Орлов, Л. К. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Si[1-x]Ge[x]/Si в условиях нестационарного процесса [Текст] / Л. К. Орлов, С. В. Ивин, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 57 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидридная эпитаксия -- массоперенос -- твердые растворы -- численное моделирование -- кинетика роста слоев -- силан -- герман -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероструктуры Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si[1-x]Ge[x] как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10{-3}Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста T[gr]<600C может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры Доп.точки доступа: Ивин, С.В.; Потапов, А.В.; Ивина, Н.Л. |
539.2 Я 499 Якушев, М. В. Морфология поверхности подложки Si (310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe: I. Чистая поверхность Si (310 [Текст] / М. В. Якушев, Д. В. Брунев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 41-47 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- CdHgTe -- поверхность подложки Si (310) -- отжиг в вакууме -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и дифракции электронов высокой и низкой энергии исследовано влияние отжига в вакууме на морфологию гидрогенизированной и окисленной поверхностей Si (310). Установлено, что после десорбции пассивирующего покрытия поверхность имеет сильно развитый рельеф, образованный преимущественно ступенями высотой в два монослоя. Отжиг до температуры 900 плюс минус 15 градусов С с последующим резким остыванием приводит к фасетированию поверхности плоскостями (510). Присутствие на поверхности Si (310) ступеней высотой в два монослоя позволяет использовать кристаллы Si, ориентированные по плоскости (310), в качестве подложки для гетероэпитаксии соединений A\{2\}B\{6\}. Доп.точки доступа: Брунев, Д. В.; Романюк, К. Н.; Долбак, А. Е.; Дерябин, А. С.; Миронова, Л. В.; Сидоров, Ю. Г. |
Гетероэпитаксиальная структура Sm[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]-Nd[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]: оптические и магнитотранспортные данные [Текст] / Ю. П. Сухоруков [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 43-48. - Библиогр.: c. 48 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные структуры -- гетероструктуры -- температура Кюри -- Кюри температура -- магнитосопротивление -- магнитопропускание -- манганиты Аннотация: Исследована гетероструктура Sm[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]-Nd[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3], состоящая из слоев с отличающимися температурами Кюри. Сравнение пропускания ИК-излучения и электросопротивления, магнитопропускания и магнитосопротивления, эффекта Керра со стороны пленки и подложки позволило определить температуру Кюри слоев и выявить их вклады в магнитосопротивление и магнитопропускание. Наличие слабой температурной зависимости магнитопропускания и магнитосопротивления указывает на возможность применения манганитов с колоссальным магнитосопротивлением и магнитопропусканием в устройствах без термостабилизации. Доп.точки доступа: Сухоруков, Ю. П.; Ганьшина, Е. А.; Кауль, А. Р.; Горбенко, О. Ю.; Лошкарева, Н. Н.; Телегин, А. В.; Картавцева, М. С.; Виноградов, А. Н. |
Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. - Библиогр.: c. 56 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника в целом Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х. |
Войцеховский, А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. |
Влияние отжига на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te для среднего инфракрасного диапазона [Текст] / А. И. Ижнин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 3. - С. 103-110
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные структуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- постростовая термическая обработка -- инфракрасный диапазон Аннотация: Исследовано влияние различных видов постростовой обработки (отжиг в атмосфере гелия или парах ртути, а также облучение низкоэнергетическими ионами) на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te, предназначенных для создания фото- и оптоэлектронных устройств среднего инфракрасного диапазона (3-5 mum). Показано, что оптимальным с точки зрения улучшения люминесцентных свойств является отжиг в парах ртути. Доп.точки доступа: Ижнин, А. И.; Ижнин, И. И.; Мынбаев, К. Д.; Иванов-Омский, В. И.; Баженов, Н. Л.; Смирнов, В. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю. |
Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-Cd[x]Hg[l-x]Te с x=0. 22 [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- n-p-фотодиоды -- компоненты темнового тока -- темновой ток -- нормальные компоненты темнового тока -- латеральные компоненты темнового тока -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- многоэлементные матричные фотоприемники -- фотоприемники длинноволнового инфракрасного диапазона -- ионы бора -- имплантация -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- p-Cd[x]Hg[l-x]Te -- кадмий -- ртуть -- теллур -- магнитные поля Аннотация: Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Костюченко, В. Я.; Павлов, А. В.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н. |
621.315.592 В 586 Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413 : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика) Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p408-413.pdf Доп.точки доступа: Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г. |
621.315.592 Э 454 Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1363-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- оптические свойства -- эпитаксиальные пленки -- кремниевые подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- фотолюминесценция -- эффект Холла -- Холла эффект -- низкоэнергетическая ионная обработка -- НИО -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- CdHgTe -- структурные дефекты -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данные измерений фотолюминесценции указывают на высокое структурное совершенство пленок, а данные исследования эффекта Холла в сочетании с низкоэнергетической ионной обработкой - на низкую концентрацию остаточных доноров (~ 5 x 10{14} см{-3}). В пленках выявлено наличие акцепторных состояний, предположительно связанных с захватом примесей на структурные дефекты, типичные для сильно рассогласованных гетероэпитаксиальных структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1363-1367.pdf Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Мынбаев, К. Д.; Якушев, М. В.; Ижнин, А. И.; Фицыч, Е. И.; Баженов, Н. Л.; Шиляев, А. В.; Савицкий, Г. В.; Jakiela, R.; Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А. |
539.1/.18 Г 441 Гетероэпитаксиальные структуры n-ZnO/p-6H-SiC, выращенные методом химического транспорта [Текст] / Б. М. Атаев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 7. - С. 932-934. - Библиогр.: с. 934 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные структуры -- реакторы -- люминесценция -- люминесцентные измерения -- цинк -- эпитаксиальные слои -- химические реакции Аннотация: Обсуждены результаты люминесцентных измерений. Доп.точки доступа: Атаев, Б. М.; Мамедов, В. В.; Омаев, А. К.; Калинина, Е. В. |
539.2 А 640 Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С. |
537.311.33 Т 162 Талипов, Н. Х. Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe / Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 3-14 : рис., табл. - Библиогр.: c. 14 (33 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ИК-излучение -- гетероэпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дефектообразование -- ионная имплантация -- лазерное облучение -- облучение поверхностных слоев -- радиационные дефекты Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя. |
539.26 И 889 Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1580-1585 : ил. - Библиогр.: с. 1584-1585 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные полупроводниковые структуры -- SiGe/Si -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- РД -- малоугловая рефлектометрия -- метод малоугловой рефлектометрии -- МУР -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- вторичные ионы -- матричные эффекты -- рентгеновское излучение -- артефакты ионного распыления -- ионное распыление -- травление -- результаты анализа -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность. Multilayered nonperiodic SiGe/Si structure is studied by X-ray diffractometry (XRD), grazing incidence X-ray reflectometry (XRR) and secondary ions mass spectrometry (SIMS). Special attention is given to the processing of measured SIMS depth profile and allowance for the most significant experimental distortions of the actual profile. The special method of SIMS profile processing is proposed. It takes into account matrix effects, sputtering rate compositional dependence, and profile broadening induced by ion sputtering. The result of such processing procedure is compared with the model, obtained by joint analysis of the XRD and XRR data. Good correspondence of the SIMS and X-ray analysis data is demonstrated. It is shown that joint use of the independent techniques can improve the relevancy and the accuracy of the multilayered structures analysis. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1580-1585.pdf Доп.точки доступа: Юнин, П. А.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Королев, С. А.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.21:535 В 932 Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией / К. Д. Мынбаев [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 10. - С. 147-150. - Библиогр.: c. 150 ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- твердые растворы -- нитриды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- фотолюминесценция -- высокотемпературная фотолюминесценция -- гетероэпитаксиальные структуры -- узкощелевые полупроводники -- разупорядочение растворов -- теллурид кадмия-ртути Аннотация: Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн lambda=1. 5-4. 3 mum. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/10/p147-150.pdf Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Шиляев, А. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Ремесник, В. Г.; Варавин, В. С. |
539.21:537 Э 717 Эпитаксия пленок Pb(Zr,Ti) O[3] на Ir/YSZ/Si при катодном распылении: влияние состава реакционного газа / В. Г. Бешенков [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 15. - С. 30-37 : ил. - Библиогр.: с. 36-37 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- пленки -- катодное распыление -- реакционные газы -- гетероэпитаксиальные структуры -- аргон -- Ar -- газовые смеси -- кристаллизация -- электрические характеристики -- электромеханические характеристики Аннотация: Изучены особенности роста пленок PZT на гетероэпитаксиальных структурах Ir/YSZ/Si при катодном ВЧ-распылении керамической мишени в смесях аргона и кислорода. Показано, что распыление в газовой смеси с высоким парциальным давлением кислорода приводит к кристаллизации пленок PZT в метастабильной структуре пирохлора, тогда как распыление в аргоне или использование аргона на начальной стадии распыления приводит к пленкам PZT с равновесной структурой перовскита. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/15/p30-37.pdf Доп.точки доступа: Бешенков, В. Г.; Бурлаков, А. А.; Знаменский, А. Г.; Марченко, В. А.; Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка); Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка); Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка); Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка) |