669 Б 331 Башев, В. Ф. Влияние неравновесного осаждения из парообразного состояния на фазовый состав и свойства пленок Fe-Mg [Текст] / В. Ф. Башев, О. Е. Белецкая, З. В. Балюк, С. И. Рябцев // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N1. - Библиогр.:с.81 (7 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): железо -- фазовый состав -- химические соединения -- ионно-плазменное распыление -- магний -- неравновесные осаждения -- метастабильные фазы -- сплавы -- магнитные свойства -- температура отжига -- фазовый состав -- электрическое сопротивление Аннотация: Представлены результаты по ионно-плазменному распылению наборных мишеней системы Fe-Mg. В свеженапыленных исходных пленках зафиксировано образование метастабильных фаз: микрокристаллической с размерами когерентных областей рассеяния и фазы Fe[50]Mg[50] со структурой типа альфа-W(альфа=0.3992нм). Установлено, что наиболее высокие значения коэрцитивной силы фиксируются при наличии в пленке смеси фаз: альфа-Fe + MgO. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Белецкая, О.Е.; Балюк, З.В.; Рябцев, С.И. |
Процив, Ю. В. Методика расчета увеличения размеров зерен металлических материалов в зависимости от режимов отжига [Текст] / Ю. В. Процив // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 7. - С. 21-29. - Библиогр.: с. 29 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): отжиг -- зерна металлических материалов -- металлические материалы -- режимы отжига -- номограммы -- температура отжига Аннотация: Предложена методика расчета увеличения размеров зерен в металлических материалах в зависимости от воздействия отжигов различной продолжительности при различных температурах. |
Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В. |
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A. |
Исследование влияния отжига на структуру пленок Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3] [Текст] / Н. М. Абдуллаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 853-856 : ил. - Библиогр.: с. 856 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- твердые растворы -- Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3] -- отжиг -- пленочные поликристаллы -- температура отжига -- кристаллизация поликристаллов -- поликристаллы Аннотация: Исследована динамика кристаллизации пленочных поликристаллов системы твердого раствора Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3], отожженных при температуре 200-230{o}C. Показано, что в зависимости от времени и температуры отжига наблюдается образование упорядоченных блоков размером 70-150 нм. Доп.точки доступа: Абдуллаев, Н. М.; Мехтиева, С. И.; Меммедов, Н. Р.; Рамазанов, М. А.; Керимова, А. М. |
Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1074-1077 : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига. Доп.точки доступа: Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н. |
Якимов, Е. Е. Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC) [Текст] / Е. Е. Якимов, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1280-1283 : ил. - Библиогр.: с. 1282 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиодные структуры -- люминесценция -- краевая люминесценция -- метод наведенного тока -- IBIC -- ионная имплантация -- постимплантационный отжиг -- температура отжига -- неосновные носители заряда -- светодиоды -- безызлучательная рекомбинация -- p-n переходы Аннотация: Кремниевые светодиодные структуры с краевой люминесценцией исследованы методом наведенного тока. Структуры были изготовлены методом ионной имплантации и отличались температурой заключительной стадии постимплантационного отжига (950 и 1000{o}C). Увеличение температуры отжига сопровождается увеличением диффузионной длины неосновных носителей заряда в области светодиода, где и имеет место краевая люминесценция, от 1-2 до 25-35 мкм и уменьшением неоднородности распределения центров безызлучательной рекомбинации в этой области в латеральном направлении, параллельном плоскости p-n-перехода, что и приводит к наблюдавшемуся существенному росту интенсивности краевой люминесценции. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1494-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |
546 T 82 Transformation of onion-like carbon from nanodiamond by annealing [Text] / Q. Zou [et al.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 2. - С. 165-169 : Рис. 3. - Библиогр.: с. 169 (18 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): наноматериалы -- углерод -- термообработка -- температура отжига -- рентгеновские лучи Доп.точки доступа: Zou, Q.; Li, Y. G.; Lv, B.; Wang, M. Z.; Zon, L. H.; Zhao, Y. C. |
666.29 S 54 Shi, Feng Effect of annealing temperature on microstructure of microwave dielectric ceramic thin films fabricated by rf magnetron sputtering [Текст] / Feng Shi, aut. Chuanwen Cui // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 5. - С. 636-640 : Табл. 2, рис. 5. - Библиогр.: с. 640 (9 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химическая технология Керамические изделия Кл.слова (ненормированные): керамические пленки -- отжиг -- температура отжига -- микроструктура -- электронная микроскопия -- атомная микроскопия -- диэлектрические керамические пленки Доп.точки доступа: Cui, Chuanwen |
621.78 S 89 Structural and phase transformation behaviour of electroless Ni-W-Cr-P alloy coating on stainless steel [Текст] / Yong Jin [et al.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 6. - С. 709-715 : Рис. 11, табл. 4. - Библиогр.: с. 715 (14 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Кл.слова (ненормированные): сплавы -- термообработка -- микротвердость -- кристаллизация -- отжиг -- Ni-W-Cr-P -- температура отжига Доп.точки доступа: Jin, Yong; Fan, Jing; Mou, Ke; Wang, Xuejuan; Ding, Qun; Li, Yuan; Chunmei, Liu |
537.311.33 У 677 Управление шириной запрещенной зоны оксида графита дозированным восстановлением в водороде [Текст] / В. М. Микушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 20. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): графит -- оксид графита -- запрещенные зоны оксида -- ширина зоны -- водород -- дозированное восстановление -- спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- синхронное излучение -- химический состав -- электронные структуры -- нанопленки -- отжиг -- температура отжига -- диэлектрики -- проводники Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхронного излучения исследована трансформация химического состава и электронной структуры нанопленок оксида графита, вызванная их отжигом в атмосфере водорода. Установлено, что химическим составом и шириной запрещенной зоны оксида графита возможно управлять, регулируя температуру отжига. При этом свойства оксида графита можно плавно изменять от диэлектрика до проводника. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/20/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Микушкин, В. М.; Шнитов, В. В.; Никонов, С. Ю.; Дидейкин, А. Т.; Вуль, С. П.; Вуль, А. Я.; Саксеев, Д. А.; Вялых, Д. В.; Вилков, О. Ю. |
536.42 П 880 Пугачевский, М. А. Морфологические и фазовые изменения аблированных частиц TiO[2] при термическом отжиге [Текст] / М. А. Пугачевский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 7. - С. 56-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): титан -- диоксид титана -- аблированные частицы -- наночастицы -- получение наночастиц -- фазовые изменения -- морфологические изменения -- термический отжиг -- лазерная абляция -- лазерное воздействие -- импульсное воздействие -- микроскопия -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- рентгеноструктурный анализ -- фазовый состав -- морфология частиц -- температурный отжиг -- анатаз -- рутил -- размеры частиц -- количественные зависимости -- температура отжига -- температурные воздействия Аннотация: Разработана методика получения наночастиц диоксида титана методом лазерной абляции. Установлено, что при импульсном лазерном воздействии с интенсивностью 10{9} W/m{2} диоксид титана распыляется частицами размером от 10 до 50 nm. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа изучены фазовый состав и морфология частиц. Установлено, что температурный отжиг свыше 600 °C приводит к увеличению размеров частиц и трансформации их структуры из анатаза в рутил. Определены количественные зависимости размеров частиц и фазового состава от температуры отжига. Показано, что метод лазерной абляции позволяет получить фазу анатаза с повышенной устойчивостью к температурным воздействиям. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/07/p56-63.pdf |
539.21:535 П 880 Пугачевский, М. А. УФ-спектр поглощения наночастиц диоксида титана, аблированных лазерным излучением [Текст] / М. А. Пугачевский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 58-59 (19 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Ультрафиолетовые лучи Кл.слова (ненормированные): диоксид титана -- наночастицы -- спектры поглощения -- УФ-спектры -- ультрафиолетовые спектры -- ультрафиолетовое излучение -- УФ-излучение -- лазерное излучение -- лазерная абляция -- метод лазерной абляции -- анализ спектров -- частицы -- запрещенные зоны -- интенсивность излучения -- получение наночастиц -- отжиг частиц -- температура отжига -- дефекты Аннотация: Исследуются спектры поглощения ультрафиолетового (УФ) излучения наночастицами диоксида титана, полученные методом лазерной абляции. На основе анализа спектров определяется ширина запрещенной зоны частиц и влияние на нее различных факторов, таких как интенсивность лазерного излучения при получении наночастиц и температура последующего отжига частиц в печи. Обсуждается зависимость положения пиков на УФ-спектрах от типа дефектов в структуре наночастиц. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p53-59.pdf |
621.315.592 Г 901 Грузинцев, А. Н. Термо- и фотопроводимость кристаллов CuI p-типа проводимости [Текст] / А. Н. Грузинцев, авт. В. Н. Загороднев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 38-43 : ил. - Библиогр.: с. 42-43 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): иоинид меди -- CuI -- термопроводимость -- фотопроводимость -- электрическое сопротивление -- электросопротивление -- кристаллы -- ФП -- собственные дефекты -- дефекты -- температура отжига -- кристаллические решетки Аннотация: Исследовано влияние отжига в вакууме кристаллов иодида меди (p-типа проводимости) на их электрическое сопротивление, прозрачность, термо- и фотопроводимость в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что проводимость и прозрачность CuI увеличиваются при низких температурах отжига и уменьшаются с ростом температуры отжига в вакууме в течение 60 мин. Установлена связь данных процессов с образованием собственных дефектов донорного или акцепторного типа в кристаллической решетке иодида меди. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p38-43.pdf Доп.точки доступа: Загороднев, В. Н. |
621.315.592 С 873 Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 198-203 : ил. - Библиогр.: с. 202 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные превращения -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- рентгеновская дифракция -- термический отжиг -- термоотжиг -- отжиг -- сульфид цинка -- ZnS -- высокотемпературный синтез -- шихта -- температура отжига -- парамагнитные центры -- синтез Аннотация: Исследовано влияние отжига при 800 °C на спектры фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции порошкообразного ZnS: Cu, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из шихты, содержащей Zn, S и CuCl. Показано, что вариация скорости нагрева материала до температуры отжига приводит к немонотонному изменению спектрального положения и ширины на полувысоте полосы фотолюминесценции в сине-зеленой области спектра, а также концентрации парамагнитных центров Mn{2+}. Установлено, что после синтеза в порошке присутствуют кубическая и гексагональная фазы ZnS, а также фазы ZnO и CuZn. Показано, что отжиг полученного порошка при 800 °C приводит к протеканию трех процессов: преобразованию гексагональной фазы ZnS в кубическую, окислению ZnS и CuZn, а также диффузии Cu в объем микрокристаллов ZnS из фазы CuZn. Предложена модель, объясняющая наблюдающиеся изменения в спектрах люминесценции и электронного парамагнитного резонанса протеканием процессов диффузии примесей Cu и Mn в объем микрокристаллов, в частности из фазы CuZn, а также их акккумуляцией на протяженных дефектах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p198-203.pdf Доп.точки доступа: Бачериков, Ю. Ю.; Корсунская, Н. Е.; Кладько, В. П.; Венгер, Е. Ф.; Баран, Н. П.; Кучук, А. В.; Жук, А. Г. |
621.315.592 К 683 Король, В. М. Ионное легирование германия натрием [Текст] / В. М. Король, авт. Yu. Kudriavtsev // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 268-273 : ил. - Библиогр.: с. 272-273 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионное легирование -- германий -- Ge -- натрий -- Na -- донорные свойства (физика) -- имплантация -- удельное сопротивление -- температура отжига -- отжиг -- термозонды -- ионы -- диффузия атомов -- атомы -- имплантированные атомы Аннотация: Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в p-Ge с удельным сопротивлением 20-40 Ом x см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0. 8, 3, 30) x 10{14} см{-2}). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов R[p]. Отжиг при температурах 250-700 °C (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700 °C в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300-400 °C, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p268-273.pdf Доп.точки доступа: Kudriavtsev, Yu. |
621.315.592 Ф 815 Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии [Текст] / Д. М. Жигунов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 369-375 : ил. - Библиогр.: с. 374-375 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- аморфные нанокластеры -- кристаллические нанокластеры -- нанокластеры кремния -- кремний -- субоксид кремния -- термический отжиг -- термоотжиг -- стехиометрия -- тонкие пленки -- термическое распыление -- термораспыление -- мишени -- кремниевые нанокластеры -- подложки -- люминесцентные свойства -- температура отжига Аннотация: Методом фотолюминесценции изучено влияние стехиометрии тонких пленок субоксида кремния SiO[x] на процессы формирования и эволюции кремниевых нанокластеров при термическом отжиге. Образцы получены путем термического распыления мишени SiO в атмосфере кислорода с последующим осаждением слоя SiO[x] толщиной 500 нм на подложку из кремния. Морфология и размер кремниевых нанокластеров определялись путем анализа спектров и кинетики фотолюминесценции. Проведено сравнительное исследование люминесцентных свойств тонких слоев SiO[x] с параметрoм стехиометрии x=1. 10, 1. 29, 1. 56 и 1. 68, отожженных при различных температурах в диапазоне от 850 до 1200 °C. Изучено влияние температуры отжига, параметра стехиометрии исходной пленки субоксида кремния, а также размеров нанокластеров кремния на времена спада фотолюминесценции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p369-375.pdf Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Швыдун, Н. В.; Емельянов, А. В.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К.; Семиногов, В. Н. |
539.2 В 586 Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия [Текст] / В. М. Бойко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 136-142 : ил. - Библиогр.: с. 142 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронное облучение -- облучение нейтронами -- температура отжига -- флюенсы нейтронов -- реакторные нейтроны -- термообработка -- термическая обработка -- электрофизические свойства -- решетки -- эпитаксиальные слои -- подложки -- удельное сопротивление -- радиационные дефекты -- нейтроны Аннотация: Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов (Phi=1. 5 x10{17}-8 x 10{19} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000{o}C на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3]. Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1-2) x 10{18} см{-2} удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 10{10} Ом x см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2 x 10{6} Ом x см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c с ростом флюенса нейтронов до 8 x 10{19} см{-2} увеличивается на 0. 38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000{o}C не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p136-142.pdf Доп.точки доступа: Бойко, В. М.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Меркурисов, Д. И.; Поляков, А. Я.; Чевычелов, В. А. |
539.2 А 954 Ахмедова, Г. А. Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов PbTe, легированных таллием [Текст] / Г. А. Ахмедова, Г. Дж. Абдинова, Д. Ш. Абдинов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 149-151 : ил. - Библиогр.: с. 151 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- PbTe -- электрические свойства -- легирование таллием -- таллий -- отжиг -- температура отжига -- теллур Аннотация: Выяснено, что значения электрических параметров образцов монокристаллов PbTe и характер зависимости этих параметров от температуры и концентрации примеси Tl, а также тип проводимости кристаллов (знаки alpha и R) существенно определяются температурой предварительного их отжига. Это объясняется тем, что с ростом температуры отжига растет концентрация двукратно заряженных вакансий в подрешетке теллура, приводящей к увеличению вероятности образования электронейтральных или однократно заряженных комплексов типа примесный атом-вакансия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p149-151.pdf Доп.точки доступа: Абдинова, Г. Дж.; Абдинов, Д. Ш. |