Влияние электролитного состава субфазы на структуру 2D пленок фуллерена С[60] [Текст] / И. С. Левачева [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 2, Химия. - 2008. - Т. 49, N 1. - С. 23-27. - Библиогр.: c. 27 (12 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): 2D пленки фуллерена С[60] -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод Брюстеровской микроскопии -- субфаза -- фуллерен[60] -- электролитный состав субфазы Аннотация: Методом Брюстеровской микроскопии и атомно-силовой микроскопии изучена морфология 2D пленок фуллерена С[60], полученных на границе раздела фаз. Показано, что фуллерен С[60] проявляет высокую склонность к агрегации, образуя надмолекулярные структуры при размерах площади, занимаемой молекулой фуллерена на поверхности от 21, 6 до 2900 Е2. При уменьшении площади, приходящейся на молекулу С[60], последовательно происходит образование мономолекулярных кластеров, переходящих в мультислойные структуры. Введение в систему электролита препятствует агрегации глобул фуллерена и дает возможность получения более однородных структур 2D пленки. Доп.точки доступа: Левачева, И. С.; Грицкова, И. А.; Лушов, А. А.; Пушкин, А. Н.; Левачев, С. Н. |
Аванесян, В. Т. Особенности электропроводности металлополимерной тонкопленочной структуры поли[NiSalen] [Текст] / В. Т. Аванесян, М. Ю. Пучков // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 2106-2108. - Библиогр.: с. 2108 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- тонкопленочная структура поли[NiSalen] -- пленки поли[NiSalen] -- металлополимерные пленки -- метод атомно-силовой микроскопии Аннотация: Проведено исследование процесса электропереноса для окисленной и восстановленной форм металлополимерных пленок поли[NiSalen]. Выявлен нелинейный характер зависимости дифференциальной проводимости от напряжения для окисленной формы полимера, что свидетельствует о большой электроактивности данного состояния. В рамках теории токов, ограниченных пространственным зарядом, рассчитаны микропараметры, характеризующие процесс переноса носителей заряда. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены различия в морфологии поверхности для обоих состояний поли[NiSalen]. Доп.точки доступа: Пучков, М. Ю. |
Петрова, Е. В. Формирование дислокационной спирали на грани (101) кристалла моноклинного лизоцима: опыты при высоком разрешении [Текст] / Е. В. Петрова, О. А. Шустин, М. А. Воронцова // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 3. - С. 69-76. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дислокационная спираль -- лизоцим -- метод атомно-силовой микроскопии -- моноклинные кристаллы лизоцима -- рост кристаллов Аннотация: Исследовались элементарные процессы роста кристалла, имеющего малую плотность изломов на торцах ступеней. На грани (101) моноклинных кристаллов лизоцима получены изображения первого витка полигонизованной дислокационной спирали с высоким разрешением, позволяющим различить отдельные кристаллические ячейки. Показано, что зависимость скорости сегмента спирали от его длины не согласуется с законом Гиббса-Томсона и представляет собой несколько прямолинейных участков. Доп.точки доступа: Шустин, О. А.; Воронцова, М. А. |
Исследование структурных изменений микроволокнистых материалов под воздействием озона методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии [Текст] / Н. В. Садовская [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2009. - Т. 82, вып: вып. 1. - С. 156-159. - Библиогр.: c. 159 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): диацетилцеллюлоза -- метод атомно-силовой микроскопии -- микроволокнистые материалы -- озон -- полиакрилонитрил -- поливинилхлорид -- полистирол -- растровая электронная микроскопия -- структурные изменения -- углеродные волокна -- фильтрующие материалы Аннотация: Изучены структурные изменения поверхности микроволокон фильтрующих материалов на основе полимеров. Доп.точки доступа: Садовская, Н. В.; Томашпольский, Ю. Я.; Обвинцева, Л. А.; Кучаев, В. Л.; Климук, А. И.; Шепелев, А. Д.; Аветисов, А. К. |
Соснов, Е. А. Морфология поверхности антифрикционных полимерных материалов: опыт исследования методами атомно-силовой и электронной микроскопии [Текст] / Е. А. Соснов, В. Е. Бахарева, А. В. Анисимов // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2009. - Т. 53, N 4. - С. 107-114. - Библиогр.: с. 113-114 (55 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): антифрикционные полимерные материалы -- армированные композиты -- интенсивность изнашивания -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод растровой электронной микроскопии -- структура поверхностей трения -- углепластики -- эксплуатационные характеристики Аннотация: Рассматривается возможность исследования поверхности трения антифрикционных полимерных композитов методами АСМ и РЭМ. Доп.точки доступа: Бахарева, В. Е.; Анисимов, А. В. |
Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. |
Тагаченков, А. М. Исследования логического состояния интегральных микросхем методами атомной силовой микроскопии [Текст] / А. М. Тагаченков // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2010. - N 3. - С. 59-61. - Библиогр.: c. 61 (4 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): диагностика электронных систем -- интегральные микросхемы -- исследование интегральных микросхем -- кристаллы микросхем -- метод атомно-силовой микроскопии -- ячейки памяти микроконтроллера Аннотация: Проведены исследования по определению и анализу логического состояния ячеек памяти микроконтроллера без удаления пассивирующих покрытий с использованием методов атомно-силовой микроскопии. Выбрана эффективная оптимальная методика регистрации электрического потенциала на поверхности интегральных микросхем. |
Магеррамов, А. М. Структура и свойства нанокомпозитов на основе сульфида цинка и поливинилиденфторида [Текст] / А. М. Магеррамов, М. А. Рамазанов, А. Х. Мустафаева // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 7. - С. 1217-1219. - Библиогр.: c. 1219 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): гибридные материалы -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод матричной изоляции -- нанокомпозиты -- поливинилиденфторид -- полимерные матрицы -- полупроводниковые наночастицы -- сульфид цинка Аннотация: Исследованы структура и свойства нанокомпозитов. Для получения нанокомпозиционного материала использован метод матричной изоляции. Доп.точки доступа: Рамазанов, М. А.; Мустафаева, А. Х. |
621.382 Н 193 Назарчук, Ю. Н. Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 32-35. - Библиогр.: c. 35 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- атомно-силовой микроскоп -- зонд Кельвина -- Кельвина зонд -- металлизация поверхностей -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод зонда Кельвина -- поверхностный потенциал Аннотация: С использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) в варианте метода зонда Кельвина (МЗК) проведены исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд - металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП). Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Торхов, Н. А. |
621.78 С 387 Синтез и свойства пленок BC[x]N[y], полученных плазмохимическим разложением смеси N-триметилборазина и азота [Текст] / В. С. Суляева [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 5. - С. 555-562 : Рис. 9, табл. 1. - Библиогр.: с. 562 (23 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Химическая технология Технология неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): метод плазмохимического осаждения -- температура осаждения -- метод эллипсометрии -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод растворной электронной микроскопии -- рентгенофотоэлектронная спектроскопия -- рентгенофазный анализ -- карбонитрид бора Аннотация: Методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с использованием N-триметилборазина в качестве исходного соединения и азота как активирующего газа и дополнительного источника азота синтезированы пленки карбонитрида бора различного состава. В ходе экспериментов варьировались температура осаждения и мощность подаваемой ВЧ-плазмы. Свойства полученных пленок изучены методами эллипсометрии, атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, ИК- и КР-спектроскопии, рентгенофазового анализа с использованием синхротронного излучения, энергодисперсионной спектроскопии и спектрофотометрии. Доп.точки доступа: Суляева, В. С.; Косинова, М. Л.; Румянцев, Ю. М.; Голубенко, А. Н.; Файнер, Н. И.; Алферова, Н. И.; Аюпов, Б. М.; Гевко, П. Н.; Кеслер, В. Г.; Колесов, Б. А.; Максимовский, Е. А.; Мякишев, К. Г.; Юшина, И. В.; Кузнецов, Ф. А. |
539.21:534 Ш 952 Шугуров, А. Р. Вязкоупругое гофрирование системы металлическая пленка-полимерный подслой под действием сжимающих напряжений [Текст] / А. Р. Шугуров, А. И. Козельская, А. В. Панин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 19. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): металлические пленки -- полимерные подслои -- система металлическая пленка-полимерный подслой -- вязкоупругое гофрирование -- сжимающие напряжения -- тонкие пленки -- подложки -- алюминий -- Al -- кремний -- Si -- закономерности гофрирования -- исследования -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- полистирол -- термические воздействия -- амплитуды -- длины волн -- температуры -- складки гофра -- процессы отжига -- касательные напряжения -- нормальные напряжения -- границы раздела Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследованы закономерности гофрирования тонких пленок Al на подложке Si с подслоем полистирола при термическом воздействии. Измерение амплитуды и длины волны складок позволило выявить стадийность процесса гофрирования при различных температурах. Показано, что эволюция складок гофра в процессе отжига регулируется периодическим распределением нормальных и касательных напряжений вдоль границы раздела пленка-подслой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/19/p16-22.pdf Доп.точки доступа: Козельская, А. И.; Панин, А. В. |
539.21:534 Ф 826 Фрактальный анализ эволюции поверхности трения гальванических покрытий AuNi [Текст] / А. Р. Шугуров [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 10. - С. 70-78 : ил. - Библиогр.: с. 77-78 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): гальванические покрытия -- сухое трение -- морфология поверхности -- эволюция поверхности -- фрактальный анализ -- трибологические испытания -- исследования -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- AuNi Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследовано изменение морфологии поверхности гальванических покрытий AuNi при трибологических испытаниях в условиях сухого трения. Показано, что фрактальный анализ позволяет численно охарактеризовать эволюцию рельефа поверхности трения покрытий на различных стадиях испытаний. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/10/p70-78.pdf Доп.точки доступа: Шугуров, А. Р.; Панин, А. В.; Лязгин, А. О.; Шестериков, Е. В. |
621.315.592 М 806 Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/(C)/n-Ga[2]O[3]/p -GaSe(KNO[3]) [Текст] / А. П. Бахтинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 356-368 : ил. - Библиогр.: с. 367-368 (45 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): морфология поверхности -- электрические свойства -- гибридные структуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- поверхность полупроводника -- ПП -- ферромагнитые металлы -- ФМ -- квантовые ямы -- КЯ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комнатная температура -- дифференциальное сопротивление -- электрическая поляризация -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- АСМ -- высокие частоты -- спин-поляризованные электроны -- электроны -- композитные наноструктуры -- поляризаторы Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследованы особенности формирования гибридных наноструктур Au/Ni/ (C) /n-Ga[2]O[3] на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) композитных наноструктур "слоистый полупроводник-сегнетоэлектрик" (p-GaSe (KNO[3]). При комнатной температуре исследованы вольт-амперные характеристики и зависимость импедансного спектра гибридных структур от напряжения смещения. На вольт-амперной характеристике наблюдаются резонансный пик и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ток на этой характеристике достигает максимального значения при определенном значении приложенного напряжения смещения, когда происходит переключение электрической поляризации в наноразмерных трехмерных включениях в слоистой матрице GaSe. В области высоких частот (f больше 10{6} Гц) обнаружен импеданс индуктивного типа (большая отрицательная емкость структур, ~10{-6} Ф/мм{2}). Этот эффект связан с транспортом спин-поляризованных электронов в последовательно соединенных между собой полупроводниковой композитной наноструктуре с множественными квантовыми ямами p-GaSe (KNO[3]) и прямо смещенном поляризаторе "ферромагнитный металл-полупроводник" (Au/Ni/ (C) /n{+}-Ga[2]O[3] /n-Ga[2]O[3]). На вольт-амперных характеристиках структур обнаружен сдвиг максимума (гистерезис тока) при разных направлениях изменения напряжения смещения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p356-368.pdf Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Нетяга, В. В.; Кудринский, З. Р.; Литвин, О. С. |
621.315.592 С 873 Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]/ GaAs(100) [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 739-750 : ил. - Библиогр.: с. 749-750 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные особенности -- твердые растворы -- МОС-гидридные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- поверхность гетероструктур -- кристаллические решетки -- рентгеноструктурные исследования -- эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- ФЛ Аннотация: Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z], выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p739-750.pdf Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Леньшин, А. С.; Смирнов, М. С.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |
539.2 В 932 Высокоэнергетический катионный экситон френкелевского типа и особенности его автолокализации в кристаллической системе CdI[2]-PbI[2] [Текст] / И. М. Болеста [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 4. - С. 745-749. - Библиогр.: с. 748-749 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод атомно-силовой микроскопии -- кристаллические решетки -- примеси -- высокоэнергетические катионные экситоны -- экситоны -- экситоны френкелевского типа Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии показано, что примесь PbI[2] встраивается в кристаллическую решетку CdI[2] в виде нанокристаллических включений. Для примесной полосы поглощения (возбуждения) 3. 23 eV рассматривается модель высокоэнергетического катионного экситона, связанного с {3}P[2]-состоянием свободного иона Pb{2+}. Резонансные с расщепленной полосой поглощения узкие полосы фотолюминесценции 3. 12 и 3. 20 eV сопоставлены с излучением свободного экситона френкелевского типа. Показано, что в области температур 25-45 K образуется автолокализованное состояние экситона, в формировании которого основную роль играют изгибные колебания кристаллической решетки CdI[2]. Величина потенциального барьера, отделяющего автолокализованное состояние от свободного экситона, составляет 23 meV. Полоса фотолюминесценции 2. 4 eV приписывается излучению автолокализованного высокоэнергетического катионного экситона PbI[2] в кристаллической решетке CdI[2]. Доп.точки доступа: Болеста, И. М.; Вистовский, В. В.; Глосковская, Н. В.; Панасюк, М. Р.; Ярицкая, Л. И. |
539.2 Д 250 Двумерные металлические включения в диэлектрическом кристалле [Текст] / Р. В. Гайнутдинов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1409-1416. - Библиогр.: с. 1415-1416 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод спектроскопии -- метод атомно-силовой микроскопии -- диэлектрические кристаллы -- центры окраски -- двумерные металлические включения Аннотация: Методами спектроскопии и атомно-силовой микроскопии изучены высокоагрегированные центры окраски в кристаллах широкозонного диэлектрика фторида кальция, подвергнутого нагреву в восстановительной атмосфере паров металла-катиона, кальция ("аддитивное окрашивание" кристаллов). Эти центры представляют собой крупные скопления анионных вакансий и электронов, трансформирующиеся в металлические образования. Прослежена эволюция этих образований с увеличением количества указанных компонентов от отдельных частиц, имеющих двумерную структуру, до крупных фрагментов пленок. Показано, что фрагменты концентрируются в отдельных плоскостях {111}, которые являются плоскостями спайности кристалла с большим содержанием высокоагрегированных центров. Доп.точки доступа: Гайнутдинов, Р. В.; Щеулин, А. С.; Федоров, П. П.; Ангервакс, А. Е.; Рыскин, А. И. |
539.2 А 516 Алпатов, А. В. Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок a-Si:H методом двумерного флуктуационного анализа / А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Гришанкина // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 340-347 : ил. - Библиогр.: с. 346-347 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные интерфейсы -- интерфейсы поверхности -- корреляция интерфейсов -- пленки полупроводников -- метод двумерного флуктационного анализа -- двумерный флуктационный анализ -- флуктационный анализ -- модельные поверхности -- структурные свойства -- упорядоченные структуры -- хаотические структуры -- показатели -- скейлинги -- неупорядоченные проводники -- поверхность пленок -- аморфный гидрогенизированный кремний -- гидрогенизированный кремний -- кремний -- метод атомно-силовой микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- немонофрактальность Аннотация: Представлена реализация модифицированного метода двумерного флуктуационного анализа для выявления корреляций интерфейсов поверхности. Были исследованы модельные поверхности с известным правилом построения, с различными структурными свойствами: упорядоченные, структуры со слабой организацией, хаотические. Полученные значения скейлингового показателя сопоставлялись с известной шкалой значений. Были выявлены особенности поведения скейлинга на различных масштабах. Показано, что метод может эффективно использоваться при исследовании эволюции поверхности, например, при росте пленок неупорядоченных полупроводников, при оценке степени упорядоченности, при исследовании процессов самоорганизации. Были исследованы поверхности пленок аморфного гидрогенизированного кремния, сканы которых были получены методом атомно-силовой микроскопии. Диагностика методом двумерного флуктуационного анализа показала наличие немонофрактальности поверхностей и нескольких составляющих интерфейса поверхности - шумовой и синусоидальной. An implementation of the modified two-dimensional Detrended Fluctuation Analysis method for the elicitation of surface interfaces correlations was presented. The model surfaces with a noted construction rule, with different structural properties: ordered, structures with a weak order, chaotic were investigated. The obtained scaling exponent values compared with the noted scale of values. The scaling behavior features on different scales were elicited. It was revealed that the method can be efficiently used in surface evolution studies, for example in adisordered semiconductor films growth, in an estimation of an order degree, in an investigation of self-organization processes. Hydrogenated amorphous silicon films surfaces were explored, scans were obtained by Atomic Force Microscopy. Diagnostics by the two-dimensional Detrended Fluctiation Analysis method shown the presence of a surface non-monofractality and a few interface components - noise and sinusoidal. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p340-347.pdf Доп.точки доступа: Вихров, С. П.; Гришанкина, Н. В. |
535 К 887 Кудоярова, В. Х. Исследование состава, структуры и оптических свойств пленок a-Si[1-x]C[x]:H(Er), легированных эрбием из комплексного соединения Er(pd)[3] / В. Х. Кудоярова, В. А. Толмачев, Е. В. Гущина // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 353-359 : ил. - Библиогр.: с. 359 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): резерфордовское обратное рассеяние -- РОР -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- обратное резерфордовское рассеяние -- ОРР -- инфракрасная спектроскопия -- ИК спектроскопия -- метод инфракрасной спектроскопии -- метод эллипсометрических исследований -- эллипсометрические исследования -- метод атомно-силовой микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- комплексные исследования -- аморфные пленки -- состав пленок -- структура пленок -- оптические пленки -- высокочастотное разложение -- смесь газов -- газы -- термическое распыление -- термораспыление -- углерод -- комплексное соединение -- газовые смеси -- оптические зоны -- инфракрасные спектры -- эллипсометрические спектры -- оптические константы -- многометрические модели -- тонкие слои -- окислы кремния -- спектральная эллипсометрия -- оптическое поглощение Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния, инфракрасной спектроскопии, эллипсометрических исследований и атомно-силовой микроскопии проведено комплексное исследование состава, структуры и оптических свойств аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er). Технология получения аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er) сочетала в себе метод высокочастотного разложения смеси газов (SiH[4]) [a]+ (CH[4]) [b] и одновременное термическое распыление комплексного соединения Er (pd) [3]. Показано, что увеличение CH[4] в составе газовой смеси приводит к увеличению содержания углерода в исследуемых пленках, увеличению ширины оптической зоны E{opt}[g] от 1. 75 до 2. 2 эВ. В инфракрасных спектрах наблюдались изменения состава пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er), которые, в свою очередь, сопровождались изменениями оптических констант. Проведен анализ наблюдаемых эллипсометрических спектров с использованием многопараметрических моделей. В результате проведенного анализа делается вывод о том, что хорошее совпадение экспериментальных и расчетных спектров наблюдается при учете изменяющегося состава аморфных пленок, происходящего при изменении состава газовой смеси. Существование на поверхности исследуемых пленок тонкого (6-8 нм) слоя окисла кремния и справедливость использования двухслоевой модели в расчетах эллиптических измерений подтверждаются проведенными исследованиями структуры методом атомно-силовой микроскопии. Complex study of composition, structure and optical properties of amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) was performed with means of Rutherford backscattering, IR spectroscopy, ellipsometry and AFM-technology for producing amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) included the method of high-frequency decomposition of gas mixture of (SiH[4]) [a] + (CH[4]) [b] and simultaneous thermal spraying of a complex compound Er (pd) [3]. It is shown that an increase of CH[4] in the gas mixture leads to an increase in carbon content in the studied films, increasing the width of the optical zone E{opt}[g] from 1. 75 to 2. 2 eV. Changes in the composition of the a-Si[1-x]C[x]: H (Er) films, which in turn were accompanied by changes in the optical constants in the IR spectra were observed. Analysis of the observed ellipsometric spectra using multivariable models was performed. The analysis concludes that good agreement between experimental and calculated spectra is observed, taking into account the changing composition of the amorphous films, which occurs when the gas mixture composition changing. The existence of a thin (6-8 nm) layer of silicon dioxide on the film surface, and justice of 2-layer model in the calculation of ellipsometric measurements are confirmed by the AFM studies. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p353-359.pdf Доп.точки доступа: Толмачев, В. А.; Гущина, Е. В. |
539.2 В 586 Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN / М. М. Рожавская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 414-419 : ил. - Библиогр.: с. 419 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): газо-носители -- триметилгаллий -- ТМГ -- селективная эпитаксия -- нитриды -- кристаллографические направления -- азот -- реакторы -- азот-водородные смеси -- полоски -- полосковые окна -- огранка -- поперечное сечение -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- АСМ Аннотация: Проведено исследование влияния состава газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер протекания процесса селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах, ориентированных вдоль кристаллографического направления 1100 GaN для различной ширины маскирующего покрытия. Показано, что добавление азота в атмосферу реактора приводит к изменению огранки полосков, ограниченных широкой (40 мкм) маской, с прямоугольной, ограниченной вертикальной боковой гранью {1120}, на трапециевидную с наклонной боковой гранью {1122}. Показано также, что при росте в азот-водородной смеси поток галлия начинает значительно влиять на огранку формирующихся полосков. Продемонстрирована существенная нестационарность процесса, приводящая к заметному изменению типа огранки по мере увеличения поперечного сечения полоска. We present a study of influence of carrier gas, trimethylgallium flow and growth time on the features of GaN selective area epitaxy in the stripe windows, oriented in (1100) crystallographic axis for the different mask area. It is shown that nitrogen addition into the reactor leads to stripes shape transformation for the wide mask (40 mum) area only from rectangular with vertical {1120} sidewalls to trapezoidal with inclined {1122} sidewalls. Also under N[2]-H[2] ambient thimethylgallium flow can impact on shape of growing stripes. A significant nonstability of the process is demonstrated, which leads to remarkable changing in cutting of stripe with increase in cross-section. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p414-419.pdf Доп.точки доступа: Рожавская, М. М.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Трошков, С. И.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф. |
539.26 И 889 Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs / Г. Б. Галиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 510-515 : ил. - Библиогр.: с. 514-515 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): напряженные сверхрешетки -- сверхрешетки -- метаморфный буфер -- ММБ -- электрофизические свойства -- МНЕМТ-наногетероструктуры -- InAlAs/InGaAs -- наногетероструктуры -- подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод Ван-дер-Пау -- Ван-дер-Пау метод -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- рентгеноспектральный микроанализ -- структурные параметры -- структурные характеристики -- электрофизические характеристики Аннотация: Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур - один с линейным увеличением x в метаморфном буфере In[x]Al[1-x]As, а второй - с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур. The results of the investigation of the effect of two strained superlattices inserted into metamorphic buffer for In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As MHEMT nanoheterostructures on GaAs substrate are reported. A solid source molecular beam epitaxy was used to grow MHEMT nanoheterostructures with two designs of In[x]Al[1-x]As metamorphic buffer: the first with linear In grading and the second with two strained superlattices inserted into linear graded metamorphic buffer. Electrophysical and structural properties of grown structures were researched by means of Van der Pauw method, transmission electron microscopy, atomic force microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy. The employment of strained superlattices is shown to enhance the electrophysical and structural properties of MHEMT nanoheterostructures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p510-515.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Васильевский, И. С.; Жигалина, О. М.; Климов, Е. А.; Жигалина, В. Г.; Имамов, Р. М. |