Гурин, Н. Т. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 75 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- электролюминесцентные излучатели -- сульфид цинка -- МДПДМ Аннотация: Обнаружена возможность существования и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- и N-типов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Показано, что при приложении отрицательной полуволны напряжения возбуждения к верхнему непрозрачному электроду наблюдается ОДС S-типа с участком падения тока, а при приложении к нижнему прозрачному электроду - ОДС N-типа. Появление ОДС обусловлено образованием объемных зарядов в прикатодной и прианодной областях слоя люминофора Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
530.182 У 740 Усанов, Дмитрий Александрович (1943-). К 100-летию О.В.Лосева, первого конструктора полупроводниковых генераторов и усилителей [Текст] / Д. А. Усанов // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2003. - Т.11,N2 . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): генераторы -- усилители -- полупроводниковые приборы -- электролюминисценция -- полупроводниковая оптоэлектроника Аннотация: Рассказывается о создании Олегом Владимировичем Лосевым первых полупроводниковых приборов, в частности, "кристадина" - кристаллического гетеродина, а также об открытии явления электролюминисценции, которое легло в основу современной полупроводниковой оптоэлектроники. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Лосев, О.В. |
535.3:537.531:539.219.621 В 167 Валюхов, Д. П. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} [Текст] / Д. П. Валюхов, С. В. Лисицын [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика--Электричество и магнетизм--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): висмутсодержащие гетероструктуры -- многокомпонентные гетероструктуры -- спектроскопия -- оптоэлектроника Аннотация: Приведены результаты комплексного исследования многокомпонентных гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} на примере висмутсодержащих твердых растворов, проведенного методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Получены профили распределения компонентов в структурах. Описываются свойства и перспективы таких соединений. Доп.точки доступа: Лисицын, С. В.; Зорькин, А. Э.; Пигулев, Р. В.; Хабибулин, И. М.; Благин, А. В. |
621.315.592 К 774 Краевчик, В. Д. Эффект гибридизации размерного и магнитного квантования в спектрах оптического поглощения наногетеросистем с D{ (-) } - состояниями [Текст] / В. Д. Краевчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 72 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): размерное квантование -- магнитное квантование -- оптическое поглощение -- квазинульмерные системы -- нанокристаллы -- диэлектрические матрицы -- нелинейная оптоэлектроника Аннотация: Теоретически исследовано магнитопоглощение света комплексами квантовая точка - D{ (-) } - центр, синтезированными в прозрачной диэлектрической матрице, с учетом дисперсии размеров квантовых точек (КТ) . В приближении эффективной массы получено аналитическое выражение для коэффициента примесного магнитопоглощения света продольной по отношению к направлению квантующего магнитного поля поляризации. Доп.точки доступа: Грунин, А. Б.; Семенов, М. Б. |
621.315.592 Г 915 Грушко, Н. С. Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой [Текст] / Н. С. Грушко, Л. Н. Потанахина // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 11. - Библиогр.: с. 9 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): нитриды -- полупроводниковые лазеры -- светодиоды -- электронные приборы -- инжекционные лазеры -- нитридные гетероструктуры -- оптоэлектроника -- фотоприемники -- токоперенос Аннотация: В работе определены параметры потенциальных барьеров (высота) исследуемой структуры AlGaN/InGaN/GaN, рассмотрены их температурные зависимости. С помощью этих параметров рассчитан коэффициент пропускания структуры без учета электрического поля и с учетом внешнего и внутреннего полей. По коэффициенту пропускания определена энергия уровней в квантовой яме, объяснен сдвиг максимумов коэффициента пропускания под действием внешнего напряжения смещения. Доп.точки доступа: Потанахина, Л. Н. |
535 П 189 Парыгин, В. Н. Электрооптика, акустооптика и оптическая обработка информации на кафедре физики колебаний МГУ [Текст] / В. Н. Парыгин, В. И. Балакший, В. Б. Волошинов // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N7. - Библиогр.:с.790-792 (132 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): акустооптика -- акустооптический эффект -- внутрення модуляция лазеров -- интегрально-оптические устройства обработки сигналов -- модуляция света -- оптоэлектроника -- электрооптика Аннотация: Представлен обзор работ по электронной тематике, выполненных на кафедре физики колебаний физического факультета МГУ за период с середины 60-х годов по настоящее время. Отмечены основные достижения в области электрооптики и акустооптики как в теоретическом, так и в экспериментальном плане. Показано, что разработанные методы и приборы управления параметрами когерентных и некогерентных оптических пучков могут быть рекомендованы для использования в лазерной физике, оптоэлектронике и в современных информационных технологиях. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Балакший, В.И.; Волошинов, В.Б. |
72.4+32.86 П 71 Премия Киото за 2001 год [] // Природа. - 2001. - N10. - С.80-81 . - ISSN 0032-874Х Рубрики: Наука; Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Организация науки Кл.слова (ненормированные): 2001 г. -- лазеры полупроводниковые; лауреаты; оптоэлектроника; премии международные; фонды научные; электроника Аннотация: Фонд Инамори в Японии объявил о присуждении Премии Киото. В 2001 г. отмечены достижения передовых технологий в области электроники, лауреаты - ученые России, Японии, США Доп.точки доступа: Алферов, Ж.И.; Хаяси И.; Паниш М. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного при отклонении от термодинамического равновесия [] / В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, В. В. Зайцев, В. С. Кривобок // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 583-590. - Библиогр.: с. 590 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; диэлектрики; игольчатые монокристаллы; кристаллическая структура; монокристаллы; низкотемпературная фотолюминесценция; однородное распределение; оптоэлектроника; полупроводники; примеси; рентгеноструктурный анализ; теллур; термодинамическое равновесие; фотолюминесценция; цинк Аннотация: Исследования методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеноструктурного анализа показали, что полученные образцы обнаруживают высокое структурное совершенство, однородное распределение примесей и слабое взаимодействие с дефектами кристаллической структуры. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В.; Зайцев, В. В.; Кривобок, В. С. |
621.375 А 87 Архипов, С. Применение твердотельных оптоэлектронных реле средней мощности [Текст] / С. Архипов // Радио. - 2003. - N1. - С.42-45
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника; оптоэлектронные реле; радиотехника; реле оптоэлектронные; реле переменного тока; реле постоянного тока; силовые цепи; схемы принципиальные; тепловой режим; тиристорные коммутаторы; транзисторные коммутаторы; электроника Аннотация: Статья знакомит с некоторыми особенностями оптоэлектронных реле средней мощности,производимых ЗАО "Протон-Импульс".Приведенный в ней сведения будут полезны всем читателям,использующим или разрабатывающим различные тиристорные и транзисторные коммутаторы силовых цепей. Перейти: www.padio.ru |
621.375 Х 86 Хохлов, Д. Р. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов [Текст] / Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 9. - С. 983-987. - Библиогр.: с. 987 (22 назв. ). - ил.: 3 рис. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): сессии -- высокочувствительные приемники -- терагерцовые излучения -- фотоприемники -- оптоэлектроника -- фотоприемные матрицы Аннотация: Сплав теллурида свинца применяется для построения чувствительных фокальных фотоприемных матриц терагерцового излучения. Фотоприемники имеют ряд отличительных свойств, которые позволяют им конкурировать с существующими аналогами: внутреннее интегрирование падающего светового потока; возможность эффективного и быстрого гашения накопленного сигнала; СВЧ-стимуляция квантовой эффективности до 10{2}. Перейти: http:www.ufn.ru |
539.2 У 25 Углов, В. В. Структура и состав покрытий, сформированных при обработке материалов компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов, Н. Н. Черенда [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 4. - С. 28-32 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): компрессионные плазменные потоки; наноструктурные покрытия; мощные ионные пучки; плазменные потоки; нанокластеры; наноэлектроника; оптоэлектроника Аннотация: Методами растровой электронной микроскопии и резерфордовского обратного рассеяния исследованы структура и элементный состав наноструктурного покрытия, сформированного на поверхности кремния в результате воздействия компрессионного плазменного потока, содержащего дисперсный порошок меди. Доп.точки доступа: Черенда, Н. Н.; Анищик, В. М.; Свешников, Ю. В.; Асташинский, В. М.; Костюкевич, Е. А.; Кузьмицкий, А. М.; Квасов, Н. Т.; Данилюк, А. Л.; Пунько, А. В. |
66 А 96 Ацетилен в органическом синтезе [Текст] // Наука в России. - 2005. - N 6. - С. 50 . - ISSN 0869-706Х
Рубрики: Химическая технология--Общие вопросы химической технологии--Россия--Иркутск Кл.слова (ненормированные): ацетилен -- газы -- синтез -- органический синтез -- полимеры -- оптоэлектроника -- научные школы -- школы научные Аннотация: В Иркутске функционирует научная школа исследования ацетилена - бесцветного газа с неприятным запахом, который раньше применяли для бытового освещения. Благодаря открытиям ученых, были найдены возможности для более широкого применения его в хозяйственной деятельности человека. |
541.64 И 501 Имамутдинов, Ирик. Мистер Алешин, который решает все проблемы [Текст] / И. Имамутдинов // Эксперт. - 2007. - N 17. - С. 53-56 . - ISSN 1812-1896
Рубрики: Химия--Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): история исследования полимеров; проводящие полимеры; полимерные светодиоды; электропроводящие полимеры; полимерная оптоэлектроника; наночастицы в проводящих полимерах; композитная пленка Аннотация: О мировых исследованиях в области электропроводности полимеров и участии в них российского физика Андрея Алешина. О революционности его разработки - создании композитного активного слоя для органических светодиодов с использованием наночастиц. Доп.точки доступа: Алешин, Андрей; Хигер, Алан |
543.4/.5 Л 127 Лабусов, В. А. Комплексы приборов для атомно-эмиссионного спектрального анализа на основе спектрометра "Гранд" [Текст] / В. А. Лабусов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 4. - С. 21-29. - Библиогр.: с. 29 (19 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Лабораторное химическое оборудование Кл.слова (ненормированные): приборы для спектрального анализа -- спектральный анализ -- атомно-эмиссионный спектральный анализ -- спектрометры -- Гранд (химический анализ) -- АЭСА -- комплексы АЭСА -- регистрация спектров -- атомно-эмиссионные спектры -- программное обеспечение -- анализаторы МАЭС -- Атом (химический анализ) -- спектральные приборы -- Колибри-2 (химический анализ) Аннотация: Представлен ряд базовых приборов, предназначенных для создания комплексов атомно-эмиссионного спектрального анализа, как на основе существующих спектральных приборов, так и на основе нового спектрометра "Гранд". |
Селективный синтез 1-винилпирролов непосредственно из кетонов и ацетилена: модификация реакции Трофимова [Текст] / А. И. Михалева [и др. ] // Журнал органической химии. - 2007. - Т. 43, N 2. - С. 236-238. - Библиогр.: c. 238 (24 назв. ) . - ISSN 0514-7492
Рубрики: Химия Органическая химия Кл.слова (ненормированные): арильный заместитель -- гетарильный заместитель -- кетоны -- оптоэлектроника -- пиррольные структуры -- пиррольный синтез -- прекурсор -- реакция Трофимова -- Трофимова реакция Аннотация: Последовательная обработка кетонов системой NH[2]OH: HCl-NaHCO[3]-ДМСО и избытком ацетилена в присутствии КОН селективно приводит к 2- и 2, 3-замещенным 1-винилпирролам. Доп.точки доступа: Михалева, А. И.; Шмидт, Е. Ю.; Иванов, А. В.; Васильцов, А. М.; Сенотрусова, Е. Ю.; Процук, Н. И. |
Тартаковский, А. И. (канд. физ. -мат. наук). КТ: полупроводники с нульмерным характером [Текст] / А. И. Тартаковский ; Худож. Н. Кращин // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 8. - С. 8-12. - 1; Полупроводники с нульмерным характером. - Ил. . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- нанометры -- носители зарядов -- оптоэлектроника -- оптоэлектронные системы -- полупроводники Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки знамениты тем, что ограничивают движение носителей заряда во всех трех направлениях на масштабе в несколько нанометров, когда решающую роль в поведении вещества играют квантовые эффекты. Это дает возможность контроля над свойствами носителей зарядов. Доп.точки доступа: Кращин, Н. \.\ |
Зимина, Татьяна (кандидат химических наук). Алмазная электроника [Текст] / Татьяна Зимина // Наука и жизнь. - 2010. - N 7. - С. 12 : 1 фот. . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): исследовательские институты -- графит -- алмазы -- оптоэлектроника -- алмаз-графитовые структуры -- графитизация алмаза -- кристаллы -- углерод Аннотация: Сотрудники Физического института имени П. Н. Лебедева РАН разработали способ получения тончайших графитизированных слоев в алмазе. Эта разработка открывает реальную перспективу создания элементов электроники и оптоэлектроники на основе алмазов. Доп.точки доступа: Российская академия наук \физический институт им. п. н. лебедева\; РАН; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН |
Белкин, М. Е. Новое направление фотоники - сверхвысокочастотная оптоэлектроника [Текст] / М. Е. Белкин, А. С. Сигов // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 8. - С. 901-914. - Библиогр.: с. 914 (42 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): фотоника -- оптоэлектроника -- радиолокационные обнаружители -- оптоэлектронные узлы Аннотация: Рассмотрены основные цели и задачи, объекты исследования и важнейшие области применения сверхвысокочастотной оптоэлектроники в современных и перспективных сетях и системах телекоммуникационного и радиолокационного назначений. Кратко анализируется уровень современного мирового развития в данной области, а также представлены результаты проводимых в последние годы в МИРЭА исследований и разработок. Доп.точки доступа: Сигов, А. С. |
Жорес Иванович Алферов [Текст] : (к 80-летию со дня рождения) // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 333-334 : 1 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика История физики Кл.слова (ненормированные): персоналии -- академики -- физики -- полупроводниковые лазеры -- оптоэлектроника -- квантовые точки -- лазеры Аннотация: Исследования Ж. И. Алферова в области полупроводниковых гетеропереходов вскоре вышли за рамки новых научных и технических направлений. Одним из ярких примеров явилась реализация эффективных солнечных фотоэлементов на основе гетероструктур. Доп.точки доступа: Алферов, Жорес Иванович \ж. И.\ |
Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 34-37 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод химического осаждения -- слои никеля -- ультрафиолетовое излучение -- арсенид галлия -- оптоэлектроника -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методом химического осаждения получены структуры с барьером Шоттки Ni-n-GaAs. Толщина слоев никеля с зеркальной наружной поверхностью варьировалась в пределах 150-220 Angstrem. Впервые экспериментально обнаружено, что фоточувствительность полученных барьеров при их освещении со стороны полупрозрачных слоев Ni в фаулеровской области спектра hnu=0. 9-1. 5 эВ практически отсутствует. Эта закономерность связывается в основном с тем, что при освещении со стороны слоя Ni излучение с энергией фотонов hnu<1. 3 эВ сильно отражается от поверхности никеля. Установлено, что разработанные структуры Ni-n-GaAs могут использоваться в качестве высокоэффективных широкодиапазонных фотопреобразователей видимого и ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Мелебаев, Д.; Мелебаева, В. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |