Даунов, М. И. О природе "тяжелых" электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 180-186
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бесщелевые полупроводники p-типа -- HgTe -- тяжелые электроны -- электронный транспорт Аннотация: Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой "тяжелыми" электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R (T, H, P) и удельной электропроводности сигма[0] (T, P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |