53 Б 82 Бордовский, Г. А. Навстречу VIII-й Международной конференции "Физика в системе современного образования" (ФССО-05 [] / Г. А. Бордовский, Ю. А. Гороховатский, О. Н. Крохин, А. Д. Суханов // Физическое образование в вузах. - 2005. - Т. 11, N 1. - С. 15-16 . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): конференции; международные конференции; образование Аннотация: О восьмой Международной конференции "Физика в системе современного образования", которая будет проходить в конце мая - начале июня 2005 года в Санкт-Петербурге. Доп.точки доступа: Гороховатский, Ю. А.; Крохин, О. Н.; Суханов, А. Д.; "Физика в системе современного образования", VIII международная конференция; Физика в системе современного образования, VIII международная конференция |
621.3 Б 82 Бордовский, Г. А. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро, П. П. Серегин, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 23-26 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стекла -- мёссбауэровская спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- полупроводниковые растворы Аннотация: Методом мёссбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe[2]) [z-x] (SnSe[2]) [x] как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
37.013 Б 43 Белоконь, А. В. Поздравляем с юбилеем! [Текст] / А. В. Белоконь, В. А. Болотов [и др.] // Высшее образование сегодня. - 2006. - N 12. - С. 38-39. - Ил.: 1 фот. . - ISSN 1726-667X
Рубрики: Образование. Педагогика--Общая педагогика--Россия, 20 в. Кл.слова (ненормированные): государственные деятели; юбилеи Аннотация: 19 ноября 2006 года исполнилось 60 лет Григорию Артемовичу Балыхину - видному деятелю образования и науки. Доп.точки доступа: Болотов, В. А.; Бордовский, Г. А.; Булаев, Н. И.; Видяпин, В. И.; Владимиров, А. И.; Демин, В. М.; Зернов, В. А.; Киселев, А. Ф.; Макаркин, Н. П.; Меркулова, Г. И.; Балыхин, Григорий Артемович |
621.3 Б 820 Бордовский, Г. А. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро, П. П. Серегин, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 23-26 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стекла -- мёссбауэровская спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- полупроводниковые растворы Аннотация: Методом мёссбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe[2]) [z-x] (SnSe[2]) [x] как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
621.315.592 Б 820 Бордовский, Г. А. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1429-1433 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): олово -- валентные состояния олова -- полупроводниковые стекла Аннотация: Количественное соотношение в стеклах (As2Se3) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO[2], блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Марченко, А. В.; Немов, С. А.; Серегин, П. П. |
Экспериментальное определение пространственного распределения электронных дефектов в решетках La[2-x]Sr[x]CuO[4 ]и Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 9. - С. 55-64
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- металлы -- мощные излучения -- электронные дефекты -- кристаллические решетки Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах \{67\}Cu (\{67\}Zn) и \{67\}Ga (\{67\}Zn) показано, что дырки, появляющиеся в результате замещения La\{3+\} на Sr\{2+\} в решетке La[2-x]Sr[x]CuO[4], локализованы преимущественно на атомах кислорода, находяшихся в одной плоскости с атомами меди, тогда как электроны, появляющиеся в решетке Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] за счет замещения ионов Nd\{3+\} на Ce\{4+\}, локализованы в подрешетке меди. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
Бордовский, Г. А. Мониторинг качества педагогического образования: состояние и проблемы [Текст] / Г. А. Бордовский, С. Ю. Трапицын, О. А. Граничина // Стандарты и мониторинг в образовании. - 2008. - N 6. - С. 28-34. - Библиогр.: с. 34 (6 назв. )
Рубрики: Образование. Педагогика--Москва Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): вузы -- качество обучения -- качество образования -- управление качеством -- студенты -- педагогические вузы -- университеты -- педагогическое образование -- управление образованием -- мониторинг качества Аннотация: Представлен анализ современного состояния и проблем мониторинга качества педагогического образования. Статья является результатом исследования, проведенного в рамках инновационной образовательной программы РГПУ имени А. И. Герцена. Изучены факторы, влияющие на качество образования: качество менеджмента в вузе, взаимодействие с рынком труда, качество подготовки абитуриентов и студентов, качество технологий обучения и качество деятельности профессорско-преподавательского состава. Доп.точки доступа: Трапицын, С. Ю.; Граничина, О. А.; Российский государственный педагогический университет имени А. И. Герцена; РГПУ имени А. И. Герцена |
Мессбауэровские U\{-\}-центры как инструмент исследования бозе-конденсации в полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1172-1179
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские двухэлектронные центры -- корреляционная энергия -- бозе-конденсация -- сверхпроводящие фазовые переходы -- двухэлектронные процессы Аннотация: Продемонстрировано, что мессбауэровские двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией являются эффективным инструментом исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе. Такие зонды чувствительны к двухэлектронным процессам, что и определяет их высокую чувствительность к изменению электронной плотности при фазовом переходе. Показано, что изменение электронной плотности при фазовом переходе зависит от критической температуры T[c] и оно различно в различных подрешетках. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Зайцева, А. В. |
Свойства и структура стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1353-1356
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стеклообразные системы -- халькогенидные стекла -- олово Аннотация: В структуре стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] олово стабилизируется в двух- и четырехвалентном состояниях. Присутствие в структурной сетке стекла двухвалентного олова не приводит к появлению примесной проводимости. Зависимости плотности, микротвердости и температуры стеклования от состава стекол объясняются в рамках модели, согласно которой структура стекол построена из структурных единиц, отвечающих соединениям As[2]Se[3], AsSe, TlAsSe[2], Tl[2]Se, SnSe и SnSe[2]. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Теруков, Е. И.; Серегин, П. П.; Лиходеева, Т. В. |
Бордовский, Г. А. (д-р физ. -мат. наук, проф.). Особенности развития современного педагогического образования [Текст] / Г. А. Бордовский // Педагогика. - 2010. - N 5. - С. 60-66. - Библиогр.: с. 66 (7 назв. ) . - ISSN 0869-561Х
Рубрики: Образование. Педагогика--Россия Педагогическое образование Кл.слова (ненормированные): мотивация обучения -- педагогические вузы -- педвузы -- студенты -- выбор вуза -- мотивация выбора вуза -- организация образовательного процесса -- удовлетворенность организацией -- многоуровневое педагогическое образование -- проектно-исследовательская модель -- качество педагогического образования -- гуманитарные технологии -- преподаватели вузов -- профессиональные характеристики -- модели профессиональной деятельности Аннотация: Какие изменения претерпело отечественное педагогическое образование в ходе проводимых преобразований? каковы у студентов мотивации к обучению, насколько удовлетворены они организацией образовательного процесса? Каково качество современного образования? Эти и другие важные вопросы требуют ответа при определении стратегических направлений развития отечественного образования. Доп.точки доступа: РГПУ им. А. И. Герцена; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена |
Определение состава стекол и пленок As-Se методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 22. - С. 15-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): количественное содержание -- стекла -- пленки -- определение состава стекол -- определение состава пленок -- мышьяк -- As -- селен -- Se -- стеклообразные сплавы -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- метод стандарта -- количественный состав Аннотация: Для определения количественного содержания мышьяка и селена в стеклообразных сплавах и пленках As[100-x]Se[x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол и пленок As[100-x]Se[x] с точностью x±0. 02. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И. |
Исследование влияния аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 7-10 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеноструктурный анализ -- структура аморфных материалов -- мессбауэровская спектроскопия -- полупроводники -- рентгеновское излучение -- аморфизация -- халькогениды мышьяка Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) изучено влияние аморфизации на симметрию локального окружения атомов халькогенов в соединениях As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3]. В мессбауэровских спектрах кристаллического As2Te3 3 состояния трехкоординированных атомов теллура оказываются неразличимыми. Аморфизация As[2]Te[3] приводит к понижению локальной симметрии трехкоординированных состояний атомов теллура и к появлению двухкоординированных состояний в цепочках типа -As-Te-Te-As-. В структуре кристаллических As[2]S[3] и As[2]Se[3] два состояния двухкоординированных атомов халькогенов X в цепочках типа -As-X-As- проявляются в уширении мессбауэровских спектров. Аморфизация As2S3 и As[2]Se[3] не сопровождается изменением локальной симметрии двухкоординированных атомов халькогенов в цепочках типа -As-X-As-, однако в структуре аморфного материала образуются двухкоординированные состояния атомов серы и селена в цепочках типа -As-X-X-As-. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 369-371
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- матрица стекла -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Анисимова, Н. И.; Дземидко, И. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1232-1236 : ил. - Библиогр.: с. 1236 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сплавы -- стеклообразные сплавы -- германий -- селен -- теллур -- мессбауэровская спектроскопия -- изотопы -- стекла -- халькогены -- локальная структура Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах {119}Sn и {129}Te ({129}I) показано, что стекла Ge[100-y]X[y] (X = S, Se, Те), обогащенные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные атомы халькогена в цепочках типа - Ge-X-Ge- и - Ge-X-X-Ge-. Германий в этих стеклах только четырехвалентен и 4-координирован, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Стекла, обедненные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные (в цепочках типа - Ge-X-Ge-) и 3-координированные атомы халькогена (в цепочках типа - Ge-X-Ge-). Германий в этих стеклах стабилизируется как в четырехвалентном и 4-координированном состоянии, так и в двухвалентном и 3-координированном состоянии, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Анисимова, Н. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 26-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стекла -- бинарные стекла -- халькогенидные стекла -- бинарные халькогенидные стекла -- стеклообразные сплавы -- германий -- мышьяк -- сера -- селен -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- рентгенофлуоресцентные спектры -- метод стандарта -- стехиометрические соединения -- спектральные линии Аннотация: Для определения количественного содержания германия, мышьяка, серы и селена в стеклообразных сплавах As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] с точностью ±0. 001 по параметру x. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И. |
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 445-451 : ил. - Библиогр.: с. 450 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примеси -- фоновые примеси -- Fe -- железо -- Cu -- медь -- Si -- кремний -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- рентгеновская флуоресценция -- инфракрасная спектроскопия -- спектры излучения -- кристаллы -- объемные кристаллы -- ZnO -- концентрация примесей Аннотация: На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода-основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с p-типом проводимости. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В.; Полетаев, Н. К.; Трапезникова, И. Н.; Чукичев, М. В.; Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Еременко, М. В. |
Идентификация двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2094-2097. - Библиогр.: с. 2097 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): определение эффективных зарядов атомов -- сверхпроводники -- метод эмиссионной мессбауэровской спектроскопии -- мессбауэровская спектроскопия -- тензоры градиента электрического поля -- кристаллические решетки -- модели сверхпроводимости -- металлоксиды меди Аннотация: На основе сравнения экспериментальных и расчетных параметров тензора градиента электрического поля показано, что дырки в решетках YBa[2]Cu[3]O[7] и YBa[2]Cu[4]O[8] локализованы на ионах кислорода в CuO[3] -цепочках. Эти результаты находятся в согласии с моделью, предполагающей, что механизмом, ответственным за высокотемпературную сверхпроводимость в соединениях YBa[2]Cu[3]O[7] и YBa[2]Cu[4]O[8], является взаимодействие электронов с двухатомными двухэлектронными центрами меди с отрицательной корреляционной энергией. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
539.2 Р 397 Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As-Ge-Se [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 6. - С. 15-20 : ил. - Библиогр.: с. 20 (2 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): стеклообразные сплавы -- халькогенидные стекла -- мышьяк -- As -- германий -- Ge -- селен -- Se -- количественное содержание -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- метод стандарта -- количественный состав Аннотация: Для определения количественного содержания мышьяка, германия и селена в стеклообразных сплавах As[x] (Ge[y]Se[1-y]) [1-x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол с точностью ± 0. 0002 по x и y. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/06/p15-20.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Еремин, И. В.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И. |
621.315.592 М 533 Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 3-23 : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (70 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские исследования -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- донорные центры (физика) -- халькогениды свинца -- свинец -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- корреляционная энергия -- результаты исследований -- пространственная неоднородность -- полуметаллические металлоксиды меди -- медь -- электронная плотность -- кристаллические решетки -- фазовые переходы -- металлоксиды меди -- аморфные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- олово -- мышьяк -- германий Аннотация: Обсуждаются результаты исследования донорных U{-}-центров олова и германия в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Рассмотрены литературные данные по идентификации амфотерных U{-}-центров олова в стеклообразных бинарных халькогенидах мышьяка и германия с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, а также в многокомпонентных халькогенидных стеклах с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии. Анализируются литературные данные по идентификации двухатомных U{-}-центров меди в решетках полуметаллических металлооксидов меди методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Приводятся литературные данные по обнаружению пространственной неоднородности бозе-конденсата в сверхпроводящих полупроводниковых и полуметаллических соединениях и по существованию корреляции между изменением электронной плотности в узлах кристаллической решетки и температурой сверхпроводящего перехода. Рассматриваются принципиальные возможности использования мессбауэровских U{-}-центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе в полупроводниках и полуметаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p3-23.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |