621.3 К 139 Кажукаускас, В. Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы [Текст] / В. Кажукаускас, Р. Ясюленис, В. Календра, Ю. Вайткус // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 356-363 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): детекторы ионизирующего излучения -- ионизирующее излучение -- протоны -- облучение протонами -- карбид кремния Аннотация: Исследовалось воздействие облучения детекторов ионизирующего излучения из 4H-SiC различными дозами (до 10\{16\} см\{-2\}) протонов с энергией 24 ГэВ. В ядерных реакциях скалывания протонов с углеродом образовались изотопы B, Be, Li, He и H. Изотопы Al, Mg, Na, Ne, F, O и N были образованы в реакциях протонов с кремнием. Полное количество образовавшихся стабильных изотопов изменялось пропорционально дозе облучения от 1. 2 10\{11\} до 5. 9 10\{13\} см\{-2\}. Показано, что при больших дозах облучения значительно изменяются контактные характеристики детекторов. Высота потенциального барьера от изначального значения 0. 7-0. 75 эВ увеличилась до 0. 85 эВ, значительно ухудшились выпрямляющие характеристики контактов Шоттки. Данные эффекты объясняются образованием разупорядоченной структуры материала под облучением. Доп.точки доступа: Ясюленис, Р.; Календра, В.; Вайткус, Ю. |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs[2] [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 36-39
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- CdSnAs[2] -- облучение протонами -- изохронный отжиг -- электрофизические свойства Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига кристаллов n- и p-типа CdSnAs[2], облученных ионами H\{+\} (5 МэВ, 2 x 10\{16\} см\{-2\}). Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами [Текст] / В. В. Емцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 706-712 : ил. - Библиогр.: с. 711-712 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремний -- карбид кремния -- облучение протонами -- протонное облучение -- электрические свойства -- энергия -- первичные радиационные дефекты -- ПРД -- пар Френкеля -- Френкеля пар -- ПФ -- кристаллические решетки -- дефекты -- сравнительное изучение Аннотация: Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых " радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Емцев, В. В.; Иванов, А. М.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А.; Оганесян, Г. А.; Строкан, Н. Б. |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1494-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |
536.42 М 690 Михайлов, Михаил Михайлович (доктор физико-математических наук; профессор; заведующий лабораторией космического материаловедения). Изменение спектров диффузного отражения при облучении протонами термически обработанных порошков оксида цинка [Текст] / М. М. Михайлов, авт. В. В. Нещименко // Вестник Амурского государственного университета. - 2012. - Вып. 57 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 44-53 : рис. - Библиогр.: с. 52-53 (14 назв.) . - ISSN 2073-0268
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): оксид цинка -- порошки -- порошки оксида цинка -- термическая обработка -- диффузные отражения -- протоны -- облучение протонами Аннотация: Исследовано влияние температуры прогрева на спектры диффузного отражения в диапазоне 3, 6 - 05 эВ порошка ZnO. Установлено уменьшение коэффициента отражения в ближней ИК-области спектра с ростом температуры прогрева порошка в диапазоне 20-1000 градусов по Цельсию, обусловленное поглощением свободными электронами и хемосорбированными газами в полосах 0, 87, 0, 76, 0, 69, 055 эВ. Воздействие ускоренных протонов приводит к увеличению поглощения дефектами в видимом диапазоне солнечного спектра и росту концентрации свободных электронов. Доп.точки доступа: Нещименко, Виталий Владимирович (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры ФМ иЛТ) |
621.315.592 Р 243 Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении [Текст] / А. М. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 145-148 : ил. - Библиогр.: с. 148 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- дефекты -- рассеяние протонов -- пленки карбида кремния -- карбид кремния -- пары Френкеля -- Френкеля пары -- распределение энергии -- гистограммы -- протонное облучение -- облучение протонами Аннотация: Проведено численное моделирование рассеяния протонов в пленке карбида кремния. Получены гистограммы распределения энергии, передаваемой атомам отдачи. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий создаются одиночные пары Френкеля с близко расположенными компонентами. Атомы отдачи второй области обладают энергией, достаточной для возникновения каскада смещений. В результате возникают микроскопические по объему области с высокой плотностью вакансий и различного рода их комплексов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p145-148.pdf Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Козловский, В. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
621.315.592 S 61 Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of n-type [Текст] / V. V. Emtsev [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 473-481 : ил. - Библиогр.: с. 481 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроны -- протоны -- облучение электронами -- электронное облучение -- протонное облучение -- облучение протонами -- карбид кремния -- метод химического осаждения -- химическое осаждение -- радиационные дефекты Аннотация: Effects of irradiation with 0. 9 MeV electrons as well as 8 and 15 MeV protons on moderately doped n-Si grown by the floating zone (FZ) technique and n-SiC (4H) grown by chemical vapor deposition are studied in a comparative way. It has been established that the dominant radiation-produced defects with involvement of V group impurities differ dramatically in electron- and proton-irradiated n-Si (FZ), in spite of the opinion on their similarity widespread in literature. This dissimilarity in defect structures is attributed to a marked difference in distributions of primary radiation defects for the both kinds of irradiation. In contrast, DLTS spectra taken on electron- and proton-irradiated n-SiC (4H) appear to be similar. However, there are very much pronounced differences in the formation rates of radiation-produced defects. Despite a larger production rate of Frenkel pairs in SiC as compared to that in Si, the removal rates of charge carriers in n-SiC (4H) were found to be considerably smaller than those in n-Si (FZ) for the both electron and proton irradiation. Comparison between defect production rates in the both materials under electron and proton irradiation is drawn. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p473-481.pdf Доп.точки доступа: Emtsev, V. V.; Ivanov, A. M.; Kozlovski, V. V.; Lebedev, A. A.; Oganesyan, G. A.; Strokan, N. B.; Wagner, G. |
621.315.592 А 946 Афонин, Н. Н. Перераспределение компонентов в системе ниобий-кремний при высокотемпературном протонном облучении [Текст] / Н. Н. Афонин, В. А. Логачева, А. М. Ховив // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1678-1680 : ил. - Библиогр.: с. 1680 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнетронное распыление -- ниобий-кремний -- вакуумный отжиг -- высокотемпературное протонное облучение -- протонное облучение -- облучение протонами -- межфазная граница -- МФГ Аннотация: Исследовано перераспределение компонентов в системе ниобий-кремний в процессе магнетронного распыления ниобия, вакуумного отжига и высокотемпературного протонного облучения. Установлено, что в ходе магнетронного распыления и последующего вакуумного отжига кремний проникает через пленку металла на ее внешнюю границу. При высокотемпературном протонном облучении наблюдается подавление диффузии ниобия в кремний, что объясняется наличием высокой концентрации радиационных вакансий в области межфазной границы Nb/Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1678-1680.pdf Доп.точки доступа: Логачева, В. А.; Ховив, А. М. |
621.315.592 К 637 Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ [Текст] / А. А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1188-1190 : ил. - Библиогр.: с. 1190 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): облучение протонами -- протонное облучение -- носители заряда -- метод сублимации -- вольт-фарадные характеристики -- эффект Холла -- Холла эффект -- вакуум Аннотация: Проведено исследование скорости удаления носителей заряда (V[D]) в p-6H-SiC при его облучении протонами с энергией 8 МэВ. Образцы p-6H-SiC были получены методом сублимации в вакууме. Величина V[D] определялась как на основе анализа вольт-фарадных характеристик, так и на основе данных измерения эффекта Холла. Было обнаружено, что полная компенсация образцов с исходным значением N[a]-N[d]~1. 5 x 10{18} см{-3} происходила при дозе облучения ~1. 1 x 10{16} см{-2}. Скорость удаления носителей при этом составила ~130 см{-1}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1188-1190.pdf Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Козловский, В. В.; Белов, С. В.; Богданова, Е. В.; Оганесян, Г. А. |
544 М 744 Моделирование воздействия факторов космического пространства на композиционные керамические слои на алюминиевых сплавах [Текст] / А. М. Борисов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 5. - С. 27-30 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): оксидирование -- микродуговое оксидирование -- терморегулирующие покрытия -- облучение протонами -- облучение атомарным кислородом -- алюминиевые сплавы -- композиционные керамические слои -- факторы космического пространства -- полимерные материалы -- углеродные материалы -- лакокрасочные эмалевые покрытия -- керамические покрытия -- космическое пространство -- космические аппараты Аннотация: Исследовано влияние облучения потока протонов (500 кэВ) и атомарного кислорода (30 эВ) на отражающие свойства композиционных керамических покрытий, полученных на алюминиевых сплавах методом микродугового оксидирования (МДО). Установлено, что МДО-покрытия обладают более высокой, чем лакокрасочное эмалевое покрытие ЭКОМ-1, стойкостью к облучению протонами, а их эрозия при бомбардировке потоком атомарного кислорода намного меньше, чем углеродных и полимерных материалов. Доп.точки доступа: Борисов, А. М.; Жиляков, Л. А.; Кирикова, К. Е.; Новиков, Л. С.; Черник, В. Н. |
539.12 О-754 Особенности изменения состава и структуры титано-полимерного композитного материала при облучении протонами и электронами / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2013. - № 1. - С. 5-11 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): полимеры -- композиционные материалы -- облучение электронами -- облучение ионами -- элементный состав -- облучение протонами -- титано-полимерные материалы Аннотация: Исследовано влияние электронного (4 МэВ) и протонного (300 кэВ) облучения на состав и структуру титано-полимерного композитного материала. Установлено, что облучение приводит к заметному уменьшению содержания углерода и слабому изменению концентрации кислорода и титана в поверхностной области материала, а также к изменению параметра решетки зарегистрированных кристаллических фаз (Ti, TiO2, gTi2O5). Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Пилько, В. В.; Углов, В. В.; Арюткин, К. Н.; Купчишин, А. И.; Леонтьев, А. В.; Романовский, Д. В. |
539.21:537 Ф 796 Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния / И. В. Грехов [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 23. - С. 67-73 : ил. - Библиогр.: с. 73 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): мелкие доноры -- протонное облучение кремния -- результаты исследований -- водородсодержащие доноры -- кремний -- отжиг -- температурные интервалы -- постимплантационный отжиг -- облучение протонами -- радиационные дефекты -- слои -- диодные структуры -- высоковольтные переходы -- кремниевые силовые приборы Аннотация: Приведены результаты исследования процесса образования мелких водородсодержащих доноров (Hydrogen-related Shallow Thermal Donors, STD (H) ) в кремнии под действием протонного облучения с последующим отжигом в интервале температур 300-500°C. Исследовано влияние режимов постимплантационного отжига на распределение концентрации мелких доноров при разных величинах энергии и дозы облучения протонами. Показано, что форма концентрационных профилей меняется существенным образом с изменением температуры и времени отжига при заданной концентрации вводимых радиационных дефектов (дозе облучения), равно как с изменением энергии и дозы при заданной температуре отжига. Показано также, что процесс образования водородсодержащих мелких доноров сопровождается образованием в кремнии n-типа индуцированных (H-induced) скрытых n{'}-слоев, формирование которых вблизи pn-перехода в высокоомной n-базе диодных структур позволяет контролируемо управлять напряжением пробоя высоковольтных pn-переходов. Это, в общем случае, создает возможность улучшать характеристики кремниевых силовых приборов различного назначения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/23/p67-73.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Ломасов, В. Н.; Юсупова, Ш. А.; Белякова, Е. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |