Скворцов, А. А. Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления [Текст] / А. А. Скворцов, А. М. Орлов, В. Е. Мурадов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузия -- исследование диффузии -- тонкопленочные структуры -- многослойные тонкопленочные структуры -- кремний -- Si -- метод контактного плавления -- особенности контактного плавления -- алюминиевые пленки -- тонкопленочные системы -- алюминий -- титан -- никель -- молибден -- германий -- Al -- Ti -- Ni -- Mo -- Ge -- металлические подслои -- полупроводниковые подслои -- кремниевые пластины -- полупроводниковые пластины -- одиночные прямоугольные импульсы тока -- импульсы тока -- осциллографические методы -- время плавления -- скорости плавления -- анализ механизмов -- контактные взаимодействия -- методика оценки коэффициентов -- многофазная диффузия компонентов -- токовые импульсы Аннотация: Рассмотрены особенности контактного плавления в тонкопленочных системах Al (толщина h[1]=5 mum) -металлический (Ti, Ni, Mo) или полупроводниковый (Si, Ge) подслой (h[2]=0. 1 mum) -кремниевая пластина (h[3]=500 mum) при прохождении через алюминиевую пленку одиночных прямоугольных импульсов тока амплитудой j<9· 10{10} A/m{2} и длительностью 100-1000 mus. Осциллографическим методом определены времена и скорости контактного плавления в рассматриваемых структурах. На основе анализа механизмов контактного взаимодействия в системе Al-подслой (с учетом опытных данных по времени растворения подслоя в Al-пленке) предложена методика оценки коэффициентов многофазной диффузии компонентов в процессе прохождения токового импульса. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Мурадов, В. Е. |