Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] : текст / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. |
Давыдов, С. Ю. Адсорбция на аморфных полупроводниках: модифицированная модель Халдейна-Андерсона [Текст] / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1206-1210. - Библиогр.: с. 1210 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- амофные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- модель Халдейна-Андерсона -- Халдейна-Андерсона модель -- кристаллическая подложка -- аморфная подложка -- подложки Аннотация: Модель Халдейна-Андерсона, использованная ранее для описания адсорбции на кристаллической подложке, обобщена на случай аморфного субстракта. Показано, что оснвоное отличие чисел заполнения адатома имеет место в том случае, когда атомный уровень перекрывается с запрещенной зоной (кристаллический полупроводник) и щелью подвижности (аморфный полупроводник). Оказалось, что заряд адатома в случае аморфной подложки меньше, чем в случае кристаллической подложки. Доп.точки доступа: Трошин, С. В. |
Даунов, М. И. Концепция порога подвижности: правило Иоффе и Регеля [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 10. - С. 1885-1890. - Библиогр.: с. 1890 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): порог подвижности -- правило Иоффе и Регеля -- Иоффе и Регеля правило -- кристаллические полупроводники -- фазовые переходы металл-диэлектрик Аннотация: Обсуждается характер фазовых переходов металл-диэлектрик в твердом теле, не связанных с изменением симметрии кристаллической решетки, по данным эксперимента в трехмерных слабо и сильно легированных кристаллических полупроводниках. Приведены минимальные металлические проводимости и подвижности, критические концентрации основных примесей и носителей заряда, коэффициенты компенсации в n-GaAs, p-Ge, p-CdSnAs[2] Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
621.315.592 М 533 Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 3-23 : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (70 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские исследования -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- донорные центры (физика) -- халькогениды свинца -- свинец -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- корреляционная энергия -- результаты исследований -- пространственная неоднородность -- полуметаллические металлоксиды меди -- медь -- электронная плотность -- кристаллические решетки -- фазовые переходы -- металлоксиды меди -- аморфные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- олово -- мышьяк -- германий Аннотация: Обсуждаются результаты исследования донорных U{-}-центров олова и германия в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Рассмотрены литературные данные по идентификации амфотерных U{-}-центров олова в стеклообразных бинарных халькогенидах мышьяка и германия с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, а также в многокомпонентных халькогенидных стеклах с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии. Анализируются литературные данные по идентификации двухатомных U{-}-центров меди в решетках полуметаллических металлооксидов меди методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Приводятся литературные данные по обнаружению пространственной неоднородности бозе-конденсата в сверхпроводящих полупроводниковых и полуметаллических соединениях и по существованию корреляции между изменением электронной плотности в узлах кристаллической решетки и температурой сверхпроводящего перехода. Рассматриваются принципиальные возможности использования мессбауэровских U{-}-центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе в полупроводниках и полуметаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p3-23.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
621.315.592 В 127 Вадим Валентинович Емцев [Текст] : (к 70-летию со дня рождения) // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 712-713 : портр. . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): юбиляры -- кристаллические полупроводники -- дефекты -- твердые растворы -- научные статьи -- монографии Аннотация: 16 апреля 2011 года исполнилось 70 лет заместителю главного редактора журнала "Физика и техника полупроводников" Вадиму Валентиновичу Емцеву. Эту работу он выполняет около 20 лет с большой ответственностью и прилагает все усилия для повышения авторитета журнала. В России и за рубежом В. В. Емцев хорошо известен как ведущий специалист в области изучения примесных центров и других дефектов структуры в кристаллических полупроводниках. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p712-713.pdf Доп.точки доступа: Емцев, Вадим Валентинович (специалист в области изучения полупроводников ; 1941-) |