534 М 910 Муратиков, К. Л. Влияния внешней механической нагрузки на упругие напряжения вблизи радиальных трещин в Al[2]O[3]-SiC-TiC керамике, регистрируемые фотоакустическим методом [Текст] / К. Л. Муратиков, А. Л. Глазов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Акустика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): керамика -- трещины -- упругие напряжения -- фотоакустическая микроскопия Аннотация: Исследован характер изменения фотоакустического сигнала вблизи концов радиальных трещин в Al[2]O[3]-SiC-TiC керамике, индентированной по Виккерсу, под действием внешних напряжений. Предложена теоретическая модель образования фотоакустического сигнала вблизи концов вертикальных трещин. Методом лазерной сканирующей фотоакустической микроскопии получены изображения зон индентации в Al[2]O[3]-SiC-TiC керамике. Продемонстрирована чувствительность фотоакустического метода с пьезоэлектрическим способом регистрации сигнала, как к нормальным, так и касательным напряжениям, действующим на трещину. Произведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов по влиянию внешних напряжений на поведение фотоакустического сигнала вблизи концов радиальных трещин. Установлено их хорошее соответствие для исследованной керамики. Показана возможность оценки коэффициентов напряжений вблизи концов вертикальных трещин из данных фотоакустических экспериментов. Доп.точки доступа: Глазов, А.Л. |
530.1 О 533 Олемской, А. И. Феноменологическая теория перехода сыпучей среды в текучее состояние [Текст] / А. И. Олемской, О. В. Ющенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гранулированные среды -- самоорганизация -- система Лоренца -- сыпучие среды -- упругие напряжения Аннотация: В рамках самосогласованной схемы показано, что учет флуктуаций скорости и упругих напряжений позволяет представить переход сыпучей среды в текучее состояние как в непрерывном, так и в прерывистом режиме. В последнем случае флуктуации упругих напряжений способствуют проявлению самоорганизуемой критичности. Доп.точки доступа: Ющенко, О.В. |
539.2 К 891 Кузнецов, Г. Ф. Рентгенотопографическая идентификация и измерение пластической деформации и упругих напряжений в отдельных кристаллитах поликристаллических слоев алмаза [Текст] / Г. Ф. Кузнецов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N12. - Библиогр.: с.53 (20 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пластическая деформация -- деформация -- алмаз -- поликристаллы -- астеризм -- рентгенотопографическая идентификация -- упругие напряжения -- кристаллиты Аннотация: На основе известного явления астеризма разработан рентгенотопографический метод идентификации и измерения величин пластической деформации и остаточных упругих напряжений в отдельных кристаллитах поликристаллических слоев алмазов с размерами кристаллитов, превышающими 3 mum. Величина астеризма используется как количественная мера пластической деформации конкретных кристаллитов. Получено распределение числа кристаллитов по величине астеризма для поликристаллических слоев алмаза с толщинами 40-670 мкм, осажденных в СВЧ (сверх высокочастотной) плазме. Впервые обнаружена сдвиговая пластическая деформация в отдельных кристаллитах, при которой возникает разориентация отдельных областей кристаллита в пределах от 0.4 угловых минут до 1.5 градусов. Рассчитаны величины остаточных упругих напряжений в отдельных пластически деформированных кристаллитах, которые оказались в пределах 2.7 kPa-0.84 GPa. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/12/ |
548.52 Ф 531 Филимонов, С. Н. О статистике образования зародышей когерентных 3D-островков при гетероэпитаксии из молекулярного пучка [Текст] / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N4. - Библиогр.: с.38 (14 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): зародыши -- упругие напряжения -- 3D-островки -- статистика -- гетероэпитаксия -- метод ячеек Аннотация: В рамках метода ячеек проведен анализ статистики образования зародыша на вершине 2D-островка с учетом влияния упругих напряжений на энергию связи атома в изломе. Показано, что в случае высоких температур наличие упругих напряжений может привести к уменьшению времени ожидания появления зародыша при увеличении температуры и уменьшении скорости роста. Полученные результаты качественно согласуются с экспериментальными данными по формированию когерентных 3D-островков при гетероэпитаксии полупроводников в системах молекулярно-лучевой эпитаксии Доп.точки доступа: Эрвье, Ю.Ю. |
539.31.6 Н 401 Неверов, В. В. Упругие напряжения при пластическом гофрировании слоев материала. Касательные напряжения [Текст] / В. В. Неверов, А. Н. Антоненко // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 1. - Библиогр.: с. 12-13 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Техника--Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): упругие напряжения -- пластическая деформация -- гофрирование -- механические напряжения -- сдвиги -- двойникование Аннотация: Построено поле напряжений группы из 110 незавершенных сдвигов, расположение участков которых соответствует гофрированному порядку. По данным об упругой энергии группы найдены наиболее вероятные параметры расположения участков. Доп.точки доступа: Антоненко, А. Н. |
Сарафанов, Г. Ф. Формирование полосы переориентации в упругом поле дисклинационного диполя [Текст] / Г. Ф. Сарафанов, В. Н. Перевезенцев, Ю. В. Свирина // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 4. - С. 104-110. - Библиогр.: c. 109-110 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): переориентация -- дисклинационныы диполи -- упругие напряжения -- дислокации -- дислокационные структуры Аннотация: В рамках кинетического подхода проведено рассмотрение и компьютерное моделирование формирования полосы переориентации в поле упругих напряжений дисклинационного диполя: заданного на границе зерна и наведенного пластической деформацией на изломе межкристаллитной границы в бикристалле. Выявлено хорошее соответствие результатов компьютерного моделирования с результатами, полученными ранее в континуальном приближении. Показано, что дислокационная структура полосы переориентации, формирующаяся в процессе аккомодационного скольжения, представляет собой динамическое стационарное образование и имеет кинетическую природу возникновения. Доп.точки доступа: Перевезенцев, В. Н.; Свирина, Ю. В. |
Красавин, В. В. Расчет скорости ультразвука в кубических монокристаллах жаропрочных сплавов [Текст] / В. В. Красавин, А. В. Красавин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 3. - С. 29-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Химия твердого тела Физика Ультразвук и инфразвук Технология металлов Металловедение черных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): расчет скорости ультразвука -- кубические монокристаллы -- жаропрочные сплавы -- сплавы -- упругие напряжения -- фазовые скорости -- ультразвуковые волны -- кристаллографические направления -- уравнение движения элементов среды -- распространение упругих волн Аннотация: Получены аналитические выражения для фазовых скоростей продольной (квазипродольной) и двух поперечных (квазипоперечных) ультразвуковых волн в любом произвольном кристаллографическом направлении кубических кристаллов. Доп.точки доступа: Красавин, А. В. |
Кютт, Р. Н. Межслоевая релаксация в гетероструктурах A{III}-нитридов по данным рентгеновской дифракции [Текст] / Р. Н. Кютт, Ю. А. Динаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 8-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): межслоевая релаксация -- гетероструктуры -- нитриды -- рентгеновская дифракция -- рентгенодифракционное исследование -- гетеросистемы -- двухслойные гетеросистемы -- InN-GaN -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод газофазной эпитаксии -- сапфиры -- дифракционные пики -- дифракция -- компоненты тензора -- микродисторсия -- дислокации -- дислокационные структуры -- слои (физика) -- механизмы релаксации -- упругие напряжения Аннотация: Проведено рентгенодифракционное исследование структурного совершенства 2 образцов двухслойной гетеросистемы InN-GaN, выращенной методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии на (0001) -плоскости сапфира. Из анализа уширений дифракционных пиков, измеренных в разной геометрии дифракции, получены компоненты тензора микродисторсии и из них оценена плотность отдельных семейств дислокаций в каждом из слоев. Прослежено изменение дислокационной структуры от нижележащего слоя GaN к вышележащему слою InN. Разница в поведении дислокаций в 2 образцах, выращенных разными методами, позволяет предположить разные механизмы релаксации упругих напряжений между слоями InN и GaN в этих двух случаях. Доп.точки доступа: Динаев, Ю. А. |
Банцури, Р. Д. Контактная задача для кусочно-однородной плоскости с полубесконечным включением [Текст] / Р. Д. Банцури, Н. Н. Шавлакадзе // Прикладная математика и механика (ПММ). - 2009. - Т. 73, вып: вып. 4. - С. 655-662. - Библиогр.: с. 662 (13 назв. ) . - ISSN 0032-8235
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): кусочно-однородные упругие пластинки -- контактные напряжения -- контактные задачи -- упругие напряжения -- интегральные преобразования Аннотация: Рассматривается кусочно-однородная упругая пластинка, усиленная полубесконечным включением, пересекающим границу раздела под прямым углом и нагруженным тангенциальными силами. Определяются контактные напряжения вдоль линии контакта, устанавливается поведение контактных напряжений в окрестности сингулярных точек. Методами теории аналитических функций и интегральных преобразований задача сводится к системе сингулярных интегро-дифференциальных уравнений на полуоси. Решение представляется в явном виде. Доп.точки доступа: Шавлакадзе, Н. Н. |
Девятко, Ю. Н. Механизм формирования несферических зародышей новой фазы [Текст] / Ю. Н. Девятко, О. В. Хомяков // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С. 41-46 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): конструкционные материалы -- температурные режимы -- высокоэнергетическое облучение -- несферические зародыши -- реакторное облучение -- упругие напряжения -- вакансионное распухание -- релаксация метастабильных состояний Аннотация: При длительном реакторном облучении в конструкционных материалах происходит зарождение выделений новых фаз, рост которых происходит в поле упругих напряжений, создаваемых радиационными точечными дефектами. Показано, что рост выделений в упругой среде приводит к несферичности их формы. Доп.точки доступа: Хомяков, О. В. |
Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры a-ориентированных эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на r-грани сапфира [Текст] / Р. Н. Кютт [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1687-1692. - Библиогр.: с. 1692 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотропия напряжений в плоскостях -- упругие напряжения -- сапфир -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- межплоскостные расстояния -- дифракционные пики -- дислокации краевого типа Аннотация: Проведено рентгенодифракционное исследование структурного состояния эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом MOVPE на r-грани сапфира. На двух- и трехкристальном дифрактометре измерялись межплоскостные расстояния в двух направлениях в плоскости интерфейса (11-20) и перпендикулярно ей, дифракционные пики theta- и theta-2theta-мод сканирования в геометрии Брэгга и Лауэ, а также строились карты распределения интенсивности для асимметричных брэгговских рефлексов в двух азимутальных положениях образца. Полученные данные демонстрируют анизотропию упругой деформации и уширения дифракционной картины параллельно плоскости интерфейса. Слои сжаты в направлении [1-100] и не деформированы в направлении [0001]. Уширение брэгговских рефлексов значительно больше в направлении [1-100] по сравнению с [0001]. На основе построения Вильямсона--Холла для брэгговских и лауэвских отражений показано, что эти уширения не связаны с различной степенью мозаичности, а обусловлены локальными дилатациями и разориентациями вокруг дефектов. На основе анализа полученных данных делаются выводы о дислокационной структуре образцов. Доп.точки доступа: Кютт, Р. Н.; Щеглов, М. П.; Ратников, В. В.; Николаев, А. Е. |
Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si (001) [Текст] / А. И. Машин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1552-1558 : ил. - Библиогр.: с. 1558 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ГС -- конфокальная рамановская микроскопия -- КРМ -- метод конфокальной рамановской микроскопии -- упругие напряжения -- пространственные распределения -- островки (физика) -- GeSi/Si (001) -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- карты распределения элементов -- деформации -- упругие деформации -- температура роста Аннотация: Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge[x]Si[1-x]/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4]. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером <100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge x и упругой деформации varepsilon, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость x и varepsilon от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge. Доп.точки доступа: Машин, А. И.; Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
Влияние напряжений сжатия и растяжения в слоях GaMnAs на их магнитные свойства [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2124-2127. - Библиогр.: с. 2127 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства -- упругие напряжения -- метод лазерного распыления Аннотация: Исследовано влияние упругих напряжений (сжатия, растяжения) на магнитные свойства эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом лазерного распыления твердотельных мишеней в газовой атмосфере на различных буферных подслоях (In[x]Ga[1-x]As и In[x]Ga[1-x]P) и подложках (GaAs, InP). По данным исследований магнитополевых зависимостей сопротивления Холла было установлено, что все слои обладали ферромагнитными свойствами с температурой Кюри ~ 50 K. Показано, что в случае напряжений растяжения в слоях GaMnAs (буферы In[x]Ga[1-x]As и In[x]Ga[1-x]P, подложка InP) вид аномального эффекта Холла свидетельствует о преимущественной ориентации оси легкого намагничивания в направлении роста в отличие от слоев GaMnAs, полученных на подложке GaAs (с напряжениями сжатия), демонстрирующих преобладание составляющей вектора намагниченности в плоскости слоя. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Сапожников, М. В. |
539.2 К 651 Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III-N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Д. В. Нечаев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101-102 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- упругие напряжения -- контроль напряжений -- метод дифракции -- электроны -- быстрые электроны -- отраженные быстрые электроны -- процессы роста -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- картины дифракции -- статистический анализ -- результаты анализа -- релаксация напряжений -- сверхрешеточные структуры Аннотация: Приводятся результаты статистического анализа картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) для определения значений латеральной постоянной решетки (a) слоев в гетероструктурах (ГС) широкозонных соединений (Al, Ga, In) N в процессе их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определено, что погрешность метода изменяется от минимального значения 0. 17 % до нескольких процентов в зависимости от контрастности изображений ДОБЭ, которая определяется стехиометрическими условиями роста. Демонстрируются возможности регистрации релаксации упругих напряжений при росте короткопериодных сверхрешеточных структур {GaN (4 nm) /AlN (6 nm) }[30]/AlN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p96-102.pdf Доп.точки доступа: Нечаев, Д. В.; Жмерик, В. Н.; Мизеров, А. М.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
539.21:537 П 580 Попов, В. В. Влияние упругих напряжений на сверхвысокочастотный магнитный импеданс аморфных магнитных микропроводов [Текст] / В. В. Попов, Е. В. Гомонай, В. Н. Бержанский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 15. - С. 67-73 : ил. - Библиогр.: с. 73 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): упругие напряжения -- магнитный импеданс -- сверхвысокочастотный магнитный импеданс -- микропровода -- магнитные микропровода -- аморфные микропровода -- эксперименты -- магнитострикция -- циркулярная анизотропия -- магнитные структуры -- геликоидальные структуры -- гистерезис -- магнитные системы -- аксиальные напряжения -- вращательные напряжения -- магнитные поля Аннотация: Экспериментально показано, что в магнитных микропроводах с отрицательным знаком константы магнитострикции приложение аксиального напряжения приводит к увеличению эффективного поля циркулярной анизотропии. Вращательные напряжения формируют геликоидальную магнитную структуру, которая приводит к гистерезису и необратимым скачкам на кривых гигантского магнитного импеданса. Поле, при котором теряется устойчивость магнитной системы, зависит от величины аксиальных и вращательных напряжений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/15/p67-73.pdf Доп.точки доступа: Гомонай, Е. В.; Бержанский, В. Н. |
539.21:537 П 580 Попов, М. А. Механизм электрической перестройки частоты в композитных резонаторах на основе эпитаксиальных ферритовых пленок [Текст] / М. А. Попов, авт. И. В. Зависляк // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 87-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): планарные структуры -- резонаторы -- композитные резонаторы -- частота -- перестройка частоты -- электрическая перестройка -- ферритовые пленки -- эпитаксиальные пленки -- железо-иттриевый гранат -- цирконат-титанат свинца -- результаты исследований -- упругие напряжения -- одноосная анизотропия -- ферриты -- пьезоэлектрики -- металлизированные пьезоэлектрики -- магнитостатические резонаторы Аннотация: Представлены результаты исследования планарной структуры, состоящей из эпитаксиальной пленки железо-иттриевого граната и цирконата-титаната свинца. Теоретически и экспериментально показано, что электрическая перестройка частоты обусловлена наведенными упругими напряжениями изменениями поля одноосной анизотропии первого порядка, при этом поле одноосной анизотропии второго порядка меняется существенно меньше. Найдено, что склеивание феррита и металлизированного пьезоэлектрика незначительно увеличивает потери магнитостатического резонатора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p87-94.pdf Доп.точки доступа: Зависляк, И. В. |
621.315.592 Э 949 Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si[1-x]Ge[x] [Текст] / В. В. Стрельчук [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 665-672 : ил. - Библиогр.: с. 671-672 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- рентгеновская дифракция -- наноостровки -- самоорганизованные наноостровки -- пространственное упорядочение -- однослойные структуры -- буферные слои -- квантовые точки -- КТ -- напряженные буферные слои -- диффузионные процессы -- пространственно-неоднородные напряжения -- упругие напряжения Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии, микро-спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей рентгеновской дифракции исследованы особенности пространственного упорядочения наноостровков SiGe в однослойных структурах, сформированных на напряженном буферном подслое Si[1-x]Ge[x]. Показано, что рост наноостровков на подслое Si[1-x]Ge[x] не только стимулирует эффект их пространственного упорядочения, но и усиливает роль интердиффузионных процессов. Наблюдаемое необычно высокое увеличение объема островков в процессе эпитаксии связано с индуцированной неоднородным полем упругих деформаций аномально сильной диффузией материала из буферного подслоя в островки. Анизотропия формы и пространственного упорядочения островков обсуждается как следствие анизотропии диффузионных процессов в поле пространственно-неоднородных упругих напряжений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p665-672.pdf Доп.точки доступа: Стрельчук, В. В.; Николенко, А. С.; Литвин, П. М.; Кладько, В. П.; Гудыменко, А. И.; Валах, М. Я.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В. |
621.315.592 К 571 Когерентные фазовые равновесия в системе Zn-Cd-Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn[x]Cd[1-x]Te [Текст] / П. П. Москвин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 865-873 : ил. - Библиогр.: с. 872 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): упругие напряжения -- эпитаксиальные слои -- твердые растворы -- подложки -- фазовые равновесия -- кристаллические решетки -- жидкофазная эпитаксия -- гетероструктуры -- массоперенос -- кристаллизация -- Zn-Cd-Te -- экспериментальные исследования -- упругонапряженные слои -- гетеропереходы -- когерентные фазовые равновесия Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано влияние упругих напряжений, возникающих в эпитаксиальных слоях твердых растворов Zn[x]Cd[1-x]Te, осаждаемых на подложку CdTe, на параметры процесса выращивания. Фазовые равновесия между упругонапряженным слоем твердого раствора, кристаллическая решетка которого непрерывным образом (когерентно) сопряжена с кристаллической решеткой массивной подложки, описывались когерентной диаграммой состояния. Процессы массопереноса вещества при формировании гетероструктур на основе указанных твердых растворов и подложки из исходных двухкомпонентных соединений описывались в модели диффузионно-ограниченной кристаллизации. Показано, что такими термодинамическими представлениями возможно описать полученные экспериментальные данные по параметрам проведения процесса кристаллизации упругонапряженных слоев твердых растворов при формировании гетеропереходов в системе, включающей Zn-Cd-Te и подложку из исходного двухкомпонентного соединения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p865-873.pdf Доп.точки доступа: Москвин, П. П.; Рашковецкий, Л. В.; Сизов, Ф. Ф.; Мошников, В. А. |
539.21:537 А 655 Андреев, В. Н. Влияние трансплантации тонких поликристаллических пленок диоксида ванадия на фазовый переход металл-полупроводник / В. Н. Андреев, В. А. Климов, М. Е. Компан // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 12. - С. 57-62 : ил. - Библиогр.: с. 62 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- поликристаллические пленки -- трансплантация -- диоксид ванадия -- фазовые переходы -- металлы -- полупроводники -- упругие напряжения -- перенос пленок -- температурные режимы Аннотация: Предложена методика переноса пленок диоксида ванадия с одной подложки на другую. Такая методика позволила выявить существенное влияние упругих напряжений, возникающих при синтезе пленок и в результате структурного фазового перехода, на температурное положение и форму петли гистерезиса отражательной способности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/12/p57-62.pdf Доп.точки доступа: Климов, В. А.; Компан, М. Е. |
538.9 Я 822 Ясников, И. С. К вопросу о раскрытии сектора вместо двойниковой границы в пентагональных малых частицах электролитического происхождения / И. С. Ясников // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 9. - С. 592-596
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): пентагональные частицы -- малые частицы -- частицы электролитического происхождения -- упругие напряжения -- релаксация упругих напряжений -- дефекты дисклинационного типа -- двойниковые границы Аннотация: В работе представлены экспериментальные доказательства возможности раскрытия сектора вместо двойниковой границы в пентагональных малых частицах, который ранее рассматривался в литературе как маловероятный канал релаксации упругих напряжений, связанных с дефектом дисклинационного типа. Обсуждается взаимосвязь критического размера пентагональной малой частицы и угла раскрытия сектора, при которых возникает вероятность реализации данного канала релаксации упругих напряжений. Доп.точки доступа: Тольяттинский государственный университет |