Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] : текст / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. |