэлектрический эффект -- поляризационные коэффициенты структур -- пьезоэлектрическая поляризация -- пьезоэлектрический эффект Аннотация: Из рассмотрения зарядовых свойств пары "квантовая яма - барьер", каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффициентов, пьезомодулей). Данное выражение аналитически простое, физически наглядное и позволяет вычислить требуемые коэффициенты для множественных квантовых ям с любым числом пар "квантовая яма - барьер". Приведенные численные оценки параметров множественных квантовых ям для различных соотношений толщин квантовой ямы и барьера согласуются с ожидаемыми из физического рассмотрения значениями. |