621.383.52 А 91 Астахова, А. П. Длинноволновые фотодиоды на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GalnAsSb/p-AIGaAsSb [Текст] / А. П. Астахова, Б. Е. Журтанов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 23-29 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): длинноволновые фотодиоды -- термофотоэлектрические модули -- параметры фотоприемников Аннотация: Созданы длинноволновые фотодиоды на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb для спектральных диапазонов 1 - 2. 5 ? m и 1 - 4. 8 ? m , работающие при комнатной температуре. Оба типа фотодиодов обладают широкополосной фоточувствительностью, что говорит о полном разделении электронно-дырочных пар в ступенчатом n - р-гетеропереходе n-GalnAsSb/p-AlGaAsSb. Оценены шумовые параметры фотоприемников на основе созданных фотодиодов и перспективы использования этих приборов в термофотоэлектрических модулях с низкотемпературными источниками излучения. Доп.точки доступа: Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
621.3 С 829 Стоянов, Н. Д. Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb [Текст] / Н. Д. Стоянов, Б. Е. Журтанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 878-882 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- тиристорные гетероструктуры -- гетероструктуры -- электрические характеристики -- люминесцентные характеристики Аннотация: Предложен новый тип светодиодов - высокоэффективный светодиод с максимумом излучения на длину волны ламбда=1. 95 мкм на основе тиристорной гетероструктуры n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb и исследованы его электрические и люминесцентные характеристики. Показано, что в тиристорной структуре эффективная излучательная рекомбинация происходит в активной области GaInAsSb n-типа за счет двухсторонней инжекции дырок из соседних p-областей. В исследуемой структуре получен максимальный внутренний квантовый выход в импульсном режиме 77%. Средняя оптическая мощность достигала 2. 5 мВт, а пиковая мощность в импульсном режиме 71 мВт и превышала в 2. 9 раза величину мощности, полученную для стандартного светодиода n-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb, излучающего в том же спектральном диапазоне. Предложенный подход позволит улучшить параметры светодиодов во всем среднем инфракрасном диапазоне (2-5 мкм). Доп.точки доступа: Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Астахова, А. П.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П. |
621.315.592 А 910 Астахова, А. П. Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры [Текст] / А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 228-232 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диодные лазеры -- излучательные характеристики -- люминесценция -- квантовый выход люминесценции Аннотация: Для InAsSb/InAsSbP-диодных лазеров, генерирующих на длине волны 3. 1-3. 2 мкм, впервые определены скорости излучательной (включая переходы, индуцированные усиленной люминесценцией) и безызлучательной рекомбинации, внутренний квантовый выход люминесценции и матричный элемент для зона-зонных оптических переходов. Доп.точки доступа: Безъязычная, Т. В.; Буров, Л. И.; Горбацевич, А. С.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Яковлев, Ю. П. |
Сверхбыстрая частотная перестройка диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3-4 мю [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 20. - С. 44-50 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): диодные лазеры -- гетероструктуры -- диоднолазерная спектроскопия Аннотация: Изучено качество частотной перестройки диодного лазера на основе двойной гетероструктуры n-InAsSbP/n-InAsSb/p-InAsSbP при питании короткими импульсами тока с наклонной вершиной положительной крутизны. Обнаружено, что монотонность увеличения частоты перестриваемой моды со временем сохраняется в течение первых 30 мю m роста тока. Далее зависимость частоты от тока ослабляется из-за появления неперестраиваемых мод. Максимальный диапазон одночастотной монотонной перестройки достигается при малой длительности импульса (меньше 30 мю s), что открывает перспективу для создания сверхбыстрой диодной лазерной спектроскопии. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Данилова, Т. Н.; Именков, А. Н.; Калинина, К. В.; Сиповская, М. А.; Яковлев, Ю. П. |
Дисковые WGM-лазеры (ламбда=2. 4 мю m) с выпуклым резонатором, работающие при комнатной температуре [Текст] / Е. А. Гребенщикова [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 27-32 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): дисковые лазеры -- WGM-лазеры с выпуклым резонатором -- температура (физика) Аннотация: Впервые создан инфракрасный полупроводниковый WGM-лазер с длиной волны излучения 2. 4 мю m с выпуклым резонатором, работающим при комнатной температуре. Для получения выпуклого резонатора был разработан специальный травитель. Изучены спектры излучения при комнатной температуре. Созданный лазер генерирует WGM-моды при комнатной температуре в импульсном режиме. Доп.точки доступа: Гребенщикова, Е. А.; Ильинская, Н. Д.; Шерстнев, В. В.; Монахов, А. М.; Астахова, А. П.; Яковлев, Ю. П.; Boissier, G.; Teissier, R.; Баранов, А. Н. |
Экспериментальное наблюдение мод шепчущей галереи в лазерах с усеченным дисковым резонатором [Текст] / А. М. Монахов [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 76-82 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): моды шепчущей галереи -- полупроводниковые лазеры -- лазеры с усеченным дисковым резонатором Аннотация: Экспериментально обнаружены моды шепчущей галереи в лазерах с усеченным дисковым резонатором (полдиска и четверть диска), работающих на длине волны 2. 0-2. 4 мю m при комнатной температуре. Теоретически рассмотрена возможность генерации WG мод в секторальном резонаторе. Установлено, что для резонатора, имеющего форму полного диска или половины диска, межмодовое расстояние одинаковое, а для четвертьдиска удваивается. Предложен новый способ вывода излучения для WGM лазеров. Доп.точки доступа: Монахов, А. М.; Шерстнев, В. В.; Астахова, А. П.; Гребенщикова, Е. А.; Яковлев, Ю. П.; Boissier, G.; Teissier, R.; Баранов, А. Н. |
Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1. 0-2. 5 mum [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 19. - С. 8-15 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотодиодные структуры -- гетероструктуры -- системы газового анализа -- фотовольтаические преобразователи Аннотация: Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2. 5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga[0. 76]In[0. 24]As[0. 22]Sb[0. 78] различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1. 0-2. 5 mum. Получена обнаружительная способность D\{*\}[lambda]= (3-6) 10\{10\} cm Hz\{1/2\}/W и фотоэдс разомкнутой цепи V[oc]=0. 2 V. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/\tocont, обусловленная ударной ионизацией [Текст] / Н. Л. Баженов [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 23. - С. 1-6 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- изотипные гетероструктуры -- ударная ионизация -- электроны Аннотация: Сообщается об исследовании электролюминесценции в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GaInAsSb, которая характеризуется увеличением квантовой эффективности за счет генерации дополнительных электронно-дырочных пар благодаря процессам ударной ионизации носителей заряда вблизи гетерограницы, обусловленных наличием глубоких колодцев в исследуемой гетероструктуре. Доп.точки доступа: Баженов, Н. Л.; Журтанов, Б. Е.; Мынбаев, К. Д.; Астахова, А. П.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Смирнов, В. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары "светодиодная матрица--широкополосный фотодиод" среднего ИК диапазона (1. 6-2. 4 mu m) [Текст] / К. В. Калинина [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 2. - С. 99-104. - Библиогр.: c. 104 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): оптические анализаторы -- портативные оптические анализаторы -- анализаторы воды в нефти -- оптопары -- светодиоды -- фотодиоды -- вода -- спектры поглощения -- водо-нефтяные эмульсии -- нефть -- калибровочные кривые Аннотация: Впервые предложен оптический метод измерения воды в нефти на базе светодиодов и широкополосного фотодиода средней ИК-области спектра (1. 6-2. 4 mum). Для разработки данного метода были исследованы спектры поглощения чистой воды, необводненной нефти и водо-нефтяных эмульсий с различным содержанием воды с использованием десяти типов светодиодов в спектральном диапазоне 1. 6-2. 4 mum. Показано, что чистая вода сильно поглощает излучение светодиодов в области 1. 85-2. 05 mum, нефть - в диапазоне 1. 67-1. 87 mum, а излучение светодиода с масимумом 2. 20 mum одинаково слабо поглощается как водой, так и нефтью. Разработана оптическая ячейка анализатора воды в нефти на основе трехэлементной светодиодной матрицы с максимумами излучения на длинах волн 1. 65 (детектирование нефти), 1. 94 (детектирование воды) и 2. 2 mum (опорный сигнал) и широкополосного фотодиода, перекрывающего спектральный диапазон 1. 3-2. 4 mum. Определена калибровочная кривая, представляющая собой зависимость концентрации воды в нефти от значения приведенного сигнала, полученного обработкой трех сигналов светодиодов. На основе разработанного оптического метода измерения воды в нефти создан опытный образец портативного анализатора, позволяющий проводить измерения в оперативном режиме непосредственно на нефтяной скважине. Доп.точки доступа: Калинина, К. В.; Молчанов, С. С.; Стоянов, Н. Д.; Астахова, А. П.; Салихов, Х. М.; Яковлев, Ю. П. |
Фотодиоды для спектрального диапазона 1. 1-2. 4 мюm на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb, выращенной с использованием редкоземельных элементов [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 2. - С. 29-35 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- двойные гетероструктуры -- редкоземельные элементы Аннотация: Созданы и исследованы фотодиоды для спектрального диапазона 1. 1-2. 4 мюm на основе гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с узкозонным слоем n-GaInAsSb. Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Журтанов, Б. Е.; Астахова, А. П.; Калинина, К. В.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д. |
Полупроводниковый WGM-лазер с кольцевым резонатором, работающий при комнатной температуре [Текст] / В. В. Шерстнев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 19-27 : ил. - Библиогр.: с. 27 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Квантовые приборы Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- WGM-лазеры -- полупроводниковые лазеры -- инфракрасные лазеры -- полупроводниковые WGM-лазеры -- инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры -- резонаторы -- кольцевые резонаторы -- дисковые резонаторы -- комнатная температура -- длины волн -- импульсный режим -- сравнительные исследования -- спектральные характеристики -- пороговые характеристики -- кольцевые лазеры -- дисковые лазеры -- моды шепчущей галереи -- спонтанное излучение -- рекомбинация -- ток -- пороговая плотность тока Аннотация: Созданы инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры с кольцевым и дисковым резонатором (с внешним диаметром резонатора 300, 200 и 100 mum), работающие на длине волны 2. 4 mum при комнатной температуре в импульсном режиме. Проведены сравнительные исследования спектральных и пороговых характеристик лазеров и показано, что: кольцевые лазеры, как и дисковые, работают на модах шепчущей галереи, спонтанное излучение в кольцевых лазерах почти на порядок меньше, чем в дисковых лазерах за счет исключения из рекомбинации центральной части дискового лазера, пороговая плотность тока кольцевых лазеров незначительно превышает значение порогового тока дисковых лазеров за счет как возрастания плотности тока к краям дискового и кольцевого лазеров, так и появления поверхностных токов утечки на внутренней поверхности кольцевого лазера. Доп.точки доступа: Шерстнев, В. В.; Гребенщикова, Е. А.; Монахов, А. М.; Астахова, А. П.; Ильинская, Н. Д.; Boissier, G.; Teissier, R.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Частотно-перестраиваемый полупроводниковый WGM-лазер (lambda=2. 35 mum), работающий при комнатной температуре [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 50-57 : ил. - Библиогр.: с. 56-57 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- WGM-лазеры -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые WGM-лазеры -- частотно-перестраиваемые WGM-лазеры -- моды шепчущей галереи -- комнатная температура -- резонаторы -- секторные резонаторы -- ток -- импульсы тока -- частотная перестройка -- длины волн -- излучение -- межмодовые расстояния Аннотация: Исследована частотная перестройка WGM-лазера (2. 35 mum) c секторным резонатором. Обнаружено, что в процессе протекания импульса тока длительностью до 1. 2 mus наблюдается плавная перестройка длины волны излучения основной моды в длинноволновую сторону на 30 Angstrem при комнатной температуре, что больше межмодового расстояния в 1. 4 раза. Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Шерстнев, В. В.; Сиповская, М. А.; Астахова, А. П.; Гребенщикова, Е. А.; Монахов, А. М.; Калинина, К. В.; Boissier, G.; Teissier, R.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO[2] (lambda=4. 3 mum) [Текст] / А. С. Головин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 105-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- гетероструктуры -- спектроскопия -- CO -- углекислый газ -- флип-чип конструкции -- InAs/InAsSb Аннотация: Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4. 1-4. 3 mum. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов - с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 muW при токе 200 mA, в импульсном режиме - 0. 6 mW при токе 2 A. Доп.точки доступа: Головин, А. С.; Астахова, А. П.; Кижаев, С. С.; Ильинская, Н. Д.; Серебренникова, О. Ю.; Яковлев, Ю. П. |
Перестройка частоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами [Текст] / В. В. Шерстнев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 8. - С. 7-13 : ил. - Библиогр.: с. 13 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- WGM-лазеры -- полупроводниковые лазеры -- инфракрасные лазеры -- полупроводниковые WGM-лазеры -- инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры -- перестраиваемые WGM-лазеры -- резонаторы -- дисковые резонаторы -- длины волн -- температура -- частота генерации -- моды шепчущей галереи -- гетероструктуры -- InAsSb/InAsSbP -- оптические эффекты -- нелинейные эффекты -- нелинейные оптические эффекты -- излучение -- спектры излучения -- перестройка частоты Аннотация: Создан перестраиваемый инфракрасный полупроводниковый WGM-лазер с дисковым резонатором, работающий на длине волны 3. 5 mum при температуре 79 K. Изучены спектры излучения. Зарегистрирована плавная перестройка длины волны излучения основной моды в коротковолновую сторону на 11 Angstrem, обусловленная нелинейными оптическими эффектами. Доп.точки доступа: Шерстнев, В. В.; Именков, А. Н.; Астахова, А. П.; Гребенщикова, Е. А.; Кижаев, С. С.; Сиповская, М. А.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Дисковые WGM-лазеры (ламбда=3. 0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 124-127 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): WGM-лазеры -- инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры -- газофазная эпитаксия -- гетероструктуры -- металлорганические соединения Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений созданы инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры на длину волны 3. 04 мкм на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме. Изучены спектры излучения в интервале температур от 77 до 125 К. Лазеры имеют пороговый ток 25 мА при температуре 77 К. Созданные WGM-лазеры работают также в импульсном режиме до 125 К. Обнаружено существенное расширение динамического диапазона работы дисковых лазеров вплоть до токов, превышающих пороговый в 200 раз. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Астахова, А. П.; Гребенщикова, Е. А.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Кислякова, А. Ю.; Монахов, А. М.; Шерстнев, В. В.; Яковлев, Ю. П. |
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP [Текст] / В. В. Кабанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 522-526
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- фононы -- дисковые гетеролазеры -- жидкофазная эпитаксия -- шаровые резонаторы Аннотация: Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3. 03-3. 06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89. 9 до 92. 8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~10\{4\}. Доп.точки доступа: Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Шерстнев, В. В.; Астахова, А. П.; Яковлев, Ю. П. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |