537 Ш 471 Шенгуров, В. Г. Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. А. Толомасов, В. Ю. Чалков // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 160 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): нагреватели -- подложки -- вакуум -- сверхвысокий вакуум -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Описано устройство равномерного прогрева подложек для молекулярно-лучевой эпитаксии до температуры 1450 градусов С. Доп.точки доступа: Светлов, С. П.; Толомасов, В. А.; Чалков, В. Ю. |
539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 Ш 47 Шенгуров, В. Г. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире [] / В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: с. 89 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксия; кремниевые слои; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; оптоэлектронные приложения; подложка; приложения; сапфир; сапфировая подложка; слои; сублимационная эпитаксия; фотолюминесценция; эпитаксия; эрбий Аннотация: Обсуждаются возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии легированных эрбием кремниевых слоев на сапфировой подложке для оптоэлектронных приложений. Доп.точки доступа: Павлов, Д. А.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Шиляев, П. А.; Степихова, М. В.; Красильникова, Л. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф. |
539.2 К 78 Красильникова, Л. В. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе [] / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 90-94. - Библиогр.: с. 94 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газовые фазы; германий; гетероструктуры; кремний; легирование; люминесцентные свойства; люминесценция; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; свойства; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; фазы; эпитаксия; эрбий Аннотация: Показано, что, используя методику сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа, можно создавать достаточно эффективные светоизлучающие эпитаксиальные структуры Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si. Доп.точки доступа: Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Светлов, С. П.; Гусев, О. Б. |
Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si, формирующихся в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1116-1121 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- нанокластеры -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- механизм Странски-Крастанова -- Странски-Крастанова механизм -- гетероструктуры Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции гетероструктур GeSi/Si (001) с нанокластерами, формирующимися в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста. Установлено, что зарождение кластеров происходит по механизму Странски-Крастанова, однако при дальнейшем росте существенное влияние на их морфологию оказывают процессы коалесценции. Наблюдалось удвоение линий фотолюминесценции в нанокластерах, связанное с излучательной рекомбинацией в объеме кластеров, а также голубое смещение линий с увеличением времени роста, связанное с диффузией Si из подложки в объем кластеров. Определены условия получения однородных массивов нанокластеров, излучающих при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися нанокластерами GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4] [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 58-67
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- гетероструктуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- межзонные оптические переходы -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методами спектроскопии фотоэдс на барьере полупроводник/электролит (ФПЭ), фотоэдс и фототока барьеров Шоттки исследованы спектры фоточувствительности (ФЧ) гетероструктур с нанокластерами GeSi/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], в том числе температурная зависимость спектров ФЧ барьеров Шоттки в диапазоне температур 10-300 К. В спектрах ФЧ наблюдались полосы, связанные с фононными и бесфононными пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в нанокластерах GeSi, в том числе при 300 К. Теоретически рассмотрено влияние дисперсии нанокластеров по размерам и/или составу на форму края спектров ФЧ. Развита теория эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых ям нанокластеров GeSi/Si, встроенных в барьер Шоттки (p-n-переход, барьер полупроводник/электролит). Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Горшков, А. П.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно легированных бором подложках [Текст] / В. Г. Шенгуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 193-196
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые слои -- эпитаксиальные слои -- n-тип проводимости -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Эпитаксиальные слои Si n-типа проводимости, легированные фосфором или эрбием, были выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500\{o\}C на сильно легированных бором p\{+\}-подложках, с удельным сопротивлением ро=0. 005 Ом см. Профили распределения концентрации примесей B, Er и O в выращенных образцах определялись методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Термический отжиг подложки при 1300 градусах C в течение 10 мин в вакууме и выращивание при очень низкой температуре подложки дают возможность достичь экстремально резкого профиля легирующих примесей на границе раздела слой-подложка. Этот метод выращивания n-p\{+\}-переходов значительно улучшает их электрические и люминесцентные характеристики. Доп.точки доступа: Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, Д. В.; Денисов, С. А. |
Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1527-1532 : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика) Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф. |
Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si (001) [Текст] / А. И. Машин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1552-1558 : ил. - Библиогр.: с. 1558 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ГС -- конфокальная рамановская микроскопия -- КРМ -- метод конфокальной рамановской микроскопии -- упругие напряжения -- пространственные распределения -- островки (физика) -- GeSi/Si (001) -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- карты распределения элементов -- деформации -- упругие деформации -- температура роста Аннотация: Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge[x]Si[1-x]/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4]. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером <100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge x и упругой деформации varepsilon, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость x и varepsilon от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge. Доп.точки доступа: Машин, А. И.; Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
53.07 Л 385 Легирование бором гетероструктур Si[1-x]Ge[x]/Si в процессе сублимации кремния в среде германа [Текст] / В. Г. Шенгуров [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 24-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- бор -- легирование слоев -- кремний -- сублимация кремния -- процессы сублимации -- германий -- низкотемпературное выращивание -- процессы выращивания -- монокристаллический кремний -- ток -- легированные слои Аннотация: Сообщается о контролируемом легировании эпитаксиальных слоев Si[1-x]Ge[x] бором в процессе низкотемпературного (~ 500° C) выращивания гетероструктур SiGe/Si (100) испарением легированного бором кремниевого источника в среде германа. Источником является легированная бором пластина монокристаллического кремния, нагреваемая до ~ 1300° C пропусканием тока. С использованием данного источника были выращены гетероструктуры с селективно легированными слоями и резким профилем легирования. Максимальная концентрация атомов бора в слоях составляла ~ 1· 10{19} cm{-3}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p24-30.pdf Доп.точки доступа: Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.; Шенгуров, Д. В.; Жукавин, Р. Х.; Дроздов, М. Н. |
621.315.592 О-110 О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1. 5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Корнаухов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 87-92 : ил. - Библиогр.: с. 91-92 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- ЭЛ -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- p-n переходы -- длина волны -- туннельно-пролетные структуры -- ТП структуры -- кремниевые структуры -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- легирование эрбием -- эрбий -- излучательные переходы -- энергетические уровни -- рекомбинационные процессы -- электроны -- туннелирование -- экспериментальные исследования Аннотация: В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si: Er/Si с p-n-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0. 9-1. 65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si: Er за счет их туннелирования из валентной зоны p{+}-слоя в электрическом поле обратно смещенного p-n-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p87-92.pdf Доп.точки доступа: Корнаухов, А. В.; Ежевский, А. А.; Марычев, М. О.; Филатов, Д. О.; Шенгуров, В. Г. |
621.315.592 И 889 Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si (001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии [Текст] / П. А. Бородин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 414-418 : ил. - Библиогр.: с. 418 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- СТС -- локальная плотность состояний -- ЛПС -- наноостровки -- туннельные спектры -- GeSi/Si (001) -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- КЯ -- токовые изображения -- пространственное распределение -- энергетическое распределение -- поверхностные островки -- гетероструктуры Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si (001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si (001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge[0. 3]Si[0. 7]/Si (001) проявляют свойства гетероструктур I типа. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p414-418.pdf Доп.точки доступа: Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
621.3 Г 441 Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа [Текст] / С. П. Светлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 118-120. - Библиогр.: с. 120 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- методы выращивания гетероструктур -- методы сублимации структур -- электронные свойства структур Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои Si/Si[1-x]Ge[x]: Er были выращены на подложках Si (100) при относительно низкой температуре 500 градусов Цельсия методом сублимации кремния в среде GeH[4]. Доп.точки доступа: Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Шабанов, В. Н.; Денисов, С. А.; Красильник, З. Ф.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н. |
535.376 Л 947 Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа. Доп.точки доступа: Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
621.315.592 М 806 Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста. Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
530.145 О-627 Оптически активные центры иона Er{3+} в структурах Si/Si[1-x]Ge[x] в условиях сильного оптического возбуждения [Текст] / Л. В. Красильникова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 103-108. - Библиогр.: c. 108 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): лазеры на кремнии -- условия сильного оптического возбуждения -- оптически активные центры -- сигналы фотолюминесценции -- параметры гетерослоев -- послеростовый отжиг -- редкоземельные примеси Аннотация: Представлены результаты исследований по созданию эффективного источника излучения на кремнии. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Байдакова, Н. А.; Степихова, М. В.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 Н 613 Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода / Д. В. Шенгуров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 410-413 : ил. - Библиогр.: с. 413 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- кремний -- Si-структуры -- кремниевые структуры -- светоизлучающие структуры -- легирование -- эрбий -- кислород -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Er -- парциальное давление -- газы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кремниевые сублимационные источники -- электролюминесценция -- отжиг -- атомы -- активные центры -- низкотемпературное выращивание Аннотация: Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5 x 10{-10} Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450 °C, была ~ 1 x 10{19} см{-3}, а эрбия - 10{18} см{-3}. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800 °C. In this paper we demonstrate a technology and properties of Si structures doped with erbium and oxygen. The layers were deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on (100) Si using a silicon sublimation source doped with Er. Before layers were grown the partial pressure of oxygencontaining gases in working volume of MBE system was less then 5 x 10{-10} Torr. The oxygen concentration in Si films grown at 450 °C was ~ 10{19} cm{-3}, erbium - 1 x 10{18} cm{-3}. Epitaxial Si layers codoped with erbium and oxygen had a good crystalline quality, and demonstrated effective photo- and electroluminescence signals with the dominance in the spectra of the optically activeEr-1 center being formed during the annealing procedure at 800 °С. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p410-413.pdf Доп.точки доступа: Шенгуров, Д. В.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.; Степихова, М. В.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 Г 441 Гетероструктуры Si[1-x]Ge[x]/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире / С. А. Денисов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 417-420 : ил. - Библиогр.: с. 420 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки -- сапфир -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- кремний -- германий -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- атомы эрбия -- эрбий -- буферные слои -- кремний-на-сапфире -- КНС Аннотация: Продемонстрирован рост гетероструктур со слоями Si[1-x]Ge[x] на подложках сапфира (1102) при использовании метода молекулярно-пучковой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым (GeH[4]) источником германия. Систематические исследования влияния температуры подложки и толщины буферного слоя кремния показали, что успешный рост эпитаксиальных слоев Si[1-x]Ge[x] происходит при TS= 375-400°C. Имеются значительные различия в ориентации слоев Si[1- x]Ge[x] в зависимости от толщины буферного слоя Si: d больше или равно 100 нм. Они имеют ориентацию (100), а при более тонких - (110). Гетероструктуры с толстыми (~1 мкм) слоями Si[1-x]Ge[x], легированными атомами эрбия, характеризуются интенсивной фотолюминесценцией на lambda = 1. 54 мкм. Growth of heterostructures with Si[1-xъGe[x] layers on sapphire (1{? }102) wafers is demonstrated by use of the molecularbeam epitaxy with sublimation source of silicon and gas source of germanium. Systematic studies of the effects of substrate temperature and thickness of the buffer Si layer show that the successful growth of epitaxial Si[1-x]Ge[x] films was at T[S] = 375? 400°C. Grown layers have a preferred orientation (100) at the thickness of the Si buffer layer d greater or equal 100 nm, and with less thickness - (110). Heterostructures with thick (~ 1 Mum) SiGe : Er layers are characterized by intense photoluminescence signal in the wavelength range 1. 54 Mum. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p417-420.pdf Доп.точки доступа: Денисов, С. А.; Матвеев, С. А.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Дроздов, Ю. Н.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Красильник, З. Ф.; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область)Институт физики микроструктур Российской академии наук; Институт физики микроструктур Российской академии наук |
536.42 И 889 Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника / П. Б. Болдыревский [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 11. - С. 155-158. - Библиогр.: c. 158 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремний -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксиальные слои -- толщина эпитаксиальных слоев -- осаждение из молекулярных пучков -- сублимационные источники Аннотация: Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты распределения значений толщины эпитаксиального слоя по площади подложки для процесса осаждения из молекулярного пучка, формируемого в вакууме сублимационным источником. Полученные расчетные данные достаточно хорошо согласуются с экспериментом для молекулярно-лучевой эпитаксии кремния. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/11/p155-158.pdf Доп.точки доступа: Болдыревский, П. Б.; Коровин, А. Г.; Денисов, С. А.; Светлов, С. П.; Шенгуров, В. Г.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского |