620.1/.2 Б 688 Бледнова, Ж. М. Методики испытания и механические свойства материалов с эффектом памяти формы [Текст] : Обзор / Ж. М. Бледнова, Д. Г. Будревич // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 3. - Библиогр.: с. 45-46 (37 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника--Материаловедение--Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): деформации -- деформационные упрочнения -- деформирование -- износостойкость -- механические свойства -- неупругие деформации -- память формы -- силовые системы -- сплавы -- трещины -- упрочнение -- усталостные трещины -- эрозионная стойкость -- эффект памяти Аннотация: Рассмотрены методические аспекты исследования функциональных свойств материалов с эффектом памяти формы. Проведен анализ результатов исследований их механических свойств. Доп.точки доступа: Будревич, Д. Г. |
Лебедев, Э. А. Неустойчивость тока с S-образной вольт-амперной характеристикой в тонких пленках композитов на основе полимеров и неорганических частиц [Текст] / Э. А. Лебедев, Е. л. Александрова, А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 195-197. - Библиогр.: с. 197 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неустойчивость тока -- вольт-амперная характеристика -- тонкие пленки -- композиты -- композиты на основе полимеров -- эффект переключения -- эффект памяти -- гистерезис Аннотация: В тонких пленках композитов на основе полимеров - производных карбазола и неорганических частиц кремния - наблюдались эффекты переключения и памяти, проявляющиеся в переходе из высокоомного в низкоомное состояние. Установлено, что при малых толщинах композитных пленок сопротивление (первоначальная величина которого составляла не менее 100 M омега) при переходе из высокоомного в низкоомное состояние изменяется на три-четыре порядка. Для исследованных композитов этот переход сопровождается появлением S-образной вольт-амперной характеристики и наличием гистерезиса. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями термомеханических и электрических свойств полимера в композите. Доп.точки доступа: Александров, Е. Л.; Алешин, А. Н. |
621.375 Г 201 Гардымова, А. П. Мультистабильность в пленке капсулированного полимером холестерического жидкого кристалла, допированного ионным сурфактантом [Текст] / А. П. Гардымова, В. Я. Зырянов, В. А. Лойко // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 35-41 : ил. - Библиогр.: с. 41 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- жидкие кристаллы -- холестерические жидкие кристаллы -- ХЖК -- полимеры -- мультистабильность -- сурфактанты -- ионные сурфактанты -- эффект памяти -- композитные пленки -- поверхностное сцепление -- электрические поля -- электрические сигналы -- параметры сигналов -- стабильные состояния -- светопропускание Аннотация: Обнаружен эффект памяти в пленках капсулированного полимером холестерического жидкого кристалла, обусловленный модификацией поверхностного сцепления ионным сурфактантом под действием электрического поля. Подобраны параметры электрических сигналов, позволяющих переключать композитную пленку между стабильными состояниями с различным светопропусканием. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p35-41.pdf Доп.точки доступа: Зырянов, В. Я.; Лойко, В. А. |
621.315.592 Б 746 Богословский, Н. А. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках [Текст] / Н. А. Богословский, авт. К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 577-608 : ил. - Библиогр.: с. 605-607 (161 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электронные свойства -- структура полупроводников -- эффект памяти -- эффект переключения -- фазовые состояния -- электронные модели -- электронно-тепловое переключение -- туннельная ионизация -- модель Хуанга - Риса -- Хуанга - Риса модель -- халькогениды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- адиабатические потенциалы -- фазовый переход -- стекло-кристалл -- экспериментальные закономерности -- фазовая память Аннотация: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках известны уже почти полвека. Однако до сегодняшнего дня физика этих эффектов остается неизвестной. В последнее время интерес к данному вопросу вызван интенсивными разработками элементов энергонезависимой памяти нового поколения на основе фазового перехода халькогенидное стекло-кристалл. В данной работе приведен обзор основных экспериментальных закономерностей эффектов переключения и памяти, сделан обзор и анализ моделей эффекта переключения. Рассмотрены основные характеристики элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и используемых материалов. На основании этого сформулированы преимущества современных элементов фазовой памяти по сравнению с элементами памяти первого поколения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p577-608.pdf Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
537 В 586 Влияние температуры на ловушечный заряд в пленках (Ba, Sr) TiO[3] на кремнии [Текст] / А. А. Греков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 7. - С. 968-970. - Библиогр.: с. 970 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): ловушечные заряды -- кремний -- эффект памяти -- кинетика -- плоские зоны -- процессы релаксации Аннотация: Приведены результаты исследования влияния температуры на эффект памяти в структурах металл-сегнетоэлектрическая пленка-кремний, обусловленный ловушечным зарядом в пленке. Доп.точки доступа: Греков, А. А.; Толстоусов, С. В.; Кваско, Д. М.; Толстоусов, А. С. |
537.622 Т 822 Тулина, Н. А. Резистивные переключения в перовскитных соединениях с эффектом памяти: исследование метастабильных состояний гетероконтактов нормальный металл-монокристалл легированного манганита [Текст] / Н. А. Тулина, авт. И. Ю. Борисенко // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 5. - С. 741-744. - Библиогр.: c. 744 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Химия Физическая химия в целом Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): перовскитные соединения -- резистивные переключения -- эффект памяти -- метастабильные состояния -- температурная зависимость -- фазово-расслоенная среда -- магнитные свойства -- фазовое расслоение -- эффект электронной нестабильности -- эффект резистивных переключений -- гетероконтакты Аннотация: Показано, что в результате резистивных переключений в гетероконтактах монокристалл легированного манганита - нормальный металл в поверхностном слое манганита реализуется фазово-расслоенная среда, резистивные и магнитные свойства которой можно значительно варьировать, изменяя параметры резистивных переключателей. Доп.точки доступа: Борисенко, И. Ю. |
539.21:537 О-754 Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al[0.3] Ga[0.7] As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония / С. В. Тихов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): уровень Ферми -- Ферми уровень -- пиннинг -- анодные оксиды -- диоксид циркония -- пленки -- эпитаксия -- металлоорганические соединения -- долговременная память -- электроны -- эффект памяти -- диэлектрики -- границы раздела Аннотация: В структурах металл-оксид-полупроводник на основе пленок Al[0. 3]Ga[0. 7]As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al[0. 3]Ga[0. 7]As/оксид на расстоянии 1. 1 eV от потолка зоны проводимости Al[0. 3]Ga[0. 7]As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al[0. 3]Ga[0. 7]As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Тихов, С. В.; Горшков, О. Н.; Антонов, И. Н.; Касаткин, А. П.; Коряжкина, М. Н. |