Шутов, А. А. Генерация электрогидродинамических волн на границе раздела жидкость-вакуум [Текст] / А. А. Шутов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N8. - Библиогр.: с.129 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): генерация волн -- межфазные границы -- электрогидродинамические волны Аннотация: В линейном приближении исследована электрогидродинамическая задача устойчивости поверхности вязкой жидкости на границе с воздухом с учетом кинетики переноса поверхности заряда. Определены критические напряженности электрического поля, нарушающие устойчивость плоской поверхности раздела. Найдены условия генерации незатухающих волн на межфазной границе |
22.33 Г 968 Гуськов, А. П. Зависимость периода структуры от скорости межфазной границы при кристаллизации эвтектик [Текст] / А. П. Гуськов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кристаллизация -- межфазные границы -- эвтектические структуры Аннотация: Из экспериментов хорошо известно, что период эвтектических структур имеет характерную зависимость от скорости перемещения межфазной границы. В [1] приводятся три различных типа таких зависимостей. Показано, что вид зависимости периода эвтектической структуры от скорости перемещения межфазной границы зависит от механизма роста твердой фазы и величины поверхностного натяжения. Приводится расчет этих зависимостей. Полученные в расчетах зависимости точно совпадают с экспериментальными |
669 Л 683 Лободюк, В. А. Межфазные границы при мартенситном превращении [Текст] / В. А. Лободюк // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N6. - Библиогр.:с.63-64 (68 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): межфазные границы -- мартенситные превращения -- кристаллы -- схемы Аннотация: Рассмотрены и обсуждены теоретические и экспериментальные работы, посвященные расчетам и моделям межфазных границ, возникающих при превращениях мартенситного типа, исследованию их строения, состояния, подвижности и ориентировки. Перейти: http://www.maik.ru |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. П. Формирование межфазной границы в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев, В. П. Рубец, В. В. Антипов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1477-1479 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): межфазные границы -- тонкопленочные материалы -- сэндвич-структуры Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований межфазной границы CdTe-CdS в сэндвич-структурах Au/CdTe/CdS, синтезированных на подложке из искусственной слюды фторфлогопит в резко неравновесных условиях (температура подложки T[s] = 125 K) и в квазиравновесных условиях (при T[s] больше 720 K). Представлены рентгенограммы и вольт-фарадная характеристика. Показано, что резко неравновесные условия позволяют синтезировать структуры с кристаллическим совершенством и межфазной границей не хуже, чем у структур, синтеризованных в равновесных условиях. Доп.точки доступа: Рубец, В. П.; Антипов, В. В. |
Лебедев-Степанов, П. В. Электроупругая модель межфазной границы и размерный эффект в нанокаплях [Текст] : текст / П. В. Лебедев-Степанов, С. А. Рыбак // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 421, N 3, июль. - С. 359-363 : 2 рис. - Библиогр.: с. 363 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): функционалы плотности -- электрострикционные процессы -- диэлектрические жидкости -- нанокапли -- нанокластеры -- энергия гидратации -- межфазные границы -- упругие деформации -- упругий континуум Аннотация: Рассмотрена сплошная изотропная среда (жидкость или аморфное твердое тело), состоящая из неполярных атомов или молекул. Использована упрощенная форма функционала плотности, позволяющая рассмотреть основные свойства диэлектрических жидкостей в небольших объемах и тонких пленках. Доп.точки доступа: Рыбак, С. А. |
Картавых, А. В. Структурная самоорганизация расплавов в переходном слое при росте кристаллов в условиях микрогравитации [Текст] / А. В. Картавых, В. П. Гинкин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 49-57
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост монокристаллов -- стехиометрические расплавы -- нестехиометрические расплавы -- микрогравитация -- межфазные границы -- космическое материаловедение -- кристаллизация полупроводников Аннотация: Дан краткий обзор результатов, полученных в 2003-2007 гг. при исследовании и моделировании процессов роста монокристаллов Ge: Ga, Ge: Sb, GaSb: Te, InP: S из стехиометрических и нестехиометрических расплавов на борту спутников серии “Фотон”. Обоснована и показана перспективность использования состояния микрогравитации для исследования процессов структурной самоорганизации (кластерообразования) в переходном слое расплава при кристаллизации. Впервые в качестве независимого инструмента исследования таких процессов создана математическая модель тепломассопереноса, учитывающая двухфазный характер среды в погранслоях вблизи межфазной границы. Обсуждаются перспективы развития этого нового направления в космическом материаловедении. Доп.точки доступа: Гинкин, В. П. |
Алимов, М. М. Эволюция межфазной границы в слоистом анизотропном пористом материале [Текст] / М. М. Алимов // Прикладная механика и техническая физика. - 2010. - Т. 51, N 2. - С. 98-106 . - ISSN 0869-5032
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): межфазные границы -- анизотропия -- пористый материал -- анизотропный пористый материал -- изотропный материал -- слоисто-неоднородный изотропный материал -- слоисто-неоднородный анизотропный материал Аннотация: Показано, что краевая задача, описывающая эволюцию межфазной границы в процессе насыщения вязкой жидкостью слоисто-неоднородного анизотропного пористого материала, неортогональным преобразованием координат может быть сведена к аналогичной задаче для слоисто-неоднородного изотропного материала. В результате известные оценки параметров задачи, определяющих конфигурацию межфазной границы насыщения для изотропного случая, удается распространить на анизотропный случай. |
Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н. |
Шмытько, И. М. Тонкая структура нанокристаллитов Na[5] Lu[9] F[32], образующихся на первых этапах кристаллизации [Текст] / И. М. Шмытько, Г. К. Струкова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1796-1800. - Библиогр.: с. 1800 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- структура нанокристаллов -- этапы кристаллизации -- кристаллизации -- рост нанокристаллов -- твердофазные синтезы -- двухфазные состояния -- изоморфные фазы -- межфазные границы -- редкоземельные элементы -- сцинтилляторные свойства -- нанокристаллические порошки -- натрий-лютециевый фторид Аннотация: Рентгенографическими исследованиями показано, что начальные этапы образования и роста нанокристаллитов Na[5]Lu[9]F[32] из смеси порошков фторида лютеция, фторида аммония и фторида натрия при твердофазном синтезе сопровождаются сложными структурными перестройками, из которых можно выделить циклические перестройки типа однофазное к двухфазное к однофазное состояние. Показано, что двухфазное состояние состоит из двух изоморфных фаз с малым различием в параметрах решетки. Изоморфные фазы соединены между собой протяженными межфазными границами, вдоль которых происходит непрерывное изменение периодов решетки из одной фазы в другую. Длительный отжиг двухфазного состояния приводит к конечному однофазному состоянию, характеризующемуся разрастанием нанокристаллитов до уровня микрокристаллитов. Доп.точки доступа: Струкова, Г. К. |
Бойков, Ю. А. Отклик емкости планарной гетероструктуры La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/SrTiO[3]/ La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] на электрическое поле [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1342-1346. - Библиогр.: с. 1345-1346 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- лазерные испарения -- эпитаксиальные гетероструктуры -- пленки перовскитоподобных магнитов -- сегнетоэлектрики -- межфазные границы -- атомные слои -- сопротивление наноразмерных прослоек -- емкость плоскопаралельных пленочных конденсаторов Аннотация: Метод лазерного испарения был использован, чтобы интегрировать манганитные пленочные электроды и промежуточный слой титаната стронция в эпитаксиальной гетероструктуре La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/ (1000 nm) SrTiO[3]/ La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] (LCMO/STO/LCMO). При T=300 K механические напряжения в слое STO в значительной степени релаксировали, а электроды LCMO были двухосно латерально растянуты, причем искажение элементарной ячейки верхнего электрода (a/a normal примерно 1. 026) было существенно больше, чем нижнего (примерно 1. 008) (a // и a normal - параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). Обратная величина емкости C сформированных плоскопараллельных пленочных конденсаторов LCMO/STO/LCMO практически линейно возрастала с увеличением температуры T в интервале 50-250 K. При T меньше 100 K C уменьшалась примерно на 50 процентов в электрическом поле E=40 kV/cm. После изменения E в последовательности 0\rightarrow+100 kV/cm \rightarrow0 емкость C уменьшалась примерно на 3 процента а максимум на зависимости C (E, T больше 200 K) сдвигался примерно на 9 kV/cm относительно точки E=0. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Харламов, Ф. В. Метод исследований каталитических реакций на основе эффекта хемоэмиссии электронов [Текст] / Ф. В. Харламов, В. Ф. Харламов // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 5. - С. 30-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (21 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): каталитические реакции -- хемоэмиссия электронов -- гетерогенные реакции -- математические модели -- горячие электроны -- электроны металлов -- межфазные границы -- металл-газ -- каталитические центры -- полупроводники -- сканирующие иглы -- электрические поля -- рекомбинация атомов -- водород -- кальций -- титан -- кремний -- поверхности металлов Аннотация: Установлено, что если энергия, выделяющаяся при образовании молекул продукта в ходе гетерогенной реакции, меньше работы выхода c поверхности, тогда плотность тока хемоэмиссии электронов с поверхности любого полупроводника подчиняется условию j примерно Bexp (бетаE), где B и бета - коэффициенты, E - напряженность электрического поля в плоскости поверхности полупроводника. Исследована математическая модель, описывающая прохождение горячих электронов металла, возбужденных в ходе каталитической реакции, через межфазную границу металл-газ. Определены параметры системы, при которых возможно изучение распределения каталитических центров вдоль поверхности металла или полупроводника методом сканирующей иглы на основе эффекта стимулированной электрическим полем хемоэмиссии электронов (разрешение дельтаr ~ 10{-8}-10{-7} м). Теоретические результаты соответствуют экспериментальным данным, полученным в случае слабых электрических полей (0 < E < 5 · 10{6} В/м) при гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности кальция, титана и кремния n-типа. Доп.точки доступа: Харламов, Орловский государственный технический университет |
Брудный, В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1194-1202 : ил. - Библиогр.: с. 1201-1202 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронейтральность -- электронные свойства -- структурные параметры решетки -- электронные спектры GaSe -- гидростатическое сжатие -- напряжение растяжения -- межзонные переходы -- гидростатическое давление -- давление -- энергетические диаграммы -- межфазные границы -- GaSe Аннотация: Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL E[v]+0. 8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Саркисов, С. Ю. |
543.63 П 180 Параметры двойного электрического слоя на границе медный электрод/водно-органический раствор сульфата меди [Текст] / В. И. Парфенюк [и др.] // Журнал общей химии. - 2009. - Т. 79, вып. 11. - С. 1766-1770. - Библиогр.: с. 1770 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия Анализ органических веществ Кл.слова (ненормированные): водно-органические растворы -- двойные электрические слои -- импедансная спектроскопия -- электрические слои -- сульфат меди -- медь -- растворы -- электроды -- спектроскопия -- медные электроды -- межфазные границы -- растворы сульфата меди -- параметры электрического слоя -- граница электрод/раствор -- свойства межфазной границы Аннотация: Методом импедансной спектроскопии исследованы свойства межфазной границы медный электрод/водно-органический раствор сульфата меди. Доп.точки доступа: Парфенюк, В. И.; Носков, А. В.; Кузьмин, С. М.; Чуловская, С. А. |
539.2 С 427 Скворцов, А. А. К вопросу об электромиграции расплавленных включений в системе алюминий-кремний [Текст] / А. А. Скворцов, В. Е. Мурадов, Е. А. Каштанова // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 35-42 : ил. - Библиогр.: с. 42 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алюминий -- Al -- кремний -- Si -- система алюминий-кремний -- расплавленные включения -- электромиграция расплавленных включений -- формирование расплавленных включений -- сравнительный анализ -- кристаллы -- температурные интервалы -- контактное плавление -- электростимулированная миграция -- электрические поля -- линии напряженности -- размерные зависимости -- скорость перемещения -- удельная скорость -- расплавленные зоны -- механизмы перемещения -- кристаллизация -- межфазные границы -- термоэлектрические явления -- атомы -- численные значения -- заряды -- расплавы -- коэффициенты Пельтье -- Пельтье коэффициенты -- система кристалл-расплав Аннотация: Проведен сравнительный анализ формирования и электромиграции расплавленных включений алюминий-кремний (Al-Si) в кристаллах кремния и алюминия. Обнаружено, что в температурном интервале T=850-920 K в результате контактного плавления в рассматриваемой системе формируются расплавленные включения размером 50-800 mum. Обнаружена их электростимулированная миграция (j=< 4· 10{6} A/m{2}) вдоль линий напряженности электрического поля. По размерной зависимости удельной скорости перемещения W/j расплавленных зон Al-Si в кремнии и алюминии сделан вывод о механизмах перемещения расплавленных зон: это плавление и кристаллизация на межфазных границах за счет термоэлектрических явлений и электромиграции атомов в объеме включения. Экспериментально определены численные значения эффективных зарядов атомов Al и Si в расплавах Al-Si, а также коэффициенты Пельтье системы кристалл-расплав. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p35-42.pdf Доп.точки доступа: Мурадов, В. Е.; Каштанова, Е. А. |
539.2 А 465 Александров, О. В. Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния [Текст] / О. В. Александров, авт. А. И. Дусь // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 474-480 : ил. - Библиогр.: с. 480 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- кремний -- термическое окисление -- межузельные атомы -- МА -- межфазные границы -- МФГ -- генерация -- рекомбинация -- фиксированные заряды -- температура окисления -- отжиг -- нейтральные среды -- собственные точечные дефекты -- СТД Аннотация: Разработана количественная модель образования фиксированного заряда (Q[f]) в диоксиде кремния при термическом окислении кремния. Величина Q[f] определяется количеством межузельных атомов кремния вблизи межфазной границы Si-SiO[2], образующихся в результате процессов их генерации и рекомбинации на межфазной границе, а также диффузии вглубь диоксида. Модель позволяет описать уменьшение фиксированного заряда при увеличении температуры окисления, а также при отжиге в нейтральных средах для диоксида кремния ориентаций (100) и (111) в широком диапазоне температур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p474-480.pdf Доп.точки доступа: Дусь, А. И. |
621.315.592 Б 489 Берковиц, В. Л. Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs [Текст] / В. Л. Берковиц, Т. В. Львова, В. П. Улин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1637-1641 : ил. - Библиогр.: с. 1641 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): химическая нитридизация -- подложки -- нитридная химическая пассивация -- поверхностно-барьерные структуры -- Au/GaAs -- электрические характеристики -- арсенид галлия -- GaAs -- гидразин-сульфидные растворы -- межфазные границы -- металл-проводник -- потенциальные барьеры -- барьеры -- эксперименты Аннотация: Исследовалось влияние химической нитридизации подложек GaAs в гидразин-сульфидном растворе на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs. При такой нитридизации на поверхности GaAs формируется сплошная пассивирующая пленка нитрида галлия монослойной толщины, которая обеспечивает практически прямой контакт полупроводника с наносимым на него металлом. Структуры Au/GaAs, изготовленные на нитридизированных подложках, имеют коэффициенты идеальности, близкие к единице, и характеризуются также малым разбросом значений высоты потенциального барьера. Продолжительный прогрев таких структур при 350°C не меняет значений указанных параметров. Полученные результаты показывают, что нитридный монослой, формируемый на поверхности GaAs при обработке в гидразин-сульфидных растворах, эффективно препятствует миграции атомов через межфазную границу металл-полупроводник. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1637-1641.pdf Доп.точки доступа: Львова, Т. В.; Улин, В. П. |
669.1.017 П 534 Полухин, В. А. Влияние технологических микропримесей на фрагментацию фаз при получении наноструктурированных материалов из сплавов на основе железа в режиме скоростного охлаждения расплава [Текст] / В. А. Полухин, Р. М. Белякова, Н. А. Ватолин // Физика и химия обработки материалов. - 2011. - N 3. - С. 63-68 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение черных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные материалы -- микропримеси -- межфазные границы -- поверхностная энергия -- сплавы на основе железа -- технологические примеси -- шихтовые материалы -- поверхностно-активные примеси -- поверхностно-активные технологические примеси -- скоростное охлаждение расплавов Аннотация: Методом компьютерного моделирования и экспериментально подтверждена важная роль поверхностно-активных технологических примесей, присутствующих в шихтовом материале, в процессе получения наноструктурированных материалов в условиях высокоскоростного затвердевания расплава. Показано, что природа эффекта связана с влиянием примесей на величину поверхностной энергии на межфазных границах. Доп.точки доступа: Белякова, Р. М.; Ватолин, Н. А. |
536.424.1 Л 883 Лыках, В. А. Граница между ОЦК- и ГПУ-решетками в квантовом кристалле гелия-4 [Текст] / В. А. Лыках, авт. Е. С. Сыркин // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1174-1179. - Библиогр.: c. 1179 (18 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ГПУ-фазы -- квантовые кристаллы -- классические кристаллы -- кристаллические решетки -- мартенситоподобное поведение -- межфазные границы -- ОЦК-фазы Аннотация: Рассмотрен на микроскопическом уровне механизм перехода между ОЦК- и ГПУ-фазами, который применим как к классическим, так и к квантовым кристаллам. Указаны относительные ориентации кристаллических решеток, обеспечивающие когерентное сопряжение фаз. Доп.точки доступа: Сыркин, Е. С. |
543.4/.5 Ч-894 Чуловская, С. А. Влияние строения межфазной границы электрод/раствор на процесс электрокристаллизации высокодисперсных соединений меди / С. А. Чуловская, С. М. Кузьмин, В. И. Парфенюк // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т. 85, вып. 12. - С. 1964-1968. - Библиогр.: с. 1968 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): высокодисперсные соединения меди -- изопропиловый спирт -- медьсодержащие порошки -- межфазные границы -- метод импедансной спектроскопии -- электрокристаллизация Аннотация: Исследованы качественный состав и размерные характеристики порошков, полученных в предлагаемых условиях. Доп.точки доступа: Кузьмин, С. М.; Парфенюк, В. И. |
669.7/.8 С 173 Самойлов, А. И. Мисфит как источник и критерий работоспособности жаропрочных никелевых сплавов / А. И. Самойлов, Р. М. Назаркин, Н. С. Моисеева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 6. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 35-36 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): мисфит -- жаропрочные никелевые сплавы -- никелевые сплавы -- сплавы -- работоспособность сплавов -- параметры решеток фаз -- когерентность -- межфазные границы -- прочностные свойства -- кристаллические решетки -- упругие напряжения -- дифракция излучения -- рентгеновское излучение Аннотация: Описана субструктура никелевых жаропрочных сплавов и показана взаимосвязь величины несоответствия параметров решеток фаз и когерентности межфазной границы. Установлено, что когерентность межфазной границы определяет прочностные свойства жаропрочных сплавов и интервалы ее оптимальной величины. Доп.точки доступа: Назаркин, Р. М.; Моисеева, Н. С. |