620.1/.2 М 341 Материаловедение: часть и целое [Текст] // Наука в России. - 2003. - N4 . - ISSN 0869-706Х
Рубрики: Техника--Материаловедение Кл.слова (ненормированные): атомы -- кристаллы -- полимеры -- рентгеновские исследования -- современные технологии Аннотация: Материаловедение с точки зрения научно-технического прогресса. |
539.2 О-743 Осипьян, Ю. А. Журналу 25 лет [Текст] / Ю. А. Осипьян // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 9. - С. 3 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): журналы -- научные журналы -- поверхностные явления -- рентгеновские исследования -- синхротронные исследования -- нейтронные исследования Аннотация: В 2007 году отмечается четвертьвековой юбилей журнала "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования". Доп.точки доступа: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования (журнал) |
539.2 R 33 Reehuis, М. Refinement of (NH[4]) [3]H (SO[4]) [2] Crystal Structure. II. X-ray and Neutron Single Crystal Diffraction from Phase II at Room Temperature [Текст] / М. Reehuis, К. Wozniak [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 11. - С. 5-8 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- дифракционные исследования -- рентгеновские исследования -- нейтронные исследования -- кристаллическая структура фазы Доп.точки доступа: Wozniak, К.; Dominiak, P.; Smirnov, L. S.; Natkaniec, I.; Baranov, A. I.; Dolbinina, V. V. |
669.1 Ш 538 Шефтель, Е. Н. Рентгеновские исследования влияния температуры отжига на фазово-структурное состояние пленок Fe[79]Zr[10]N[11], полученных магнетронным напылением [Текст] / Е. Н. Шефтель, С. И. Утицких [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 503-508. - Библиогр.: с. 508 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металлургия черных металлов Кл.слова (ненормированные): рентгеновские исследования -- температурные режимы -- отжиг -- магнетронное напыление -- фазово-структурное состояние -- тонкие пленки -- Fe[79]Zr[10]N[11] Аннотация: Пленки Fe[79]Zr[10]N[11], толщиной 0. 7 мкм на стеклянных подложках получены методом высокочастотного реактивного магнетронного напыления. Доп.точки доступа: Утицких, С. И.; Иванов, А. Н.; Инуе, М.; Фуджикава, Р. |
Особенности структуры и динамики смешанных кристаллов Me[1-x] (NH[4]) [x]SCN ) Me=K, Rb [Текст] / Л. С. Смирнов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 11. - С. 3-13
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): смешанныхе кристаллы -- рентгеновские исследования -- сканирующая калориметрия -- порошковая нейтронная дифракция -- низкоэнергетическая резонансная мода -- локальные моды Аннотация: С помощью рассеяния нейтронов исследованы структура и динамика смешанных кристаллов Me[1-x] (NH[4]) [x]SCN (Me=K, Rb) вдоль концентрационного разреза 0. 0 меньше равно x меньше равно 1. 0 при температурах 10 и 290 К. Методом порошковой нейтронной дифракции определены фазовые переходы в смешанных кристаллах Me[1-x] (NH[4]) [x]SCN. Измеренные спектры неупругого некогерентного рассеяния нейтронов от смешанных кристаллов в концентрационной области 0. 0 меньше равно x меньше равно 1. 0 при 10 К трансформированы в обобщенную плотность фононных состояний G (E) в однофононном некогерентном приближении. C помощью G (E) определены изменения в динамике ионов аммония при фазовых переходах. При 10 К в разупорядоченной ромбической фазе смешанных кристаллов наблюдается низкоэнергетическая резонансная мода, локальные моды (трансляционная и либрационная, каждая в виде двух подзон). В упорядоченной моноклинной фазе низкоэнергетическая резонансная мода не обнаружена, наблюдаются локальная трансляционная мода в виде двух подзон и локальная либрационная мода в виде четырех подзон. Низкоэнергетическая резонансная мода является результатом гибридизации фононного спектра с вращательными туннельными модами основного расщепленного либрационного уровня примесного молекулярного иона аммония. Доп.точки доступа: Смирнов, Л. С.; Натканец, И.; Белушкин, А. В.; Смит, Д.; Прагер, М. |
Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN [Текст] / В. В. Стрельчук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1236-1247 : ил. - Библиогр.: с. 1246-1247 (50 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновская дифрактометрия -- сканирующая микро-рамановская спектроскопия -- гетероструктуры -- многослойные гетероструктуры -- InGaN/GaN -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- неоднородности структуры -- деформация -- МОС-гидридная эпитаксия -- буферные слои -- сапфировые подложки -- подложки -- сверхрешетки -- твердые растворы -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгеновские исследования -- оптические исследования Аннотация: Методом высокоразрешающей рентгеновской дифракции и сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы пространственное распределение деформаций в слоях In[x]Ga[1-x]N/GaN и кристаллическое качество слоев многослойной светодиодной структуры, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) на сапфировой подложке ориентации (0001). Показано, что упругие деформации практически полностью релаксируют на гетерогранице между толстым буферным слоем GaN и буферной сверхрешеткой In[x]Ga[1-x]N/GaN. Установлено, что слои GaN в сверхрешетке находятся в состоянии растяжения, а слои твердого раствора - в состоянии сжатия. В абсолютных значениях деформации растяжения слоев GaN меньше, чем деформации сжатия слоев InGaN. Показано, что слои сверхрешетки являются менее дислокационными по сравнению с буферными слоями, с более хаотичным распределением дислокаций. Исследования спектров микро-КРС при сканировании по глубине многослойной структуры позволили получить прямое доказательство наличия градиентного асимметричного профиля распределения деформаций и кристаллического качества эпитаксиальных нитридных слоев вдоль направления роста. Показано, что интенсивность излучения квантовых ям IIn[x]Ga[1-x]N значительно превышает (более чем в 30 раз) излучение барьерных слоев GaN, и это свидетельствует о высокой эффективности захвата носителей квантовой ямой. Доп.точки доступа: Стрельчук, В. В.; Кладько, В. П.; Авраменко, Е. А.; Коломыс, А. Ф.; Сафрюк, Н. В.; Конакова, Р. В.; Явич, Б. С.; Валах, М. Я.; Мачулин, В. Ф.; Беляев, А. Е. |
621.315.592 H 43 Heat induced nanoforms of Zinc oxide quantum dots and their characterization [Текст] / Anindita Dey [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 180-183 : ил. - Библиогр.: с. 183 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- квантовые точки -- КТ -- тонкие пленки -- рентгеновские исследования -- дифракция -- термический анализ -- наностержни -- оптические характеристики -- сканирующая электронная микроскопия Аннотация: In our studies we observed heat induced phase transitions of Zinc oxide quantum dots at 60, 200, 360 and 400{o}C, where all the transitions were irreversible except the transition at 60{o}C which was a reversible one. The phase transition at 60{o}C indicated a heat induced conformational change which was supported here by studying polarizing micrographs of ZnO quantum dots thin film. The X-ray diffraction studies of the sample fired at different temperatures as indicated by the thermal analysis were performed in order to understand the changes occurred due to transitions. The study also indicated a new and simple approach to develop ZnO nanorods by just thermal decomposition of the ZnO quantum dots firing in furnace at 200{o}C with 2 h soaking. In order to have a proper insight of the structural changes we performed scanning electron microscopy. Optical characterization was done by UV-vis and fluorescence spectrophotometer. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p180-183.pdf Доп.точки доступа: Anindita Dey; Ruma Basu; Sukhen Das; Papiya Nandy |
537.533/.534 Т 654 Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника p-GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3] [Текст] / А. П. Бахтинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 348-359 : ил. - Библиогр.: с. 358-359 (48 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- полупроводники -- ПП -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- импеданс структур -- GaSe -- 2D слои матрицы -- двумерные слои матрицы -- слоистые кристаллы -- СК -- нанообразования -- НО -- трехмерные нанообразования -- 3D нанообразования -- фазовые переходы -- электрическая поляризация -- рентгеновские исследования -- АСМ исследования -- электрические характеристики -- эффект Максвелла - Вагнера -- Максвелла - Вагнера эффект -- квантовые ямы -- туннелирование зарядов Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и частотные зависимости импеданса композитных наноструктур, созданных на основе слоистого анизотропного полупроводника GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3]. Многослойные наноструктуры формировались путем внедрения наноразмерных пирамидальных сегнетоэлектрических включений в слоистую матрицу GaSe. Обнаружены явления гистерезиса на вольт-амперных характеристиках и резкие изменения проводимости и емкости на частотных характеристиках импеданса структур. Они связаны с коллективным эффектом переключения электрической поляризации в наноразмерных 3D сегнетоэлектрических включениях в слоистой матрице, с особенностями ее локального деформирования и с политипными фазовыми переходами в этой матрице. Рентгеновские, АСМ исследования и исследования импеданса в слабом (B<400 мТ) магнитном поле показывают, что электрические характеристики наноструктур связаны с проявлением эффекта Максвелла-Вагнера в наноструктурах, с формированием квантовых ям в GaSe при деформировании кристаллов в области локализации наноразмерных включений, с туннелированием носителей заряда в структурах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p348-359.pdf Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Коноплянко, Д. Ю. |
539.2 М 757 Молокеев, М. С. Структурные изменения, критические и некритические параметры при фазовом переходе в оксифториде (NH[4]) [2]KWO[3]F[3] [Текст] / М. С. Молокеев, авт. С. В. Мисюль // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1589-1595. - Библиогр.: с. 1595 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- оксифториды -- рентгеновские исследования -- кристаллы -- параметры -- порошковые образцы Аннотация: По данным рентгеновского исследования порошкового образца определены структуры двух фаз кристалла (NH[4]) [2]KWO[3]F[3]. Уточнение профильных и структурных параметров проводилось по методике, реализованной в программе DDM. Обсуждение полученных результатов ведется с привлечением теоретико - группового анализа полного конденсата параметров порядка, учитывающего критические и некритические упорядочения атомов и позволяющего интерпретировать полученные экспериментальные данные. Доп.точки доступа: Мисюль, С. В. |
539.2 Р 397 Рентгеновское и калориметрическое исследование порошковых нанокристаллических систем на основе ZrO[2](Y) и Al[2]O[3] со вторым нерастворимым компонентом [Текст] / П. В. Королев [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 252-257. - Библиогр.: с. 256-257 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновские исследования -- калориметрические исследования -- порошковые нанокристаллические системы -- нерастворимые компоненты Аннотация: Исследованы четыре нанокристаллических порошка на основе ZrO[2] (Y) и на основе Al[2]O[, синтезированных плазмохимическим способом. Показано, что в системах на основе ZrO[2] (3Y) со вторым компонентом Al[2]O[3] формируется неравновесный твердый раствор ZrO[2] (3Y, Al) с тетрагональной структурой. Показано, что в системах на основе Al[2]O[3] присутствие нерастворимого в крупнокристаллическом состоянии компонента (ZrO[2] (Y) ) вызывает задержку гамма-aльфa превращения и измельчает размер областей когерентного рассеяния формирующихся наноразмерных модификаций Al[2]O[3]. Доп.точки доступа: Королев, П. В.; Князев, А. В.; Гаврилов, И. Р.; Гаврилов, М. Р.; Королев, А. В. |
546.01 М 226 Мамсурова, Л. Г. Содержание кислорода и его упорядочение в цепочечных плоскостях в мелкокристаллических ВТСП YBa[2]Cu[3]O[y] [Текст] / Л. Г. Мамсурова, К. С. Пигальский, А. А. Вишнев // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1063-1065. - Библиогр.: c. 1065 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): YBa[2]Cu[3]O[y] -- высокотемпературные сверхпроводники -- кислородные вакансии -- кристаллиты -- мелкокристаллические ВТСП -- мессбауэровские исследования -- рентгеновские исследования -- решеточные параметры -- сверхпроводящие характеристики -- структурное разупорядочение -- цепочечные плоскости Аннотация: Проведен сравнительный анализ результатов рентгеновского и мессбауэровского исследований высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) YBa[2]Cu[3]O[y] и YBa[2]Cu[3-x]{57}Fe[x]O[y] (x=0/015, T[c]~9. 5 K) для образцов с различными средними размерами кристаллитов (D) в микронном и субмикронном диапазонах. Доп.точки доступа: Пигальский, К. С.; Вишнев, А. А. |
539.2 Р 397 Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния / В. Н. Сивков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1048-1054 : ил. - Библиогр.: с. 1053-1054 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): комплексные исследования -- слои кремния -- пористый кремний -- ПК -- проводимость -- анодирование подложек -- стандартные подложки -- подложки -- электролиты -- плавиковая кислота -- этанол -- йод -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия -- метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии -- ультрамягкая рентгеновская дифрактометрия -- метод ультрамягкой рентгеновской дифрактометрии -- синхротронное излучение -- структурные параметры -- деформация -- пористость -- атомный состав -- химический состав -- поверхность кремния -- спектры поглощения -- тонкие структуры -- кристаллический кремний -- рентгеновские исследования Аннотация: Обсуждаются результаты комплексных исследований слоев пористого кремния разного типа проводимости, сформированных анодированием стандартных подложек Si (111) в электролите на основе плавиковой кислоты и этанола с добавлением 5% йода и выдержанных длительное время на атмосфере. Измерения проводились методами растровой электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Определены структурные параметры слоев (толщина, деформация и пористость), а также атомный и химический состав поверхности пористого кремния. Установлено, что на поверхности кремниевого скелетона формируется слой оксида толщиной 1. 5-2. 3 нм. Ближняя тонкая структура Si 2p-спектра поглощения этого слоя соответствует тонкой структуре 2p-спектра хорошо координированного SiO[2]. При этом тонкая структура в области Si 2p-края поглощения кремниевого скелетона идентична структуре 2p-спектра поглощения кристаллического кремния. The comprehensive studies results of different conductivity type porous silicon layers, formed by standard substrate Si (111) anodizing in the electrolyte based on hydrofluoric acid, ethanol and 5% iodine and after holding in air for a long time are discussed. The measurements were performed by raster electron microscopy, X-ray high-resolution diffraction and ultrasoft X-ray spectroscopy using synchrotron radiation. The layers structural parameters (thickness, strain and porosity) and porous silicon surface atomic and chemical composition were determined. It was established that on the silicon skeleton surface a silicon oxide layer with effective thickness 1. 5-2. 3 nm is formed. Near edge X-ray absorption fine structure of the oxide layer Si 2p-spectrum corresponds to the well-coordinated SiO[2] 2p-spectrum fine structure. And the Si 2p-absorption edge fine structure of the silicon skeleton is identical to the 2p-absorption spectrum structure of crystalline silicon. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1048-1054.pdf Доп.точки доступа: Сивков, В. Н.; Ломов, А. А.; Васильев, А. Л.; Накипелов, С. В.; Петрова, О. В.; Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар); Физико-технологический институт Российской академии наук (Москва); Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва); Коми педагогический институт (Сыктывкар); Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар) |