535 Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): глубокие центры -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- фотовозбуждение -- электролюминесцентные структуры -- электролюминесценция Аннотация: Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~ 2.6, ~ 1.9 и ~ 1.3 eV и плотностью потока фотонов (4ъ*10{14}-3*10{15}) mm{-2}*s{-1}. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка V{2-}[Zn] и серы V{+}[S], V{2+}[S], расположенных выше валентной зоны соответственно на ~ 1.1, =
|
535 Г 952 Гурин, Н. Т. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): квантовый выход -- светоотдача -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- электролюминесцентные структуры Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования процессов формирования зависимостей мгновенных значений внутреннего квантового выхода и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных излучателей от времени, среднего поля в слое люминофора и заряда, протекающего через этот слой, а также формировния зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от амплитуды напряжения возбуждения. Показано, что при увеличении частоты этого напряжения выше 10 Hz на участке роста яркости и тока через слой люминофора на зависимостях мгновенных значений квантового выхода и светоотдачи от времени появляется провал, а на участке спада яркости и тока - пик, обусловленные различием скоростей нарастания и спада яркости и тока Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
53 Б 75 Боднарь, И. В. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе тройных полупроводников CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, В. Ф. Гременок [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 3. - С. 32-38 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- фоточувствительность -- поликристаллические пленки -- полупроводники -- тройные полупроводниковые соединения Аннотация: Методом лазерного импульсного испарения исходных объемных кристаллов p-CuIn[3]Se[5] и n-CuIn[5]Se[8] выращены поликристаллические пленки CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] n-типа проводимости толщиной 0. 4-1 мюm, температурные зависимости удельного сопротивления которых определяются глубокими донорами с энергией активации E[D] ? 0. 2-0. 3 eV. На основе полученных пленок созданы первые фоточувствительные тонкопленочные структуры In/p-CuInSe и In/n-CuIn[5]Se[8] и изменены первые спектры их фоточувствительности. Продемонстрированы возможности применения тонких пленок CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. Доп.точки доступа: Гременок, В. Ф.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
539.2 С 304 Семенцов, Д. И. Нелинейная регулярная и стохастическая динамика намагниченности в тонкопленочных структурах [Текст] / Д. И. Семенцов, авт. А. М. Шутый // Успехи физических наук. - 2007. - Т. 177, N 8. - С. 831-857. - Библиогр.: с. 856-857 (111 назв. ). - ил.: 20 рис. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): физика -- стохастическая динамика -- нелинейные режимы -- тонкопленочные структуры -- феррит-гранатовые структуры -- магнитные поля -- прецессионная динамика Аннотация: Представлены результаты исследований нелинейных режимов однородной прецессионной динамики намагниченности в феррит-гранатовых пленках с различной ориентацией кристаллографических осей и металлических тонкопленочных структурах. Перейти: http://data.ufn.ru//ufn07/ufn07_8/Russian/r078b.pdf Доп.точки доступа: Шутый, А. М. |
621.3 Г 952 Гурин, Н. Т. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1168-1177 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- ударная ионизация -- электролюминесцентные излучатели -- тонкопленочные структуры Аннотация: Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |
Тонкопленочная структура PZT/SiC на кремниевой подложке: формирование, структурные особенности и диэлектрические свойства [Текст] / И. П. Пронин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 19. - С. 46-52 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- кремниевые подложки -- диэлектрические свойства Аннотация: Получена новая тонкопленочная сегнетоэлектрическая структура. Основу данной структуры составляет пленка, сформированная на тонких (толщиной 90-100 nm) монокристаллических слоях карбида кремния политипов 3C-SiC и 4H-SiC, полученных на кремниевых подложках новым методом твердофазной эпитаксии. Сообщается о методах формирования данной гетеросистемы, ее структурных и диэлектрических характеристиках. Доп.точки доступа: Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Климов, В. А.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А. |
Ярмаркин, В. К. Резистивное переключение в тонкопленочных структурах Au/TiO[2]/Pt на кремнии [Текст] / В. К. Ярмаркин, С. Г. Шульман, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 10. - С. 1767-1774. - Библиогр.: с. 1773-1774 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- резистивное переключение -- вакуумные испарения -- высокочастотное катодное распыление -- диоксид титана -- формовка Аннотация: Исследовались условия и механизмы предварительного воздействия сильными электрическими полями (формовки) и последующего резистивного переключения в тонкопленочных структурах Au/TiO[2]/Pt на кремнии. Тонкие пленки TiO[2] в этих структурах были получены различными методами: вакуумным испарением металлического титана с последующим термическим окислением на воздухе и высокочастотным катодным распылением диоксида титана из порошковой мишени. Измерены вольт-амперные и вольт-фарадные зависимости структур, а также зависимости их проводимости от времени выдержки под постоянным напряжением различной полярности и от температуры. На основании полученных данных сделано заключение о том, что физической механизм формовки состоит в резком увеличении плотности поверхностных состояний в пленках TiO[2] в результате электрического пробоя барьера Шоттки на контакте с платиновым электродом, а резистивное переключение структур определяется изменением заселенности уровней поверхностных состояний в запрещенной зоне TiO[2] и/или концентрации дефектов в области барьера при воздействии на структуры импульсами напряжения различной полярности. Доп.точки доступа: Шульман, С. Г.; Леманов, В. В. |
Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Акимов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 88-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- фотоприемные устройства -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- монолитные матричные фотоприемные устройства -- инфракрасные диапазоны -- ИК-диапазоны -- дальние ИК-диапазоны -- PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si Аннотация: Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288x 2 с размером элемента 25x 25 mum на основе структур PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7. 2· 10{12} до 8. 7· 10{12} cm· Hz{0. 5}/W при T=21. 2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона. Доп.точки доступа: Акимов, А. Н.; Беленчук, А. В.; Климов, А. Э.; Качанова, М. М.; Неизвестный, И. Г.; Супрун, С. П.; Шаповал, О. М.; Шерстякова, В. Н.; Шумский, В. Н. |
Скворцов, А. А. Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления [Текст] / А. А. Скворцов, А. М. Орлов, В. Е. Мурадов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузия -- исследование диффузии -- тонкопленочные структуры -- многослойные тонкопленочные структуры -- кремний -- Si -- метод контактного плавления -- особенности контактного плавления -- алюминиевые пленки -- тонкопленочные системы -- алюминий -- титан -- никель -- молибден -- германий -- Al -- Ti -- Ni -- Mo -- Ge -- металлические подслои -- полупроводниковые подслои -- кремниевые пластины -- полупроводниковые пластины -- одиночные прямоугольные импульсы тока -- импульсы тока -- осциллографические методы -- время плавления -- скорости плавления -- анализ механизмов -- контактные взаимодействия -- методика оценки коэффициентов -- многофазная диффузия компонентов -- токовые импульсы Аннотация: Рассмотрены особенности контактного плавления в тонкопленочных системах Al (толщина h[1]=5 mum) -металлический (Ti, Ni, Mo) или полупроводниковый (Si, Ge) подслой (h[2]=0. 1 mum) -кремниевая пластина (h[3]=500 mum) при прохождении через алюминиевую пленку одиночных прямоугольных импульсов тока амплитудой j<9· 10{10} A/m{2} и длительностью 100-1000 mus. Осциллографическим методом определены времена и скорости контактного плавления в рассматриваемых структурах. На основе анализа механизмов контактного взаимодействия в системе Al-подслой (с учетом опытных данных по времени растворения подслоя в Al-пленке) предложена методика оценки коэффициентов многофазной диффузии компонентов в процессе прохождения токового импульса. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Мурадов, В. Е. |
Возникновение самоупорядоченного рельефа в тонкопленочных структурах [Текст] / Д. В. Чесноков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 14. - С. 54-58 : ил. - Библиогр.: с. 57-58 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Механика Механика твердых тел Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- результаты исследований -- рельефы (физика) -- тонкопленочные структуры -- гофрированные периодические структуры -- периодические гофры -- возникновение рельефа -- двухслойные пленки -- двухслойные свободные пленки -- металлы -- полимеры -- самоупорядоченные рельефы Аннотация: Представлены результаты предварительного экспериментального исследования самообразования гофрированной периодической структуры. Эффект был обнаружен при изготовлении двухслойной свободной пленки, состоящей из слоев металла и полимера. Доп.точки доступа: Чесноков, Д. В.; Никулин, Д. М.; Чесноков, В. В.; Чесноков, А. Е.; Корнеев, В. С.; Шергин, С. Л. |
Тарасов, М. А. Тонкие многослойные алюминиевые структуры для сверхпроводниковых устройств [Текст] / М. А. Тарасов, Л. С. Кузьмин, Н. С. Каурова // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 6. - С. 122-126. - Библиогр.: с. 126 (7 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- алюминиевые структуры -- сверхпроводниковые устройства -- алюминий -- кремний -- хром -- термическое испарение Аннотация: Изготовлены и исследованы при температурах от 50 мК до 3 К различные тонкопленочные структуры на основе алюминия. Многослойные пленки алюминия и кремния, алюминия и хрома, алюминия в присутствии кислорода наносили методом термического испарения. Для пленок из чистого алюминия с уменьшением толщины пленки от 20 до 3 нм температура сверхпроводящего перехода возрастала от 1. 3 до 2. 45. Доп.точки доступа: Кузьмин, Л. С.; Каурова, Н. С. |
Установка магнетронного напыления геттерных покрытий в малоапертурных камерах [Текст] / В. В. Анашин [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 6. - С. 127-130. - Библиогр.: с. 130 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- вакуумные структуры -- геттерные покрытия -- малоапертурные камеры -- магнетронное напыление -- установка магнетронного напыления Аннотация: Описывается установка магнетронного напыления тонкопленочных покрытий, предназначенная для нанесения геттерных покрытий в протяженных вакуумных структурах сложной апертуры. Доп.точки доступа: Анашин, В. В.; Жуков, А. А.; Краснов, А. А.; Семенов, А. М. |
Ток в системе микрозонд-тонкопленочная слоистая структура [Текст] / С. Г. Чигарев [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 6. - С. 742-746. - Библиогр.: с. 746 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): микрозонды -- слоистые структуры -- тонкопленочные структуры -- тонкопленочные слоистые структуры -- ток Аннотация: Исследован экспериментально и теоретически ток в системе проводящий микрозонд-тонкопленочная слоистая структура. Показана возможность устойчивого протекания тока плотностью до 3х10{6} А/см{2}. Установлено, что для достижения такого режима с высокой плотностью тока необходимо предварительно пропустить достаточно большой ток через образец (~200 мА). Вычислено распределение тока в исследуемой структуре, отмечается согласие с экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Чигарев, С. Г.; Крикунов, А. И.; Зильберман, П. Е.; Панас, А. И.; Эпштейн, Э. М. |
Электрофизические характеристики тонкопленочных структур, созданных импульсным лазерным осаждением металлов Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC [Текст] / Р. И. Романов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1229-1235 : ил. - Библиогр.: с. 1235 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические характеристики -- тонкопленочные структуры -- импульсное лазерное осаждение -- металлические пленки -- Au -- золото -- Ag -- серебро -- Cu -- медь -- Pd -- палладий -- Pt -- платина -- W -- вольфрам -- Zr -- цирконий -- кристаллы -- n-6H-SiC -- эпитаксиальные слои -- карбид кремния -- металл-проводник -- поверхностные акцепторные состояния -- донорные состояния -- потенциальные барьеры -- корреляция барьеров -- низкоомные полупроводники Аннотация: Импульсным лазерным осаждением металлических пленок Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC без предварительного приготовления эпитаксиального слоя созданы структуры, обладающие диодными характеристиками с коэффициентом идеальности, лежащим в интервале 1. 28-2. 14, и высотой потенциальных барьеров от 0. 58 до 0. 62 эВ со стороны полупроводника. При осаждении лазерно-инициированного потока атомов на границе металл-полупроводник формировалась большая концентрация поверхностных акцепторных и донорных состояний, что нарушало корреляцию между высотой потенциальных барьеров и работой выхода металлов. Значения высоты барьеров, определенные из значений характерных токов и емкостных измерений, достаточно хорошо совпадали. Определены размеры областей обеднения основными носителями (электронами), которые для используемого низкоомного полупроводника и использованных элементов контактов составили 26-60 нм. Доп.точки доступа: Романов, Р. И.; Зуев, В. В.; Фоминский, В. Ю.; Демин, М. В.; Григорьев, В. В. |
Анисимова, Н. П. Увеличение эффективности вывода излучения тонкопленочных фотолюминесцентных композитных структур на основе PbSe [Текст] / Н. П. Анисимова, Н. Э. Тропина, А. Н. Тропин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1602-1606 : ил. - Библиогр.: с. 1606 (29 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): композитные структуры -- фотолюминесценция -- тонкопленочные структуры -- спектры фотолюминесценции -- халькогенид мышьяка -- фотолюминесцентные структуры -- PbSe -- просветляющие слои -- спектры отражения -- тонкопленочные модели -- композитные среды -- эффективные среды -- приближение Бруггемана -- Бруггемана приближение -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Исследована возможность увеличения эффективности вывода излучения фотолюминесцентных структур на основе PbSe путем нанесения просветляющего слоя. Для расчета спектров отражения системы в работе предложена трехслойная тонкопленочная модель, центральный слой которой представлен композитной средой. В рамках теории эффективной среды в приближении Бруггемана вычислена эффективная диэлектрическая проницаемость композитного слоя. С использованием предложенной модели проведен расчет толщины просветляющего слоя халькогенида мышьяка AsS[4]. Величина оптимальной толщины слоя AsS[4], полученная из экспериментов, близка к расчетным значениям, а соответствующее ей увеличение фотолюминесценции достигает 60%. Доп.точки доступа: Тропина, Н. Э.; Тропин, А. Н. |
547 С 302 Семенов, В. Н. Формирование пленок SnS, SnS[2] и PbS из тиомочевинных кординационных соединений [Текст] / В. Н. Семенов, авт. Н. М. Овечкина // Журнал прикладной химии. - 2011. - Т. 84, вып. 12. - С. 1950-1956. - Библиогр.: c. 1956 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Органические соединения Кл.слова (ненормированные): методы химического осаждения -- полупроводниковые пленки -- сульфиды олова -- сульфиды свинца -- тиомочевинные координационные соединения -- тонкопленочные структуры Аннотация: Исследованы процессы осаждения полупроводниковых пленок сульфидов олова и свинца из тиомочевинных координационных соединений. Доп.точки доступа: Овечкина, Н. М. |
621.382 С 893 Суздальцев, С. Ю. Исследования автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкопленочного наноалмазографитового эмиттера [Текст] / С. Ю. Суздальцев, В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 91-98 : ил. - Библиогр.: с. 98 (2 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- автоэмиссионные диоды -- токоотбор -- тангенциальный токоотбор -- конструкции -- эмиттеры -- наноалмазографитовые эмиттеры -- тонкопленочные эмиттеры -- тонкопленочные наноалмазографитовые эмиттеры -- тонкопленочные структуры -- наноалмазографитовые структуры -- наноалмазографитовые тонкопленочные структуры -- плазма -- газовые разряды -- разряды низкого давления -- сверхвысокочастотные разряды -- СВЧ разряды -- эксплуатационные характеристики -- токи -- автоэмиссия -- оптимальные параметры -- тангенциальные схемы -- электрические поля -- планарная автоэмиссия Аннотация: Исследовано влияние параметров конструкции автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из наноалмазографитовых тонкопленочных структур, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления, на его эксплуатационные характеристики. Получены плотности тока автоэмиссии до 20 A/cm{2}при рабочем напряжении 300 V. Показано, что при оптимальных параметрах конструкции диода тангенциальная схема токоотбора позволяет уменьшить более чем в два раза порог напряженности электрического поля начала автоэмиссии по сравнению с порогом напряженности при планарной автоэмиссии с этих же наноалмазографитовых структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p91-98.pdf Доп.точки доступа: Шаныгин, В. Я.; Яфаров, Р. К. |
621.315.592 Ф 815 Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se[2]/Mo, полученных на различных подложках [Текст] / В. Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 231-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительность -- тонкопленочные солнечные элементы -- ТСЭ -- солнечные элементы -- СЭ -- квантовая эффективность -- спектры квантовой эффективности -- подложки -- запрещенные зоны -- фотопреобразование -- солнечное излучение -- структуры -- тонкопленочные структуры -- результаты измерений Аннотация: Представлены результаты по измерению первых спектров относительной квантовой эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu (In, Ga) Se[2]/Mo, изготовленных на жесткой (стекло) и гибкой (полиимид) подложках. Исследован характер межзонных переходов и определены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в тонких пленках Cu (In, Ga) Se[2]. Обнаружено, что с переходом от жестких к гибким подложкам наблюдается смещение максимальной фоточувствительности полученных солнечных элементов в коротковолновую спектральную область. Сделан вывод о возможностях применений тонкопленочных структур Cu (In, Ga) Se[2] в качестве широкополосных фотопреобразователей солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p231-234.pdf Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Гременок, В. Ф.; Теруков, Е. И.; Байрамов, Б. Х.; Song, Y. W. |
538.9 М 126 Магнитные свойства и пиннинг вихрей в гибридных структурах Pd[99]Fe[01]-Nb / Л. С. Успенская [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 3. - С. 176-179
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- тонкопленочные структуры -- магнитные свойства -- пиннинг вихрей -- ферромагнитные нанокластеры -- нанокластеры -- СКВИД-магнетометры Аннотация: Магнитооптическим методом изучены магнитные свойства гибридных тонкопленочных структур Pd[0. 99]Fe[0. 01]-Nb. Показано, что при температуре ниже 14 K в образцах возникает ферромагнитное упорядочение с образованием слабо взаимодействующих ферромагнитных нанокластеров. Эффективная спиновая поляризация ионов Fe в кластерах составляет ~4мю[B], что соответствует объемному сплаву Pd[3]Fe. Близость ферромагнитного слоя не подавляет сверхпроводимости в ниобии, не изменяет критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние, но усиливает пиннинг и увеличивает критический ток примерно на 30%, что согласуется с представлениями о нанокластерной магнитной структуре ферромагнитной пленки. Доп.точки доступа: Успенская, Л. С.; Рахманов, А. Л.; Доросинский, Л. А.; Чугунов, А. А.; Столяров, В. С.; Скрябина, О. В.; Егоров, С. В.; Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка); Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН; Московский физико-технический институт (Долгопрудный); National Institute of Metrology (TUBITAK-UME), P. K. 54, 41470 Gebze-Kocaeli (Turkey); МГУ им. Ломоносова; Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка); Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка)Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка) |
539.19 П 621 Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии / М. Н. Дроздов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 24. - С. 45-54 : ил. - Библиогр.: с. 53-54 (17 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярный анализ -- фуллерен-содержащие органические структуры -- масс-спектрометрия -- тонкопленочные структуры -- TOF. SIMS-5 -- молекулярные ионы -- распыляющие ионы -- энергия -- молекулярный состав -- функциональные органические устройства Аннотация: Исследуется новый вариант послойного анализа тонкопленочных фуллерен-содержащих органических структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5. Обнаружена и исследована зависимость интенсивности выхода молекулярных ионов C[60] от энергии распыляющих ионов Cs. Показано, что при энергии ниже 1 keV наблюдается высокая интенсивность линии молекулярных ионов C[60], позволяющая проводить не только элементный, но и молекулярный послойный анализ состава многокомпонентных (многослойных) тонкопленочных структур. Демонстрируются перспективы использования послойного молекулярного анализа для получения новой, более детальной информации о реальном молекулярном составе в функциональных органических устройствах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/24/p45-54.pdf Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Пахомов, Г. Л.; Травкин, В. В.; Юнин, П. А.; Разумов, В. Ф. |