621.315.592 Р 690 Ромака, В. А. Механизм локальной аморфизации сильно легированного интерметаллического полупроводника Ti[1-x]V[x]CoSb [Текст] / В. А. Ромака, Ю. В. Стаднык [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 769-776 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): локальная аморфизация -- интерметаллические полупроводники -- дефекты донорной природы -- полупроводник Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводник -- решетка Вигнера-Зейтца -- Вигнера-Зейтца решетка Аннотация: Исследованы структурные и электрокинетические характеристики, произведен расчет распределения электронной плотности интерметаллического полупроводника TiCoSb, сильно легированного донорной примесью V (уровень легирования ~9. 5 х 10\{19\} - 1. 9 х 10\{21\} см\{-3\}, температуры 80-380 K). Установлена различная степень заполняемости атомных позиций Co и (Ti, V) в элементарной ячейке Ti[1-x]V[x]CoSb, что эквивалентно введению в полупроводник двух сортов акцепторов. Обнаружен срыв металлической проводимости в полупроводнике n-типа при увеличении концентрации донорной примеси, что объясняется одновременной генерацией акцепторов. Показано, что численные методы расчета адекватно описывают физические процессы, если при построении решетки Вигнера-Зейтца учитывать величину заполняемости атомных позиций элементарной ячейки. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Стаднык, Ю. В.; Аксельруд, Л. Г.; Ромака, В. В.; Fruchart, D.; Rogl, P.; Давыдов, В. Н.; Гореленко, Ю. К. |