22.37 С 891 Суворов, А. Л. Автоионно-микроскопические анализы роли различных компонентов слаборазбавленных сплавов вольфрама в формировании дефектной структуры областей развития каскадов атомных смещений [Текст] / А. Л. Суворов, А. Г. Залужный [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.121-122 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): автоинно-микроскопические исследования -- атомные смещения -- вакансии -- вольфрам -- вольфрамовые сплавы -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Приведены некоторые новые результаты комплексных автоионно-микроскопических исследований радиационных эффектов в сверхчистом вольфраме ВЧВ, технически чистом вольфраме ВА-3 и четырех слаборазбавленных сплавах вольфрама: П39А (W-Hf-C), ВТ-15 (W-1.5% ThO[2]), ВР-5 (W-5% Re), ВЖ-2 (W-2% Fe). Облучение образцов осуществлялось во внешнем устройстве ионами Ar{+} и Ni{+} с энергией 35 keV. Плотность ионного тока во всех случаях поддерживалась равной j=2.0 muA, флюенс облучения составлял Phi {t}=5*10{14} ion/cm{2}. Изучены особенности кластеризации единичных вакансий в облученных образцах во взаимосвязи с уровнем и типом содержащихся в них примесей. Получены и проанализированы распределения комплексов вакансий в облученных образцах по числу объединенных в них единичных вакансий. Обнаружено заметное различие таких распределений для объемов обедненных зон и объемов материала вне их. Косвенно измерены средние значения длин цепочек фокусированных замещающих столкновений атомов в образцах с различным уровнем и разным типом примесей. По этим результатам оценена эффективность захвата собственных междоузельных атомов различными примесями в вольфраме Доп.точки доступа: Залужный, А.Г.; Бобков, А.Ф.; Зайцев, С.В.; Бабаев, В.П.; Гусева, М.И.; Коршунов, С.Н.; Николаева, И.Н.; Залужный, А.А. |
Бобков, А. Ф. Некоторые аспекты использования углеродных материалов в автоэлектронных эмиссионных катодах [Текст] / А. Ф. Бобков, Е. В. Давыдов [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 102-103 (30 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): углеродный волокна -- плоские графиты -- автоэмиссионные катоды -- автоэлектронная эмиссия -- радиационные технологии -- термический отжиг Аннотация: Проведен детальный анализ преимуществ и недостатков использования углеродных волокон и плоских графитов с развитой поверхностью в качестве материалов катодов на основе автоэлектронной эмиссии. Приведены оригинальные результаты экспериментальных исследований элементного состава углеродных материалов, влияния термического отжига на их структуру и эмиссионные свойства, снижения работы выхода при имплантации в них цезия. Рассмотрены возможности радиационных технологий при создании плоских автоэмиссионных катодов с развитой поверхностью, оценена динамика изменения рельефа эмиттирующей поверхности в результате ее бомбардировки низкоэнергетичными ионами остаточных газов. Даны соображения о целесообразности реализации тех или иных конструктивных решений автоэмиссионных катодов для различных практических целей Доп.точки доступа: Давыдов, Е.В.; Зайцев, С.В.; Карпов, А.В.; Козодаев, М.А.; Николаева, И.Н.; Попов, М.О.; Скороходов, Е.Н.; Суворов, А.Л.; Чеблуков, Ю.Н. |
621.38 З 179 Зайцев, С. В. Точечный автоэлектронный катод для работы в техническом вакууме [Текст] / С. В. Зайцев, А. Ф. Бобков // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N8. - Библиогр.:с.1024 (7 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): автокатоды -- автоэлектронный катод -- вакуум -- ионная бомбардировка -- электрическое поле Аннотация: Предложен простой точечный автоэлектронный катод, устойчиво работающий в техническом вакууме. Упрощена конструкция и повышена защищенность катода от вредного воздействия остаточных газов (адсорбции и ионной бомбардировки) с использованием стеклянной капли специальной формы, защищающей эмитирующую поверхность. Показаны возможные области использования катода. Перейти: http://www/maik.ru Доп.точки доступа: Бобков, А.Ф. |
53 З-177 Зайцев, С. В. Магнитооптика и динамика магнитного полярона в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe [Текст] / С. В. Зайцев, Г. Шомиг, А. Форхел, Г. Бахер // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 7. - С. 402-406 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полумагнитные полупроводники -- магнитные поляроны -- квантовые точки Аннотация: При низких температурах исследована магнитооптика и пикосекундная динамика излучательной рекомбинации экситонов в самоорганизованных полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe. Поведение индивидуальных квантовых точек в магнитном поле и при повышении температуры свидетельствует о сильном обменном взаимодействии экситонов и магнитных ионов Mn, приводящем к формированию квази-нуль-мерного экситонного магнитного полярона. Когда энергия экситона превышает энергию внутрицентрового перехода Mn, происходит быстрый перенос энергии от экситонов к ионам Mn (быстрее 20 пс). В обратном случае за время жизни экситона ? 500 пс наблюдается существенный красный сдвиг (? 15 мэВ) максимума линии излучения, отражающий динамику формирования магнитного полярона с характерным временем ? 110 пс. Доп.точки доступа: Шомиг, Г.; Форхел, А.; Бахер, Г. |
530.1 З-177 Зайцев, С. В. Экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 6. - С. 1415-1434. - Библиогр.: с. 1433-1434 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Экситоны -- Конфайнмент -- Квантовые точки -- Искусственные квантовые точки -- Слабый пространственный конфайнмент -- Режимы конфайнмента Аннотация: Изучены экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента. Доп.точки доступа: Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г. |
621.3 З-177 Зайцев, С. В. Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1357-1362 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): селективная интердиффузия -- квантовые точки -- квантовые ямы -- гетероструктуры Аннотация: Индивидуальные квантовые точки реализованы методом селективной интердиффузии между барьерами и слоем квантовой ямы CdTe/CdMgTe. Гетероструктура с предварительно нанесенной на поверхность маской SiO[2], содержащей открытые апертуры диаметром вплоть до 140 нм, была подвергнута кратковременному отжигу в течение одной минуты при температуре 410\{o\}C. Отжиг вызывает диффузию атомов Mg в глубь квантовой ямы, существенно усиленную под маской. Возникший латеральный потенциал с минимумами в области апертур маски эффективно локализует носители, образующие квазинульмерные экситоны. Изучение излучательной рекомбинации свидетельствует о полной пространственной локализации экситонов, что проявляется в существенном сужении ширины линии экситонного перехода, а также наблюдении биэкситона и возбужденных состояний при высоких уровнях фотовозбуждения. Характерные значения энергий межуровневого расщепления и энергии связи биэкситона указывают на режим слабой локализации носителей в квантовых точках. Доп.точки доступа: Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г. |
621.315.592 З-177 Зайцев, С. В. Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe [Текст] / С. В. Зайцев, А. А. Максимов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 555-559 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное тунеллирование носителей -- фотовозбужденные гетероструктуры -- квазидвумерные структуры Аннотация: Показано, что в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких плотностях пространственно разделенных электронов и дырок достигаются условия резонансного туннелирования фотовозбужденных дырок из слоя ZnSe в слой BeTe. Обнаружено нелинейное поведение интенсивности полосы фотолюминесценции пространственно прямого оптического перехода от плотности фотовозбуждения. Проведенные численные расчеты находятся в хорошем согласии с экспериментальными результатами в широком диапазоне изменения величины оптической накачки. Доп.точки доступа: Максимов, А. А.; Тартаковский, И. И.; Яковлев, Д. Р.; Вааг, А. |
621.315.592 З-177 Зайцев, С. В. Релаксация экситонов в полумагнитных асимметричных двойных квантовых ямах [Текст] / С. В. Зайцев, А. С. Бричкин, П. С. Дорожкин, G. Bacher // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 831-845 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): релаксация экситонов -- экситоны -- циркулярно-поляризованная люминесценция -- полумагнитные ассиметричные двойные квантовые ямы -- квантовые ямы -- полумагнитные слои Аннотация: Детально изучена стационарная циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в полумагнитных асимметричных двойных квантовых ямах на основе Cd (Mn, Mg) Te в зависимости от поляризации внутриямного нерезонансного фотовозбуждения в магнитных полях B до 9 Тл. При малых B, когда экситон в магнитной яме выше по энергии экситона в немагнитной яме, наблюдается полная межъямная релаксация экситонов. Магнитополевой красный сдвиг экситона в магнитной яме, после пересечения с не зависящим от B экситонным переходом в немагнитной яме в полях B[c]=3-6 Тл, сопровождается установлением неравновесного распределения экситонов, что свидетельствует о существенной роли спиновой релаксации при межъямном разделении экситонов в спин-зависимом потенциале гетероструктуры. Эффективность спиновой релаксации определяется смешиванием состояний в валентной зоне немагнитной ямы и контролируется расщеплением тяжелой и легкой дырок дельта[hh-lh]. Обнаружены различные режимы межъямного туннелирования, разделенные полем B*[c] больше B[c], соответствующим пересечению уровней локализованных экситонов в немагнитной яме и свободных экситонов в магнитной яме. Обсуждены возможные механизмы межъямной туннельной релаксации. Доп.точки доступа: Бричкин, А. С.; Дорожкин, П. С.; Bacher, G. |
Собственные характеристики катодных и анодных материалов для литий-ионных аккумуляторов [Текст] / П. Е. Александров [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 8. - С. 1291-1295. - Библиогр.: c. 1295 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): анодные материалы -- гексагональная структура -- гистограммы распределения -- делитирование -- катодные материалы -- литий-ионные аккумуляторы -- плотность тока -- процессы циклирования -- рентгеноструктурный анализ -- тип тригональной сингонии -- электрохимическое поведение Аннотация: Рассмотрены некоторые основные аспекты решения проблемы увеличения работоспособности литий-ионных аккумуляторов при длительном циклировании и основные тенденции взаимосвязи собственных параметров активных материалов различных марок с электрохимическим поведением анодов и катодов. Доп.точки доступа: Александров, П. Е.; Анурова, А. И.; Петропавловский, М. Е.; Котляр, В. С.; Зайцев, С. В. |
Зайцев, С. В. Ситуация выбора как средство диагностики учебной мотивации и самооценки у младших школьников [Текст] / С. В. Зайцев // Вопросы психологии. - 2009. - N 5. - С. 54-63. - Библиогр.: с. 63 (14 назв. ) . - ISSN 0042-8841
Рубрики: Психология--Россия Детская психология Кл.слова (ненормированные): личностно-ориентированное образование -- ситуация выбора -- доминирующий мотив -- мотивация учения -- мотивация достижений -- учебная самооценка Аннотация: Результаты исследования, направленного на выявление возможностей использования учителем ситуации выбора учебного задания. |
Формирование метастабильных надбарьерных дырочных состояний в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высокой плотности оптического возбуждения [Текст] / А. А. Максимов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 8. - С. 587-591
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ZnSe/BeTe -- дырочные состояния -- фемтосекундные лазерные импульсы -- лазерные импульсы Аннотация: Обнаружено существенное замедление кинетики люминесценции пространственно прямых оптических переходов в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких уровнях накачки фемтосекундными лазерными импульсами. Эффект объясняется тем, что в условиях сильного изгиба зон при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных носителей возникает потенциальный барьер, который формирует метастабильное надбарьерное состояние для дырок в слое ZnSe. Это приводит к увеличению времени релаксации дырок по энергии при их переходе в соседний слой BeTe. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с проведенными численными расчетами. Доп.точки доступа: Максимов, А. А.; Зайцев, С. В.; Филатов, Е. В.; Ларионов, А. В.; Тартаковский, И. И.; Яковлев, Д. Р.; Вааг, А. |
Магнитооптика гетероструктур (Zn, Cd, Mn) Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны [Текст] / С. В. Зайцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 12. - С. 922-926
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полумагнитные гетероструктуры -- магнитооптика -- квантовые ямы Аннотация: Детально изучена магнитооптика в полумагнитных гетероструктурах с квантовыми ямами (КЯ) (Zn, Cd, Mn) Te/ZnTe. Для КЯ, содержащих Mn, наблюдается обычный эффект гигантского спинового расщепления: полная круговая поляризация в магнитных полях B больше 0. 5 Тл, огромный рост интенсивности, связанный с подавлением Оже-рекомбинации на ионах Mn, и сильный красный сдвиг сигма\{+\}-поляризованной компоненты. Напротив, структуры с немагнитными КЯ и удаленными полумагнитными слоями ZnMnTe демонстрируют противоположное поведение. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Иванов, С. В. |
Насретдинова, В. Ф. Зависящая от электрического поля энергетическая структура квазиодномерного проводника p-TaS[3] [Текст] / В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 10. - С. 607-611
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квазиодномерные проводники -- энергетическая структура -- фотопроводимость -- пайерлсовская щель -- щель пайерлсовская Аннотация: С помощью исследования спектральной зависимости фотопроводимости изучена энергетическая структура пайерлсовской щели в ромбическом TaS[3]. Наблюдаются край пайерлсовской щели, а также энергетические состояния внутри щели. Амплитуда пиков фотопроводимости, соответствующих состояниям внутри щели, зависит как от температуры, так и от электрического поля. Уже в поле порядка 1-10 В/см происходит перераспределение интенсивности между различными пиками. Малая величина электрического поля, приводящего к изменениям в спектре, свидетельствует о коллективном механизме возникновения энергетических состояний. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В. |
Нелинейная проводимость NbS[3] в металлической фазе высокого давления [Текст] / Е. М. Дижур [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 5. - С. 379-381
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): квазиодномерные проводники -- проводники -- электропроводность -- дифференциальное сопротивление -- нелинейная проводимость -- металлическая фаза Аннотация: Проведены измерения температурной зависимости электропроводности квазиодномерного проводника NbS[3] после перехода в металлическое состояние под давлением свыше 6 ГПа. Обнаружено появление области повышенного дифференциального сопротивления в слабых электрических полях меньше/равно 4 В/см, быстро исчезающей с увеличением температуры свыше 40 K, на фоне которой появляется узкий провал сопротивления при понижении температуры ниже 3. 7 K. Доп.точки доступа: Дижур, Е. М.; Костылева, И. Е.; Вороновский, А. Н.; Зайцев, С. В. |
Ферромагнитное воздействие дельта-Mn-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме [Текст] / С. В. Зайцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 10. - С. 730-735
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- нелегированные квантовые ямы -- спиновая поляризация -- обменное взаимодействие -- фермиевское вырождение Аннотация: Поляризационные свойства излучения нелегированной InGaAs квантовой ямы (КЯ) в InGaAs/GaAs гетероструктурах с дельта-Mn-слоем в GaAs барьере исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Найдено, что s, p-d обменное взаимодействие носителей в КЯ с ионами Mn в дельта-слое ведет к ферромагнитному поведению как их зеемановского расщепления, так и спиновой поляризации (с температурой Кюри, характерной для дельта-Mn-слоя в GaAs барьере). В области низких температур (T меньше 20 К) обнаружено насыщение поляризации спинов дырок, которое связано с их фермиевским вырождением. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В.; Дорохин, М. В.; Бричкин, А. С.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д. |
Зайцев, С. В. Перенормировка запрещенной зоны в сильно фотовозбужденных структурах типа II ZnSe/BeTe [Текст] / С. В. Зайцев, Д. Р. Яковлев, А. Вааг // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 224-229
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- запрещенные зоны гетероструктур -- ZnSe/BeTe -- фотовозбуждение Аннотация: В гетероструктурах типа II ZnSe/BeTe обнаружен значительный (больше 0. 1 эВ) красный сдвиг края межзонной рекомбинации в слоях ZnSe при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных электронов и дырок ~10\{13\} см\{-2\}. Наблюдаемая величина перенормировки запрещенной зоны превосходит значения, предсказываемые многочастичной теорией для случая плотных электронно-дырочных систем типа I при одинаковых концентрациях двумерных носителей. Численные расчеты показали существенное влияние макроскопических электрических полей, индуцируемых разделенными зарядами, на энергию прямого перехода в структуре типа II, что приводит к дополнительному уменьшению энергии перехода. В широких структурах с толщиной слоя ZnSe ~ больше 15 нм происходит ослабление эффекта перенормировки, что связывается с неполным пространственным разделением фотовозбужденных носителей в условиях сильного изгиба зон и ослаблением влияния электрических полей. Доп.точки доступа: Яковлев, Д. Р.; Вааг, А. |
Зайцев, С. В. К вопросу защиты прав граждан и организаций от неправомерных действий государства в процессе осуществления правосудия [Текст] / С. В. Зайцев // Арбитражный и гражданский процесс. - 2010. - N 7. - С. 11-16. - Библиогр.: с. 16 . - ISSN 1812-383Х
Рубрики: Право Гражданское процессуальное право Кл.слова (ненормированные): гражданское судопроизводство -- разумный срок -- исполнение судебных актов -- защита прав -- компенсация Аннотация: В статье рассматривается проблема защиты прав граждан и организаций от неправомерных действий шгосударства в процессе осуществления правосудия в свете принятия Федерального закона от 30. 04 2010 г. N 68-ФЗ "О компенсации за нарушение права на судопроизводство в разумный срок или права на исполнение судебного акта в разумный срок". Автор излагает общую концепцию закона, дает оценку созданного правового механизма как с общетеоретической, так и с практической точки зрения. Доп.точки доступа: Конституционный Суд Российской Федерации |
Зайцев, С. В. Двухмагнонное комбинационное рассеяние света в диэлектрических и сверхпроводящих кристаллах YBa[2]Cu[3]O[6+x] [Текст] / С. В. Зайцев, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 4. - С. 659-668. - Библиогр.: с. 667-668 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- кристаллы YBa[2]Cu[3]O[6+x] -- диэлектрические кристаллы -- сверхпроводящие кристаллы -- двухмагнонное рассеяние света -- комбинационное рассеяние света -- рассеяние света -- свет Аннотация: Проведено детальное исследование двухмагнонного комбинационного рассеяния света в диэлектрических и сверхпроводящих кристаллах YBa[2]Cu[3]O[6+x]. Доп.точки доступа: Максимов, А. А.; Тартаковский, И. И. |
Влияние параметров дельтаMn-легирования GaAs-барьера на циркулярно поляризованную люминесценцию гетероструктур GaAs/InGaAs [Текст] / М. В. Дорохин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2147-2152. - Библиогр.: с. 2151-2152 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): параметры -- низкотемпературная электролюминисценция -- циркулярная поляризация Аннотация: Исследована циркулярная поляризация низкотемпературной электролюминесценции диодов на основе гетероструктур с нелегированной квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Бричкин, А. С.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Прокофьева, М. М.; Шолина, А. Е. |
535.37 З-179 Зайцев, С. В. Излучательная рекомбинация в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей [Текст] / С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 4. - С. 738-751. - Библиогр.: с. 751 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): высокая плотность -- плотность -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- носители -- свободные носители -- гетероструктуры второго типа Аннотация: Изучение излучательной рекомбинации в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей. |