Свойства тонких пленок из политетрафторэтилена, нанесенных на твердые субстраты методом электронно-лучевой полимеризации из паровой фазы [Текст] / М. А. Брук [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 8. - С. 1566-1571. - Библиогр.: с. 1571 (9 назв. ) . - ISSN 0507-5475 Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- политетрафторэтилен -- твердые субстраты -- электронно-лучевая полимеризация -- паровые фазы -- кремниевые пластины -- термостойкость Аннотация: Приведены результаты по нанесению на кремниевые пластины тонких пленок из ПТФЭ путем полимеризации тетрафторэтилена из паровой фазы под действием пучка электронов с энергией 20-40 кэВ при варьировании плотности тока в интервале 1-10{\up 4} мкА/см{\up 2}. Доп.точки доступа: Брук, М. А.; Жихарев, Е. Н.; Волегова, И. А.; Спирин, А. В.; Телешов, Э. Н.; Кальнов, В. А. |
Базанов, А. В. Пульсация температуры выпариваемого раствора в режиме переходного кипения [Текст] / А. В. Базанов В. Н. Блиничев // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2009. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 128-131 : 3 рис. - Библиогр.: с. 131 (4 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Растворы Кл.слова (ненормированные): пульсация температуры -- поверхности испарения -- паровые фазы -- растворы -- режимы переходного кипения -- выпариваемые растворы Аннотация: Исследованы факторы пульсации температуры в самом растворе, на поверхности раздела фаз и в парогазовой среде. Доп.точки доступа: Блиничев, В. Н. |
621.315.592 З-351 Зарождение островков теллурида кадмия при синтезе из паровой фазы на охлажденной подложке [Текст] / А. П. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1348-1352 : ил. - Библиогр.: с. 1351 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные исследования -- результаты исследований -- теллурид кадмия -- подложки -- температура -- низкая температура -- кривые конденсации -- функции распределения -- паровые фазы -- трехмерные островки -- полимолекулярные слои -- адсорбаты -- релаксация (физика) -- химическая энергия -- микрофотографии Аннотация: Сообщается о результатах структурных исследований механизмов зарождения островков теллурида кадмия на подложке, охлажденной до низких температур (вплоть до 77 K). Приводятся кривые конденсации, функции распределения и микрофотографии. Предлагается модель, удовлетворительно объясняющая выявленные экспериментальные факты зарождением трехмерных островков на полимолекулярном слое адсорбата за счет релаксации его химической энергии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1348-1352.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Еремина, Е. О. |
537.311.33 Б 725 Боброва, Е. А. Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии [Текст] / Е. А. Боброва, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 894-899 : ил. - Библиогр.: с. 899 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): глубокие электронные состояния -- поликристаллы -- нелегированные поликристаллы -- CdTe -- метод нестационарной емкостной спектроскопии -- DLTS-метод -- нестационарная емкостная спектроскопия -- отжиг -- жидкий кадмий -- выращивание кристаллов -- неравновесные условия -- химический синтез -- паровые фазы -- электроны -- концентрация -- электронные ловушки -- глубокие уровни -- ГУ -- собственные точечные дефекты Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла n-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от ~10{8} до 10{15} см{-3}. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями E[1]=0. 84±0. 03 эВ и E[2]=0. 71±0. 02 эВ с суммарной концентрацией ~10{14} см{-3}. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня E[1] с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня E2 с точечным дефектом Cd[i]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p894-899.pdf Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
535.37 Ф 815 Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия [Текст] / В. С. Багаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 908-915 : ил. - Библиогр.: с. 915 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- НФЛ -- теллурид кадмия -- CdTe -- нелегированный теллурид кадмия -- кристаллизация -- паровые фазы -- температура -- термодинамическое равновесие -- решетки -- зонные структуры -- доноры (физика) -- акцепторы -- фононовые смеси -- энергия активации -- глубокие электронные состояния -- глубокие центры -- краевая фотолюминесценция Аннотация: С помощью низкотемпературной фотолюминесценции и электрофизических измерений исследован нелегированный теллурид кадмия, полученный в различных режимах быстрой кристаллизации из паровой фазы при температурах 420-600{o}C. Показано, что, несмотря на сравнительно большую скорость роста (~ 1 мкм/с), основные параметры, характеризующие решетку и зонную структуру материала, близки к литературным значениям для монокристаллического CdTe. Тип проводимости полученных кристаллов определяется водородоподобными донорами и акцепторами, связанными с фоновыми примесями. Помимо фоновых примесей в текстурах n-типа обнаружены компенсирующие акцепторы с нестандартными энергиями активации 48. 5±0. 5, 98. 0±0. 5 и 119. 5±0. 5 мэВ. Показано, что сочетание пониженной температуры роста и избытка теллура приводит к резкому увеличению концентрации глубоких электронных состояний и изоэлектронных дефектов с пониженной симметрией. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p908-915.pdf Доп.точки доступа: Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Онищенко, Е. Е.; Шепель, А. А. |
536.42 В 586 Влияние особенностей технологии получения поликристаллического CdTe на проводимость и спектр глубоких уровней после отжига / Е. А. Боброва [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 421-427 : ил. - Библиогр.: с. 427 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- поликристаллический теллурид кадмия -- химические реакции -- паровые фазы -- вакуумная сублимация -- легирование хлором -- хлор -- жидкий кадмий -- кадмий -- отжиг -- удельное сопротивление -- свободные носители -- собственные точечные дефекты -- глубокие уровни -- спектры глубоких уровней -- теллур Аннотация: Исследовалась проводимость, морфология и глубокие уровни в поликристаллическом CdTe. Нелегированный p-CdTe был выращен из паровой фазы низкотемпературными методами прямой химической реакции Cd и Te и вакуумной сублимации соединения состава P[min]. Выращен также CdTe, легированный хлором. Образцы имели удельное сопротивление ~10{5}-10{9} Ом x см. После отжига в жидком кадмии или в парах кадмия при ~500°C тип проводимости изменялся, концентрация свободных носителей в нелегированных образцах увеличивалась до 4 x 10{15}, в легированном - до ~2 x 10{16} см{-3}. Для всех образцов в спектрах DLTS после отжига наблюдался основной уровень дефекта ~0. 84 эВ и непрерывный фон. Наблюдалась корреляция между концентрациями основного дефекта и свободных носителей в нелегированном и легированном CdTe. Хлор был основной остаточной примесью в нелегированных образцах. Предполагается, что дефект является комплексом, включающим хлор и наблюдаемые структурные дефекты CdTe. The conductivity, morphology and deep levels in polycrystalline CdTe have been studied. Undoped p-CdTe was grown at low temperature from vapor phase by direct Cd and Te chemical reaction or CdTe vacuum sublimation at P[min], as well as the polycrystalline CdTe doped with Cl. The grown samples have resistivity in limits ~ 105 -109 Om x cm. After annealing in liquid or vapor Cd at temperature ~ 500°C conductivity type changed and free carriers concentrations increased in undoped samples up to 4 x 10{15}, in doped sample - up to 2 x 10{16} cm{-3]. For all samples the main deep level with energy ~ 0. 84 eV and continuous background was registered in DLTS spectra after annealing. The correlation between concentrations of main level defect and free carriers in undoped and doped samples was detected. Cl was the main residual impurity in undoped samples, so it was proposed that main defect is complex that includes Cl impurity and observed defects of structure CdTe. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p421-427.pdf Доп.точки доступа: Боброва, Е. А.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г.; Сентюрина, Н. Н.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)Научный центр волоконной оптики Российской академии наук (Москва) |
547 О-110 О сравнительном методе оценки давления насыщенных паров некоторых элементоорганических соединений / Е. Е. Гринберг [и др.]. // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2014. - Т. 58, № 1. - С. 46-48. - Библиогр.: с. 48 (13 назв.) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Органическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): элементоорганические соединения -- давление насыщенных паров -- фазовые переходы -- очистка продуктов -- пар -- паровые фазы -- многоатомные молекулы -- молекулы -- насыщенные пары -- дистилляционные методы -- сублимационные методы -- методы очистки -- пары -- насыщенный пар Аннотация: Давление насыщенного пара является одной из важных физико-химических характеристик фазовых переходов и главным параметром при поиске получения и очистки продуктов до высокой степени чистоты дистилляционным и сублимационным методами. Доп.точки доступа: Гринберг, Е. Е.; Рябцева, М. В.; Амелина, А. Е.; Котов, Д. В.; Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (Москва); Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (Москва); Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (Москва); Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (Москва) |
539.2 М 364 Махний, В. П. Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы / В. П. Махний, И. И. Герман, О. А. Парфенюк // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1467-1468 : ил. - Библиогр.: с. 1468 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эффект Холла -- Холла эффект -- кристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- олово -- Sn -- примеси олова -- электроны -- донорные центры -- паровые фазы Аннотация: Исследован эффект Холла в полуизолирующих кристаллах CdTe, легированных примесью Sn из паровой фазы в закрытом объеме. Установлено, что проводимость обусловлена донорным центром с E[t]~0. 7 эВ, а концентрация электронов и их подвижность при 300 K составляют (4-8) x 10{6} см{-3} и 200-300 см{2}/В x с соответственно. The Hall effect in semi-insulating crystals CdTe, doped Sn vapor in a closed volume was investigated. Foundthat the conductivity is due to the donor center with energyE[t] ~ 0. 74 eV. Obtained electron concentration and mobilityat 300K are equal (4-8) x 10{6} cm (-3}, and 200-300 cm{2}/V x s. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1467-1468.pdf Доп.точки доступа: Герман, И. И.; Парфенюк, О. А.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Юрия ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |