539.2 О 664 Орлов, А. М. Генерация изгибных колебаний полупроводниковых пластин локальными тепловыми источниками [Текст] / А. М. Орлов, А. А. Скворцов, О. В. Литвиненко> // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): генерация колебаний -- изгибные колебания -- металлизация -- полупроводниковые пластины -- токовый нагрев Аннотация: Проведен теоретический и экспериментальный анализ температурных полей при импульсном токовом нагреве дорожки металлизации на поверхности полупроводниковой пластины. Показано, что любые скачкообразные изменения мощности нагрева возбуждают в пластине изгибные колебания, амплитуда которых в пределах области безопасной работы полупроводниковой структуры пропорциональна величине скачка. Найден коэффициент затухания всего волнового пакета Gamma=1103 s{-}1 и различных частотных составляющих возбуждаемого излучения для кремниевой пластины толщиной 300 мкм Доп.точки доступа: Скворцов, А.А.; Литвиненко, О.В. |
621.37/.39 А 589 Альтшулер, Е. Ю. Математическое моделирование дифракции электромагнитной волны на полупроводниковой пластине в прямоугольном волноводе [Текст] / Е. Ю. Альтшулер, М. В. Давидович> // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 11. - Библиогр.: с. 1349 (18 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): электромагнитные волны -- дифракция -- полупроводниковые пластины Аннотация: Методом объемных интегральных уравнений решена электродинамическая задача дифракции Н[10]-волны на полупроводниковой пластине конечной длины, частично заполняющей прямоугольный волновод. Рассмотрены эффекты влияния параметров пластины на коэффициент отражения и прохождения. Исследовано влияние отрицательной дифференциальной проводимости на усиление прошедшей и отраженной волн, выявлен и объяснен эффект резонансного усиления. Показана возможность управления в широких пределах параметрами рассеяния при изменении типичных электрофизических параметров полупроводника. Доп.точки доступа: Давидович, М. В. |
Скворцов, А. А. Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления [Текст] / А. А. Скворцов, А. М. Орлов, В. Е. Мурадов> // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузия -- исследование диффузии -- тонкопленочные структуры -- многослойные тонкопленочные структуры -- кремний -- Si -- метод контактного плавления -- особенности контактного плавления -- алюминиевые пленки -- тонкопленочные системы -- алюминий -- титан -- никель -- молибден -- германий -- Al -- Ti -- Ni -- Mo -- Ge -- металлические подслои -- полупроводниковые подслои -- кремниевые пластины -- полупроводниковые пластины -- одиночные прямоугольные импульсы тока -- импульсы тока -- осциллографические методы -- время плавления -- скорости плавления -- анализ механизмов -- контактные взаимодействия -- методика оценки коэффициентов -- многофазная диффузия компонентов -- токовые импульсы Аннотация: Рассмотрены особенности контактного плавления в тонкопленочных системах Al (толщина h[1]=5 mum) -металлический (Ti, Ni, Mo) или полупроводниковый (Si, Ge) подслой (h[2]=0. 1 mum) -кремниевая пластина (h[3]=500 mum) при прохождении через алюминиевую пленку одиночных прямоугольных импульсов тока амплитудой j<9· 10{10} A/m{2} и длительностью 100-1000 mus. Осциллографическим методом определены времена и скорости контактного плавления в рассматриваемых структурах. На основе анализа механизмов контактного взаимодействия в системе Al-подслой (с учетом опытных данных по времени растворения подслоя в Al-пленке) предложена методика оценки коэффициентов многофазной диффузии компонентов в процессе прохождения токового импульса. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Мурадов, В. Е. |
Изюмов, М. О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке [Текст] / М. О. Изюмов> // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 6. - С. 131-132. - Библиогр.: с. 132 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): электростатический прижим -- температурная стабилизация -- полупроводниковые пластины -- теплопередача -- теплоотвод -- вакуумно-плазменная обработка -- гелий Аннотация: Электростатический прижим (э. с. п. ) с подачей гелия под пластину позволяет стабилизировать температуру полупроводниковых пластин при их вакуумно-плазменной обработке (10-410 Па), когда присутствует интенсивный тепловой поток из плазмы к пластине. Эффективный теплоотвод от пластины к э. с. п. осуществляется благодаря объемной теплопередаче через гелий, подаваемый в зазор между пластиной и э. с. п. |
537.311.322 К 760 Кошелев, О. Г. О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин [Текст] / О. Г. Кошелев, авт. Е. А. Гусева> // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 1. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 124 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электрический ток Энергетика Электрические измерения Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пластины -- миллиметровые волны -- субмиллиметровые волны -- интерференция -- конфокальные резонаторы -- фотопроводимость -- компьютерное моделирование -- экспериментальные погрешности -- Фурье ряд -- ряд Фурье Аннотация: Рассмотрена интерференция миллиметровых и субмиллиметровых волн в высокоомной полупроводниковой пластине, освещенной модулированным светом и помещенной в шейку пучка в открытом резонаторе перпендикулярно его оси. Доп.точки доступа: Гусева, Е. А. |
537.311.33 П 542 Поляков, Н. Н. Измерение и контроль свойств металлических контактов к полупроводниковым пластинам и пленкам / Н. Н. Поляков, авт. А. А. Заворотний> // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 9. - С. 36-40. - Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): измерение свойств контактов -- контроль свойств контактов -- металлические контакты -- металл - полупроводник -- полупроводниковые пластины -- полупроводниковые пленки -- сопротивление растекания -- удельная электропроводность -- метод Фурье -- Фурье метод -- краевые условия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент Аннотация: Разработан способ измерения сопротивления контактов металл - полупроводник. Построена математическая модель, адекватная условиям физического эксперимента. На основе математической модели предложена методика измерения сопротивления контактов. Доп.точки доступа: Заворотний, А. А.; Липецкий государственный педагогический университетЛипецкий государственный педагогический университет |
621.38 Е 924 Ефремов, А. М. Закономерности формирования электрофизических параметров и состава неизотермической плазмы галогеноводородов / А. М. Ефремов, В. И. Светцов> // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2013. - Т. 57, № 3/4. - С. 60-69. - Библиогр.: с. 69 (34 назв.) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): галогеноводороды -- плазма -- неизотермическая плазма -- водород -- полупроводниковые пластины -- травление -- кремний -- физико-химические процессы Аннотация: Цель данной работы - выявление кинетических закономерностей и механизмов физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы смесей. Доп.точки доступа: Светцов, В. И.; Ивановский государственный химико-технологический университетИвановский государственный химико-технологический университет |