537.311.322 Б 907 Буланый, М. Ф. Исследование фотолюминесценции индивидуальных полос свечения ионов Mn{2+} в пластически деформированных кристаллах ZnS [Текст] / М. Ф. Буланый, А. А. Горбань [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.70 (17 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): ионы -- марганец -- пластическая деформация -- сульфид цинка -- фотолюминесценция -- центры свечения Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) в пластически деформированных (ПД) монокристаллах ZnS:Mn. Установлено, что процессы ПД обуславливают изменение количественного соотношения между отдельными типами марганцевых центров (МЦ) свечения, а также условий возбуждения у тех МЦ, ближайшее окружение которых перестроилось в процессе ПД Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml Доп.точки доступа: Горбань, А.А.; Коваленко, А.В.; Полежаев, Б.А.; Прокофьев, Т.А.; Хмеленко, О.В. |
537.311.322 Д 138 Давыдов, В. Н. Генерационная активность и структурные дефекты приповерхностного слоя кремния [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Беляев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремний -- аномальная генерация -- дефектоскопия -- диэлектрики Аннотация: Методом релаксации неравновесной емкости в сочетании с металлографическим методом исследуется взаимосвязь между образованием областей аномальной генерации в МОП-структурах из кремния и структурными нарушениями решетки его приповерхностного слоя. Выяснено, что в зависимости от продолжительности окисления возможно образование указанных областей с широким диапазоном значений их поверхностной концентрации и времени генерации носителей заряда, Наложением картин селективного травления и распределения времени генерации выбранного участка пластины установлено, что за образование областей аномальной генерации ответственны структурные нарушения, выявляемые травителем Сиртла в виде куполообразных фигур. Доп.точки доступа: Беляев, С. В.; Попов, В. В.; Рыбченков, А. А.; Мосейчук, А. Г. |
621.396 Г 80 Грехов, И. В. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов [] / И. В. Грехов, Г. А. Месяц // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 7. - С. 735-744. - Библиогр.: с. 744 (28 назв. ). - ил.: 10 рис., 1 табл. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): наносекундные диоды -- полупроводниковые диоды -- наносекундные размыкатели -- радиоэлектроника -- импульсные устройства Аннотация: Разработка полупроводниковых наносекундных и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 10{10} Вт) и частоты следования (до 10{4} Гц) импульсных устройств. Главное влияние в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Перейти: http:www.ufn.ru Доп.точки доступа: Месяц, Г. А. |
537.311.322 Б 890 Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): виртуальный кристалл; зарядовая нейтральность (физика); уровни нейтральной вакансии азота; энергетическое положение; радиационное воздействие; высокоэнергетическое радиационное воздействие Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
537 Б 890 Брудный, В. Н. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22. - Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): антиструктурные дефекты (физика); бинарные полупроводники; облученные полупроводники; полупроводники; уровень локальной зарядовой нейтральности; уровень Ферми; Ферми уровень Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): виртуальный кристалл -- зарядовая нейтральность (физика) -- уровни нейтральной вакансии азота -- энергетическое положение -- радиационное воздействие -- высокоэнергетическое радиационное воздействие Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
537.311.322 Н 139 Наблюдение бозе-конденсации экситонов в двуслойных электронных системах в отсутствие магнитного поля [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1155-1158. - Библиогр.: c. 1158 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): бозе-конденсация -- когерентность -- функция распределения -- магнитное поле -- межслоевая фазовая когерентность -- межслоевые экситоны -- низкие температуры -- экситоны -- экспериментальные данные -- эффект межслоевой фазовой когерентности Аннотация: При низких температурах в гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости в отсутствие магнитного поля. Анализ экспериментальных результатов позволяет считать, что этот пик есть следствие межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе, благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, т. е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям, в соответствии с недавними теоретическими предсказаниями. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Хенини, М. |
537.311.322 О-439 Одноэлектронный спинзависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки [Текст] / Е. Е. Вдовин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1159-1161. - Библиогр.: c. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- когерентность -- кулоновские осцилляции -- осцилляции -- туннельный ток -- экспериментальные данные -- электронный транспорт -- эффект межслоевой фазовой когерентности Аннотация: В структурах с расщепленным затвором, в которых самоорганизующиеся квантовые InAs-точки были расположены вблизи двухмерного электронного газа, обнаружены кулоновские осцилляции туннельного тока через счетное количество квантовых InAs-точек в канале в зависимости от напряжения на затворе, соответствующие возбужденным состояниям квантовых точек с противоположными спинами. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ханин, Ю. Н.; Шабельников, П. Л.; Eaves, L.; Henini, M. |
537.311.322 Ф 434 Ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную InAs-квантовую точку, индуцированная магнитным полем [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1162-1164. - Библиогр.: c. 1164 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- магнитное поле -- магнитотуннельная спектроскопия -- низкие температуры -- однобарьерные гетероструктуры -- туннельный ток -- туннельный транспорт -- ферми-краевая сингулярность -- эмиттер Аннотация: Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/ (Al-Ga) As/GaAs-гетероструктуру, содержащую самоорганизованные квантовые InAs-точки, при низких температурах. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Патанэ, А.; Хенини, М. |
53:001.121.18 И 206 Иванов, В. А. Разбавленные магнитные полупроводники и спинтроника [Текст] / В. А. Иванов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1651-1653. - Библиогр.: c. 1653 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Физика твердого тела Электричество и магнетизм Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): концентрированные магнитные полупроводники -- Кюри температура -- магнитные полупроводники -- магнитные примеси -- примесные спины -- разбавленные магнитные полупроводники -- спинтроника -- температура Кюри Аннотация: Дана классификация концентрированных и разбавленных магнитных полупроводников (КМП и РМП), охарактеризованы их физико-химические свойства для спинтроники. |
537.311.322 К 760 Кошелев, О. Г. О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин [Текст] / О. Г. Кошелев, авт. Е. А. Гусева // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 1. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 124 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электрический ток Энергетика Электрические измерения Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пластины -- миллиметровые волны -- субмиллиметровые волны -- интерференция -- конфокальные резонаторы -- фотопроводимость -- компьютерное моделирование -- экспериментальные погрешности -- Фурье ряд -- ряд Фурье Аннотация: Рассмотрена интерференция миллиметровых и субмиллиметровых волн в высокоомной полупроводниковой пластине, освещенной модулированным светом и помещенной в шейку пучка в открытом резонаторе перпендикулярно его оси. Доп.точки доступа: Гусева, Е. А. |