Никифоров, С. Г. Фотометрический метод исследования полупроводниковых гетероструктур [Текст] / С. Г. Никифоров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 1. - С. 28-33. - Библиогр.: с. 33 (12 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): фотометрический метод -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- светоизлучающие диоды -- деградация структур -- излучающие гетероструктуры -- деградация гетероструктур -- пространственное распределение силы света -- гониофотометрический метод -- термоультразвуковая приварка -- контактные полупроводники -- светодиоды -- сила света -- измерение светового потока Аннотация: Рассмотрены проблемы диагностики параметров светоизлучающих диодов. |
Ильющенко, А. Ф. Исследование влияния отрицательных температур на деградацию структуры и свойств регенератора жидкого азота [Текст] / А. Ф. Ильющенко, И. В. Фомихина, Ю. О. Лисовская // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 3. - С. 52-55. - Библиогр.: с. 55 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): влияние температур -- отрицательные температуры -- деградация структур -- регенераторы азота -- жидкий азот -- металлографический анализ -- рентгеноструктурный анализ -- рентгеновская дифракция -- гармонический анализ -- старение металла -- предел текучести -- ударная вязкость Аннотация: Исследовано влияние отрицательных температур эксплуатации в условиях длительного нагружения на структуру, фазовый состав, параметры тонкой структуры, прочностные характеристики металлических конструкций методами металлографического, рентгеноструктурного анализов, а также механических испытаний. Доп.точки доступа: Фомихина, И. В.; Лисовская, Ю. О. |
539.21:537 И 889 Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов / А. Д. Буравлев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 358-363 : ил. - Библиогр.: с. 362 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- электрические свойства -- электрические контакты -- электронно-лучевая литография -- температура отжига -- отжиг -- деградация структур -- структуры -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- носители заряда -- контакты Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов. Использование электронно-лучевой литографии позволило создать электрические контакты к одиночным нитевидным нанокристаллам. Изучено влияние температуры отжига на свойства контактов. Определена оптимальная температура отжига, равная 160°C. Обнаружено, что повышение температуры отжига ведет к деградации структур. На основании исследования вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных наноструктур был определен ряд их электрофизических параметров, таких как удельное сопротивление и подвижность носителей заряда. Arrays of (Ga, Mn) As nanowires were synthesized by molecular beam epitaxy. The electrical contacts to single nanowire were obtained by electron-beam lithography. The influence of the annealing temperature on the contact properties is studied. The optimal annealing temperature is found to be equal to 160°C. I was shown, that the increasing of the annealing temperature results in degradation of the structures. The electrical parameters of the single nanowires were obtained based on the investigation of the current-voltage characteristics of the single nanowires, such as the resistivity and the mobility of the charge carriers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p358-363.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Сибирев, Н. В.; Гильштейн, Е. П.; Брунков, П. Н.; Мухин, И. С.; Tchernycheva, M.; Хребтов, А. И.; Самоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Institut d`Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622. France; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург) |