533.9.082 М 211 Мальков, М. А. Оценка концентрации, коэффициента диффузии и подвижности электронов из зондовых вольт-амперных характеристик [Текст] / М. А. Мальков // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 69 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): коэффициент диффузии -- подвижность электронов -- ленгмюровский зонд -- немаксвелловская плазма -- физика плазмы -- плазма Аннотация: Анализируется возможность простейшей обработки зондовых вольт-амперных характеристик ленгмюровского зонда в немаксвелловской плазме с целью нахождения концентрации, коэффициента диффузии и подвижности электронов. |
530.1 G 83 Grigoriev, P. D. Electron mobility on the surface of liquid helium: influence of surface level atoms and depopulation of lowest subbands [Текст] / P. D. Grigoriev, A. M. Dyugaev, E. V. Lebedeva // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 2. - С. 370-379. - Библиогр.: с. 379 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): атомы -- электроны -- гелий -- поверхности -- жидкий гелий -- подвижность электронов Доп.точки доступа: Dyugaev, A. M.; Lebedeva, E. V. |
011/016 Н 761 Новости физики в сети Internet [Текст] : по материалам электронных препринтов // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 3. - С. 330 . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Литература универсального содержания Библиографические пособия Кл.слова (ненормированные): подвижность электронов -- спонтанная когерентность -- антиатомы -- черные дыры -- промежуточная масса Аннотация: Представлен аннотированный список литературы по материалам электронных препринтов. Доп.точки доступа: Ерошенко, Ю. Н. \сост.\ |
621.3 Г 944 Гуляев, Ю. В. Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 368-371 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- МОП-транзисторы -- подвижность электронов -- электроны -- инверсионный канал -- ионная поляризация подзатворного окисла Аннотация: Эффективная подвижность электронов мю* в инверсионном n-канале полевого транзистора значительно возрастает после объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла от типичных значений ? 820 до величин ? 2645 cм\{2\}B\{-1\}c\{-1\}, превышающих подвижность электронов в массивном Si. После поляризации слоевая плотность ионов Na\{+\} у гетерограницы SiO[2]/Si превышает 6 10\{13\} см\{-2\}. Ионы практически полностью нейтрализованы электронами канала инверсии. С уменьшением температуры T в диапазоне 293-203 K мю* увеличивается по закону мю* пропорционально T-0. 82. Наблюдаемая зависимость мю* (T), по-видимому, обусловлена комбинированным рассеянием электронов на шероховатостях поверхности раздела Si/SiO[2], на фононах и на пограничных состояниях. Деполяризация окисла возвращает мю* к исходной величине. Аномально высокие значения мю* считаются либо следствием возникновения в поверхностном слое Si из-за поляризации окисла сильных структурных напряжений, либо результатом фазовой перестройки области инверсионного канала вследствие гибридизации волновых функций электронов, локализованных на ионах Na\{+\}, с волновыми функциями электронов канала инверсии. Доп.точки доступа: Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
621.315.592 Ф 844 Французов, А. А. Снижение подвижности электронов в канале металл-окисел-полупроводник транзистора при уменьшении длины затвора [Текст] / А. А. Французов, Н. И. Бояркина, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 215-219 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- затворное напряжение -- подвижность электронов Аннотация: Измерена эффективная подвижность мю[eff] электронов в каналах металл-окисел-полупроводник транзисторов с длиной канала L от 3. 8 до 0. 34 мкм, изготовленных на пластинах типа кремний-на-изоляторе. Доп.точки доступа: Бояркина, Н. И.; Попов, В. П. |
539.2 М 695 Михеев, В. М. Подвижность двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов [Текст] / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 10. - С. 1770-1779. - Библиогр.: с. 1779 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двумерные электроны -- корреляционные эффекты -- модель твердых шаров -- подвижность электронов -- примесные центры -- пространственные корреляции -- рассеяние электронов Аннотация: Модель твердых сфер прилагается к описанию корреляционных эффектов в подвижности двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов. Теория развита для случая частично ионизированных примесных центров, когда корреляции в распределении примесных ионов ослаблены вследствие дефицита свободных мест для примесных дырок. Вычисления выполнены для случая гетероструктур с широким спейсером, когда преобладает рассеяние электронов на малые углы. |
Сафонов, А. И. Низкотемпературная подвижность поверхностных электронов и риплон-фононное взаимодействие в жидком гелии [Текст] / А. И. Сафонов, И. И. Сафонова, С. С. Демух // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 431-435
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): жидкий гелий -- поверхностные электроны -- подвижность электронов -- риплон-фононное взаимодействие -- фононный спектр -- объемные возбуждения -- поверхностные возбуждения Аннотация: Показано, что при измерении по постоянному току низкотемпературная подвижность двумерной системы электронов, локализованных вблизи поверхности сверхтекучего гелия, определяется наиболее медленной стадией передачи продольного импульса в объем жидкости взаимодействием поверхностных и объемных возбуждений жидкого гелия, которое быстро убывает с понижением температуры. Найдена температурная зависимость низкочастотной подвижности мю[dc]приблизительно равно 8. 4 10\{-11\} n[e]T\{-20/3\} см\{4\} К\{20/3\}/Вс, где n[e] - плотность поверхностных электронов. Получено соотношение прижимающего электрического поля (кВ/см) и температуры (К) T\{20/3\}E\{-3\}[перпендикулярное] много меньше 2 10\{-7\}, а также значение частоты ведущего поля омега меньше/приблизительно 10\{8\}T\{-5\} К\{-5\}с\{-1\}, при которых возможно наблюдение указанного эффекта. В частности, при E[перпендикулярное] приблизительно равно 1 кВ/см должно быть Е меньше/приблизительно 70 мК и омега/2пи меньше/равно 30 Гц. Доп.точки доступа: Сафонова, И. И.; Демух, С. С. |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
621.315.592 А 985 Ашмонтас, С. Вольт-амперные характеристики несимметрично суженных образцов из высокоомного кремния [Текст] / С. Ашмонтас, авт. В. Клейза // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 295-298 : ил. - Библиогр.: с. 298 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- высокоомный кремний -- кремний -- электронная проводимость -- комнатная температура -- температура жидкого азота -- асимметрия -- сильные электрические поля -- объемные заряды -- электроны -- подвижность электронов -- неоднородные поля Аннотация: Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик несимметрично суженных образцов кремния электронной проводимости. Установлено, что при комнатной температуре и температуре жидкого азота асимметрия вольт-амперной характеристики исследуемых образцов в сильных электрических полях обусловлена образованием объемного заряда. При T=78 K в области теплых электронов асимметрия вольт-амперной характеристики обусловлена нелокальной связью подвижности электронов с напряженностью неоднородного электрического поля. Обнаружено, что при температуре жидкого азота сопротивление образца значительно увеличивается после приложения импульсов сильного электрического поля. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением концентрации электронов в суженной части образца вследствие перераспределения горячих электронов между объемом и поверхностью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p295-298.pdf Доп.точки доступа: Клейза, В. |
621.315.592 Л 476 Леонов, А. В. Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик-кремний-диэлектрик [Текст] / А. В. Леонов, А. Д. Мокрушин, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 494-499 : ил. - Библиогр.: с. 499 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подвижность электронов -- электроны -- тонкие слои -- кремний -- полевой датчик Холла -- ПДХ -- Холла полевой датчик -- ток-затворные характеристики -- ТЗХ -- холл-затворные характеристики -- ХЗХ -- структуры -- акустические фононы -- фононы -- электрические поля -- температура жидкого гелия -- жидкий гелий -- кулоновское рассеяние электронов -- заряженные поверхностные центры -- gamma-облучение -- диэлектрик-кремний-диэлектрик Аннотация: Представлены результаты исследований подвижности электронов в тонком слое кремния системы металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл в зависимости от величины продольного и поперечного электрических полей (в широком диапазоне их значений), температуры (в диапазоне от 1. 7 до 400 K) и изменения условий gamma-облучения. Показано, что в интервале температур от 400 до ~100 K подвижность электронов увеличивается в соответствии с механизмом рассеяния на акустических фононах, тогда как при дальнейшем снижении температуры вплоть до температур жидкого гелия подвижность падает вследствие того, что превалирующим становится кулоновское рассеяние электронов на заряженных поверхностных центрах. Показано также, что в результате gamma-облучения подвижность электронов уменьшается, причем степень этого уменьшения сильно зависит от электрического режима датчика в процессе облучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p494-499.pdf Доп.точки доступа: Мокрушин, А. Д.; Омельяновская, Н. М. |
621.315.592 Р 244 Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1373-1378 : ил. - Библиогр.: с. 1377-1378 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- HFET-структуры -- комбинированно-легированные структуры -- структуры -- электроны -- двумерные электроны -- 2D электроны -- рассеяние электронов -- квантовые ямы -- КЯ -- комбинированное легирование -- электронные транспортные свойства -- гетероструктуры -- легирование кремния -- AlGaAs/InGaAs/AlGaAs -- переходные слои -- ПС -- границы раздела -- подвижность электронов -- электронная подвижность -- ионизированные примеси Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов n[s] в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и delta-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним delta-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, n[s]=1. 37 x 10{13} см{-2}, получено наибольшее значение электронной подвижности mu[H]=1520 см{2}/ (В x с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1373-1378.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Лунин, Р. А.; Кульбачинский, В. А. |
621.315.592 П 440 Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs [Текст] / И. С. Васильевский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1214-1218 : ил. - Библиогр.: с. 1217 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроны -- дрейфовая скорость -- подвижность электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- квантовые ямы -- КЯ -- гетероструктуры -- InAlAs/InGaAs/InAlAs -- полярные оптические фононы -- селективно-легированные гетероструктуры -- эффект Ганна -- Ганна эффект -- комнатная температура -- интерфейсные фононы -- интерфейсы -- барьеры Аннотация: Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In[0. 8]Ga[0. 2]As/In[0. 7]Al[0. 3]As с высокой мольной долей In (0. 7-0. 8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12. 3 x 10{3} см{2} x B{-1} x с{-1} при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1. 1-1. 4 раза при введении тонких (1-3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2. 5 x 10{7} см/с в электрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля F[th] для междолинного Gamma-L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2. 5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля F[th] в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1214-1218.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пожела, К.; Пожела, Ю.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Жураускене, Н.; Кершулис, С.; Станкевич, В. |
539.2 E 27 Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs / S. Corekci [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 810-814 : ил. - Библиогр.: с. 814 (37 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электроны -- подвижность электронов -- высокотемпературные структуры -- сапфировые подложки -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- микроструктурные эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные слои -- буферные слои -- подложки Аннотация: Effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structure of a high-temperature AlN buffer on sapphire substrate have been studied by high-resolution x-ray diffraction and atomic force microscopy techniques. The buffer improves the micro structural quality of GaN epilayer and reduces approximately one order of magnitude the edge-type threading dislocation density. As expected, the buffer also leads an atomically flat surface with a low root-mean-square of 0. 25 nm and a step termination density in the range of 10{8} cm{-2}. Due to the high-temperature buffer layer, no change on the strain character of the GaN and AlGaN epitaxial layers has been observed. Both epilayers exhibit compressive strain in parallel to the growth direction and tensile strain in perpendicular to the growth direction. However, a high-temperature AlN buffer layer on sapphire substrate in the HEMT structure reduces the tensile stress in the AlGaN layer. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p810-814.pdf Доп.точки доступа: Corekci, S.; Ozturk, M. K.; Hongbo, Yu.; Cakmak, M.; Ozcelik, S.; Ozbay, E. |
539.21:537 Т 338 Теория явлений переноса в поликристаллических пленках халькогенидов свинца. Подвижность. Невырожденная статистика / Ш. Б. Атакулов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 869-873 : ил. - Библиогр.: с. 873 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- перенос -- халькогениды свинца -- невырожденные электроны -- статистика -- монокристаллические пленки -- носители заряда -- подвижность электронов -- массивные кристаллы -- межкристаллитные барьеры -- перенос электронов -- электрические поля Аннотация: Экспериментально исследована подвижность невырожденных электронов в блочно-монокристаллических и поликристаллических пленках PbTe. При одной и той же концентрации носителей заряда полученные результаты сравнены с подвижностью электронов в массивных кристаллах. В предположении ограничения подвижности носителей заряда межкристаллитными потенциальными барьерами проведено теоретическое рассмотрение переноса электронов в электрическом поле и установлено согласие теории и эксперимента. Non-degenerated electrons mobility in the quazimonocrystallineand polycrystalline PbTe films is investigated experimentally. The results obtained are compared with the data for crystals at identical concentrations of charge carriers. In the assumption of restriction of electron mobility due to intercrystalline potential barriers, theoretical consideration is carried out of electron transter in an electric field and concurrence of the theory to experiment is revealed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p869-873.pdf Доп.точки доступа: Атакулов, Ш. Б.; Зайнолобидинова, С. М.; Набиев, Г. А.; Набиев, М. Б.; Юлдашев, А. А. |
535.33 Э 455 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы. The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |
539.2 О-754 Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале / Т. А. Комиссарова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 352-357 : ил. - Библиогр.: с. 357 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- концентрация электронов -- электроны -- подвижность электронов -- магнитные поля -- осцилляция Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза осцилляция -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- удельное сопротивление -- буферные слои -- кластеры -- протяженные дефекты -- дефекты -- анизотропные эффекты Аннотация: Работа посвящена исследованию электрофизических свойств гетероструктур c квантовыми ямами (КЯ) InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов. Обнаружена анизотропия концентрации и подвижности электронов, измеренных в слабом магнитном поле в кристаллографических направлениях [110] и [110]. С помощью анализа осцилляций Шубникова-де Гааза показано, что проводимость по двумерному электронному каналу КЯ InSb/AlInSb не зависит от кристаллографического направления. Вместе с тем магнитополевые зависимости модуля коэффициента Холла и удельного сопротивления структур продемонстрировали сильную чувствительность к кристаллографическому направлению. Это позволило заключить, что анизотропия транспортных параметров электронов в структурах с КЯ, измеренных в слабом магнитном поле, связана с паразитной проводимостью по буферному слою Al[0. 09]In[0. 91]Sb, заметный вклад в которую дают два анизотропных эффекта: влияние кластеров металлического In, неоднородно распределенных по буферному слою, и проводимость по сильнодефектному приинтерфейсному слою, плотность протяженных дефектов в котором зависит от кристаллографического направления. We report on electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with high electron concentration. Anisotropy of the electron concentration and mobility measured at a low magnetic field in [110] and [110] crystallographic directions has been observed. It has been established by analysis of the Shubnikov-de Haas oscillations that the conductivity through the two-dimensional electron channel does not depend on the crystallographic direction. However magnetic-field dependences of the Hall coefficient and resistivity of the structures revealed strong influence of the crystallographic directions. It has allowed one to conclude that these dependences and low-field electrical anisotropy correspond to the parasitic conductivity through the Al[0. 09]In[0. 91]Sb buffer layer with two pronounced anisotropic contributions: influence of metallic In nanoclusters inhomogeneously distributed within the buffer layer and conductivity of the near-interface layer with high anisotropic density of extended defects. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p352-357.pdf Доп.точки доступа: Комиссарова, Т. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Paturi, P.; Федоров, Д. Л.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); University of Turku; Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.2 Л 847 Лунев, С. В. Расчет подвижности электронов для Delta[1]-модели зоны проводимости монокристаллов германия / С. В. Лунев, П. Ф. Назарчук, О. В. Бурбан // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 454-457 : ил. - Библиогр.: с. 456-457 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анизотропное рассеяние -- носители заряда -- кристаллы -- подвижность электронов -- электроны -- монокристаллы -- германий Аннотация: На основе анизотропного рассеяния при 77 K получены концентрационные зависимости подвижности носителей заряда для Delta[1]-модели зоны проводимости кристаллов n-Ge. Показано, что инверсия типа абсолютного минимума L[1]-Delta[1], обусловленная одноосным давлением кристаллов n-Ge вдоль кристаллографического направления (100), существенно уменьшает величину подвижности носителей заряда. Это объясняется уменьшением времени релаксации, поскольку эффективные массы для электронов разных минимумов мало различаются. Для других двух случаев инверсии абсолютного минимума L[1]-Delta[1], при гидростатическом и одноосном давлении вдоль кристаллографического направления (110), уменьшение подвижности электронов обусловлено в основном увеличением эффективной массы. Показано также, что на эффективность рассеяния носителей заряда в анизотропных полупроводниках в данном случае существенно влияет степень анизотропии эффективных масс. Based on the theory of anisotropic scattering, the concentration dependences of charge carrier mobility for 11-minimum of conduction band in n-Ge crystals at 77K are obtained. It is shown that the charge carrier mobility is significantly reduced as a result of the absolute minimum inversion of L[1]-1[1] type at uniaxial pressure of n-Ge crystals along the crystallographic direction (100). This is due to a decrease in the relaxation time, since the effective masses for electrons of different mimima are different not much. For the hydrostatic pressure and uniaxial pressure along the crystallographic direction (110) electron mobility decreases mainly due to increase in the effective mass. It is shown that the magnitude of anisotropy of the effective mass significantly affects the efficiency of scattering of charge carriers in anixotropic semiconductors in this case. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p454-457.pdf Доп.точки доступа: Назарчук, П. Ф.; Бурбан, О. В.; Луцкий национальный технический университет; Луцкий национальный технический университетЛуцкий национальный технический университет |