539.2
О 664


    Орлов, А. М.
    Генерация изгибных колебаний полупроводниковых пластин локальными тепловыми источниками [Текст] / А. М. Орлов, А. А. Скворцов, О. В. Литвиненко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
генерация колебаний -- изгибные колебания -- металлизация -- полупроводниковые пластины -- токовый нагрев
Аннотация: Проведен теоретический и экспериментальный анализ температурных полей при импульсном токовом нагреве дорожки металлизации на поверхности полупроводниковой пластины. Показано, что любые скачкообразные изменения мощности нагрева возбуждают в пластине изгибные колебания, амплитуда которых в пределах области безопасной работы полупроводниковой структуры пропорциональна величине скачка. Найден коэффициент затухания всего волнового пакета Gamma=1103 s{-}1 и различных частотных составляющих возбуждаемого излучения для кремниевой пластины толщиной 300 мкм


Доп.точки доступа:
Скворцов, А.А.; Литвиненко, О.В.


621.37/.39
А 589


    Альтшулер, Е. Ю.
    Математическое моделирование дифракции электромагнитной волны на полупроводниковой пластине в прямоугольном волноводе [Текст] / Е. Ю. Альтшулер, М. В. Давидович // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 11. - Библиогр.: с. 1349 (18 назв. ) . - ISSN 0033-8494
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитные волны -- дифракция -- полупроводниковые пластины
Аннотация: Методом объемных интегральных уравнений решена электродинамическая задача дифракции Н[10]-волны на полупроводниковой пластине конечной длины, частично заполняющей прямоугольный волновод. Рассмотрены эффекты влияния параметров пластины на коэффициент отражения и прохождения. Исследовано влияние отрицательной дифференциальной проводимости на усиление прошедшей и отраженной волн, выявлен и объяснен эффект резонансного усиления. Показана возможность управления в широких пределах параметрами рассеяния при изменении типичных электрофизических параметров полупроводника.


Доп.точки доступа:
Давидович, М. В.




    Скворцов, А. А.
    Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления [Текст] / А. А. Скворцов, А. М. Орлов, В. Е. Мурадов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- исследование диффузии -- тонкопленочные структуры -- многослойные тонкопленочные структуры -- кремний -- Si -- метод контактного плавления -- особенности контактного плавления -- алюминиевые пленки -- тонкопленочные системы -- алюминий -- титан -- никель -- молибден -- германий -- Al -- Ti -- Ni -- Mo -- Ge -- металлические подслои -- полупроводниковые подслои -- кремниевые пластины -- полупроводниковые пластины -- одиночные прямоугольные импульсы тока -- импульсы тока -- осциллографические методы -- время плавления -- скорости плавления -- анализ механизмов -- контактные взаимодействия -- методика оценки коэффициентов -- многофазная диффузия компонентов -- токовые импульсы
Аннотация: Рассмотрены особенности контактного плавления в тонкопленочных системах Al (толщина h[1]=5 mum) -металлический (Ti, Ni, Mo) или полупроводниковый (Si, Ge) подслой (h[2]=0. 1 mum) -кремниевая пластина (h[3]=500 mum) при прохождении через алюминиевую пленку одиночных прямоугольных импульсов тока амплитудой j<9· 10{10} A/m{2} и длительностью 100-1000 mus. Осциллографическим методом определены времена и скорости контактного плавления в рассматриваемых структурах. На основе анализа механизмов контактного взаимодействия в системе Al-подслой (с учетом опытных данных по времени растворения подслоя в Al-пленке) предложена методика оценки коэффициентов многофазной диффузии компонентов в процессе прохождения токового импульса.


Доп.точки доступа:
Орлов, А. М.; Мурадов, В. Е.




    Изюмов, М. О.
    Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке [Текст] / М. О. Изюмов // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 6. - С. 131-132. - Библиогр.: с. 132 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
УДК
ББК 22.3с
Рубрики: Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента

Кл.слова (ненормированные):
электростатический прижим -- температурная стабилизация -- полупроводниковые пластины -- теплопередача -- теплоотвод -- вакуумно-плазменная обработка -- гелий
Аннотация: Электростатический прижим (э. с. п. ) с подачей гелия под пластину позволяет стабилизировать температуру полупроводниковых пластин при их вакуумно-плазменной обработке (10-410 Па), когда присутствует интенсивный тепловой поток из плазмы к пластине. Эффективный теплоотвод от пластины к э. с. п. осуществляется благодаря объемной теплопередаче через гелий, подаваемый в зазор между пластиной и э. с. п.



537.311.322
К 760


    Кошелев, О. Г.
    О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин [Текст] / О. Г. Кошелев, авт. Е. А. Гусева // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 1. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 124 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.332 + 31.221
Рубрики: Физика
   Электрический ток

   Энергетика

   Электрические измерения

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые пластины -- миллиметровые волны -- субмиллиметровые волны -- интерференция -- конфокальные резонаторы -- фотопроводимость -- компьютерное моделирование -- экспериментальные погрешности -- Фурье ряд -- ряд Фурье
Аннотация: Рассмотрена интерференция миллиметровых и субмиллиметровых волн в высокоомной полупроводниковой пластине, освещенной модулированным светом и помещенной в шейку пучка в открытом резонаторе перпендикулярно его оси.


Доп.точки доступа:
Гусева, Е. А.


537.311.33
П 542


    Поляков, Н. Н.
    Измерение и контроль свойств металлических контактов к полупроводниковым пластинам и пленкам / Н. Н. Поляков, авт. А. А. Заворотний // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 9. - С. 36-40. - Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
измерение свойств контактов -- контроль свойств контактов -- металлические контакты -- металл - полупроводник -- полупроводниковые пластины -- полупроводниковые пленки -- сопротивление растекания -- удельная электропроводность -- метод Фурье -- Фурье метод -- краевые условия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент
Аннотация: Разработан способ измерения сопротивления контактов металл - полупроводник. Построена математическая модель, адекватная условиям физического эксперимента. На основе математической модели предложена методика измерения сопротивления контактов.


Доп.точки доступа:
Заворотний, А. А.; Липецкий государственный педагогический университетЛипецкий государственный педагогический университет


621.38
Е 924


    Ефремов, А. М.
    Закономерности формирования электрофизических параметров и состава неизотермической плазмы галогеноводородов / А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2013. - Т. 57, № 3/4. - С. 60-69. - Библиогр.: с. 69 (34 назв.) . - ISSN 0373-0247
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
галогеноводороды -- плазма -- неизотермическая плазма -- водород -- полупроводниковые пластины -- травление -- кремний -- физико-химические процессы
Аннотация: Цель данной работы - выявление кинетических закономерностей и механизмов физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы смесей.


Доп.точки доступа:
Светцов, В. И.; Ивановский государственный химико-технологический университетИвановский государственный химико-технологический университет