67 С 603 Соловьев, В. А. О правовой природе налога [Текст] / В. А. Соловьев // Журнал российского права. - 2002. - N3 . - ISSN 1605-6590 Рубрики: Право. Юридические науки--Финансовое право Кл.слова (ненормированные): Налоговый кодекс РФ -- налог -- налоговые обязательства -- налоговые отношения -- правовая природа Аннотация: О новом подходе к налогу, о переходе к пониманию налога как "кредита", передаваемого публичному субъекту на социально значимые цели. |
347.73 С 603 Соловьев, В. А. Вопросы баланса публичного и частного интересов в налоговом праве [Текст] / В. А. Соловьев // Финансовое право. - 2002. - N4 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
Рубрики: Право--Финансовое право Кл.слова (ненормированные): баланс интересов -- воля -- интересы -- налоги -- налоговая система -- налоговое законодательство -- налоговые интересы -- налоговые отношения -- осознание интересов -- публичные интересы -- ставки налогов -- частные интересы Аннотация: Дан анализ целостного подхода к законодательству о налогах и сборах с использованием в качестве метода анализасоотношение частного и публичного интересов в налоговом праве. Определены понятия, содержание частного и публичного интересов, рассмотрены критерии определения баланса интересов, приведена классификация некоторых налоговых интересов. Также рассмотрен баланс интересов в сочетании с этапами налоговой реформы. |
621.38 А 79 Аракчеева, А. М. Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов [] / А. М. Аракчеева, А. В. Нащекин [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 2. - С. 78-81. - Библиогр.: c. 81 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия; волноводные структуры; микрорезонаторы; реактивное ионное травление; фотонные кристаллы; электронная литография Аннотация: Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота - 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/02/page-78.html.ru Доп.точки доступа: Нащекин, А. В.; Соловьев, В. А.; Танклевская, Е. М.; Максимов, М. В.; Конников, С. Г.; Гуревич, С. А.; Леденцов, Н. Н. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 590-594 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): InAs -- спиновое расщепление электронов -- электроны -- инжекционная накачка -- люминесценция -- магнитное поле -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (N[d]? 5 10\{16\} см\{-3\}) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны E[g]. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше E[g], и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Сорокин, С. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
621.315.592 С 302 Семенов, А. Н. In situ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs (Sb [Текст] / А. Н. Семенов, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 75-81
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- InAs -- InSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия Аннотация: Описаны особенности формирования квантовых точек InSb в матрице InAs без принудительного осаждения InSb методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования кинетики формирования квантовых точек InSb и смачивающего слоя InAsSb проводились in situ с использованием системы регистрации осцилляций интенсивности рефлексов на картине дифракции быстрых электронов. Исследовано влияние температуры подложки, последовательности работы заслонок и введения прерываний роста на свойства массива квантовых точек InSb. Прерывание роста сразу после выдержки поверхности InAs под потоком сурьмы приводит к уменьшению номинальной толщины InSb и улучшает однородность массива квантовых точек. Показано, что в случае осаждения квантовых точек InSb/InAs субмонослойной толщины роль смачивающего слоя выполняет сегрегационный слой InAsSb. Определены длина и коэффициент сегрегации сурьмы, а также их температурные зависимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Соловьев, В. А.; Мельцер, Б. Я.; Иванов, С. В. |
Всероссийская научная конференция "Социально-медицинские аспекты экологического состояния Центрального экономического района России" (Тверь, 25-26 октября 2007 г. ) [Текст] / В. А. Соловьев [и др. ] // Вестник Российского гуманитарного научного фонда. - 2008. - N 1. - С. 197-201 . - ISSN 1562-0484
Рубрики: Социология--Россия--Центральный экономический район--Тверь, 2007 г. Социология медицины Кл.слова (ненормированные): экология района -- здравоохранение -- социальная медицина -- население Аннотация: На конференции, состоявшейся в Твери в октябре 2007 г., обсуждались вопросы оценки социально-медицинских аспектов изменяющейся экологической обстановки Центрального экономического района нашей страны, изучения и профилактики социально значимых последствий воздействия окружающей среды на жизнедеятельность человека. Доп.точки доступа: Соловьев, В. А.; Шахтарин, В. В.; Жмакин, И. А.; Баканов, К. Б.; Брянцева, В. М.; Всероссийская научная конференция "Социально-медицинские аспекты экологического состояния Центрального экономическогорайона России" |
Обработка данных с приборочного комплекса телескопа-спектрогелиографа СПИРИТ [Текст] / А. П. Игнатьев [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 5. - С. 71-80. - Библиогр.: с. 80 (4 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Астрономия Астрономические приборы Кл.слова (ненормированные): аппаратно-программные комплексы -- СПИРИТ -- обработка данных -- приборные комплексы -- телескоп-спектрогелиограф -- спутники -- Коронас-Ф Аннотация: Научной целью эксперимента СПИРИТ является исследование пространственно-временной структуры явлений солнечной активности с помощью комплекса рентгеновских инструментов на спутнике "Коронас-Ф". Доп.точки доступа: Игнатьев, А. П.; Слемзин, В. А.; Кузин, С. В.; Бугаенко, О. И.; Житник, И. А.; Перцов, А. А.; Иванов, Ю. С.; Соловьев, В. А.; Афанасьев, А. А.; Лисин, Д. В.; Степанов, А. И. |
Синтез и формирование наноразмерных материалов в волне горения аэрозольгенерирующих составов [Текст] / Б. П. Перепеченко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 3, январь. - С. 354-357. - Библиогр.: с. 357 (15 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): горение -- золь -- аэрозоли -- продукты горения -- аэрозольное пожаротушение Аннотация: Приведены результаты новых исследований физико-химического состава твердых продуктов горения штатных аэрозольгенерирующих составов и предложена физико-химическая модель механизма тушения ими пламени. Доп.точки доступа: Перепеченко, Б. П.; Соловьев, В. А.; Пак, З. П.; Шпак, В. С. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1098-1103 : ил. - Библиогр.: с. 1103 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InSb/InAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кваново-размерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- монослои -- МС -- сверхрешетки -- СР -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- акцепторные примесные центры -- комнатная температура -- светоизлучающие приборы Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Мухин, М. С.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
001.89 Р 763 Российская академия наук. Президиум РАН. Президиум РАН решил [Текст] : (декабрь 2011 г., январь 2012 г.) // Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 5. - С. 475-477 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение Организация науки Кл.слова (ненормированные): академии наук -- академики -- научные исследования -- научные организации -- решения РАН -- утверждения РАН -- ученые Аннотация: Дана информация о назначениях сотрудников РАН, об утверждении направлений научной деятельности исследовательских центров. Доп.точки доступа: Васильев, С. Н.; Мулюков, Р. Р.; Вревский, А. Б.; Маслобоев, В. А.; Нигматулин, Р. И.; Пучков, В. Н.; Щипцов, В. В.; Гайнанов, Д. А.; Кокошин, А. А.; Титов, А. Ф.; Вдовицын, В. Т.; Крышень, А. М.; Савельев, Ю. В.; Воронин, А. В.; Гриппа, С. П.; Громцев, А. Н.; Дружинин, П. В.; Дюжев, Ю. И.; Козырева, Г. Б.; Кочкуркина, С. И.; Крутов, В. И.; Кузнецов, О. Л.; Лозовик, П. А.; Мазалов, В. В.; Муллонен, И. И.; Павлов, Ю. Л.; Светов, С. А.; Слабунов, А. И.; Шишкин, А. И.; Ибрагимов, К. Х.; Осмаев, А. Д.; Батаев, Д. К.-С.; Гагаева, З. Ш.; Айсханов, С. К.; Дадашев, Р. Х.; Джамирзаев, С. М.; Керимов, И. А.; Магамадов, С. С.; Мажиев, Х. Н.; Манкиев, А. Х.; Овхадов, М. Р.; Умаров, М. У.; Умхаева, З. С.; Халидов, А. И.; Хасбулатов, А. И.; Яндаров, В. О.; Гапуров, Ш. А.; Таймасханов, Х. Э.; Хазбулатов, Б. А.; Якушев, В. Л.; Холодов, А. С.; Рожнов, С. В.; Волошин, Я. З.; Задорожный, В. М.; Цыганов, Д. И.; Дук, Г. Г.; Витязь, П. А.; Джонг-Йонг, Квак; Левитан, Е. П.; Котляков, В. М.; Гурштейн, А. А.; Зеленый, Л. М.; Иванов, К. В.; Казютинский, В. В.; Лаврова, О. Ю.; Маловичко, А. А.; Митрофанов, И. Г.; Мохов, И. И.; Новиков, И. Д.; Николаев, А. В.; Полтавец, Г. А.; Родкин, М. В.; Рябов, Ю. А.; Соловьев, В. А.; Угольников, О. С.; Черепащук, А. М.; Шевченко, В. В.; Урманчеев, С. Ф. |
620.1/.2 С 603 Соловьев, В. А. Стендовые испытания на усталость труб внутренним давлением и на изгиб [Текст] / В. А. Соловьев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, № 11. - С. 50-54. - Библиогр.: с. 54 (3 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Транспорт Трубопроводный транспорт Кл.слова (ненормированные): стендовые испытания -- испытания на усталость -- испытания на изгиб -- испытания внутренним давлением -- усталостные трещины -- конструкции стендов -- стенды для испытаний -- продольные надрезы -- рост усталостных трещин -- трубопроводный транспорт -- трещиностойкость -- оценка долговечности Аннотация: Описан экспериментальный метод исследования процессов образования и развития усталостной трещины в металле труб. |
621.315.592 О-627 Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al[x]In[1-x]Sb [Текст] / О. С. Комков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1481-1485 : ил. - Библиогр.: с. 1484-1485 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- подложки -- буферные слои -- рентгеноспектральный микроанализ -- метод рентгеноспектрального микроанализа -- запрещенные зоны -- фундаментальное поглощение -- нелинейность Аннотация: Проведены оптические исследования ненапряженных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов Al[x]In[1-x]Sb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs с использованием буферного слоя AlSb. Состав твердых растворов изменялся в пределах x=0-0. 52 и контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа. Ширина запрещенной зоны E[g] определялась по краю фундаментального поглощения с учетом непараболичности зоны проводимости. Уточненный коэффициент нелинейности полученной зависимости E[g] (x) для Al[x]In[1-x]Sb составил 0. 32 эВ, что на 0. 11 эВ ниже общепринятого значения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1481-1485.pdf Доп.точки доступа: Комков, О. С.; Семенов, А. Н.; Фирсов, Д. Д.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Пихтин, А. Н.; Иванов, С. В. |
621.315.592 О-754 Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb [Текст] / А. Н. Семенов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1379-1385 : ил. - Библиогр.: с. 1385 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- дифракция отраженных быстрых электронов -- ДОБЭ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- подложки -- структурные свойства -- гетероструктуры -- AlInSb -- дефекты двойникования -- решетки -- сверхрешетки -- СР -- инициализация гетероструктуры -- буферные слои -- сурьма -- эффект Холла -- Холла эффект -- носители заряда -- алюминий Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и исследовании in situ с использованием дифракции отраженных быстрых электронов и ex situ методами растровой и просвечивающей микроскопии (ПЭМ и РЭМ) слоев AlInSb, выращенных на сильно рассогласованных подложках GaAs (100). Обнаружено, что особенностью гетеросистемы AlInSb/GaAs является высокая вероятность образования дефектов двойникования, и предложены способы снижения их концентрации. Для инициализации роста AlInSb на подложках GaAs в условиях гигантского рассогласования периодов решеток (~14. 5%) и быстрого перехода к двумерному росту использовалась поверхность слоя GaAs, предварительно выдержанная под потоком сурьмы, и переходный буферный слой AlSb. Оптимизация начальных стадий МПЭ роста Sb-содержащих слоев на поверхности GaAs позволила более чем на 2 порядка понизить плотность дефектов в GaAs/AlInSb-структурах, в том числе радикально уменьшить концентрацию дефектов двойникования. Определены оптимальные условия МПЭ роста слоев Al[x]In[1-x]Sb в широком диапазоне составов (0 Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1379-1385.pdf Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Комиссарова, Т. А.; Ситникова, А. А.; Кириленко, Д. А.; Надточий, А. М.; Попова, Т. В.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
537 Н 254 Наноструктуры InSb/InAsSb для оптоэлектроники среднего ИК-диапазона [Текст] / С. В. Иванов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 85-88. - Библиогр.: с. 88 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- наноструктуры -- свойства наноструктур -- инжекционные лазеры -- методы эпитаксии наноструктур -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ Аннотация: В работе обсуждается технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии наноструктур с квантовыми точками InSb в матрице InAs (Sb). Доп.точки доступа: Иванов, С. В.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Сорокин, С. В.; Люблинская, О. Г.; Терентьев, Я. В.; Усикова, А. А.; Львова, Т. В.; Копьев, П. С. |
520.6.05 Э 413 Эксперимент ТЕСИС по рентгеновской изображающей спектроскопии Солнца на спутнике КОРОНАС-Фотон [Текст] / С. В. Кузин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 39-43 : Рис. - Библиогр.: c. 43 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Астрономия Астрономические приборы Солнце Кл.слова (ненормированные): вакуумный ультрафиолетовый диапазон -- космические телескопы -- космические эксперименты -- метод изображающей спектроскопии Солнца -- мягкий рентгеновский диапазон -- солнечная корона -- спектральные диапазоны -- спектрогелиографы -- спутник КОРОНАС-Фотон -- спутники -- эксперимент ТЕСИС -- экспериментальное оборудование Аннотация: В состав успешно запущенного в 2009 году спутника КОРОНАС-Фотон входит комплекс телескопов и спектрогелиографов ТЕСИС, предназначенный для получения изображения солнечной короны в мягком рентгеновском и вакуумном ультрафиолетовых диапазонах спектра с высоким пространственным, временным и спектральным разрешением. Доп.точки доступа: Кузин, С. В.; Богачев, С. А.; Житник, И. А.; Шестов, С. В.; Слемзин, В. А.; Митрофанов, А. В.; Суходрев, Н. К.; Перцов, А. А.; Игнатьев, А. П.; Бугаенко, О. И.; Иванов, Ю. С.; Рева, А. А.; Зыков, М. С.; Ульянов, А. С.; Опарин, С. Н.; Гончаров, А. Л.; Шергина, Т. А.; Урнов, А. М.; Соловьев, В. А.; Попова, С. Г. |
539.2 О-754 Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале / Т. А. Комиссарова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 352-357 : ил. - Библиогр.: с. 357 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- концентрация электронов -- электроны -- подвижность электронов -- магнитные поля -- осцилляция Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза осцилляция -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- удельное сопротивление -- буферные слои -- кластеры -- протяженные дефекты -- дефекты -- анизотропные эффекты Аннотация: Работа посвящена исследованию электрофизических свойств гетероструктур c квантовыми ямами (КЯ) InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов. Обнаружена анизотропия концентрации и подвижности электронов, измеренных в слабом магнитном поле в кристаллографических направлениях [110] и [110]. С помощью анализа осцилляций Шубникова-де Гааза показано, что проводимость по двумерному электронному каналу КЯ InSb/AlInSb не зависит от кристаллографического направления. Вместе с тем магнитополевые зависимости модуля коэффициента Холла и удельного сопротивления структур продемонстрировали сильную чувствительность к кристаллографическому направлению. Это позволило заключить, что анизотропия транспортных параметров электронов в структурах с КЯ, измеренных в слабом магнитном поле, связана с паразитной проводимостью по буферному слою Al[0. 09]In[0. 91]Sb, заметный вклад в которую дают два анизотропных эффекта: влияние кластеров металлического In, неоднородно распределенных по буферному слою, и проводимость по сильнодефектному приинтерфейсному слою, плотность протяженных дефектов в котором зависит от кристаллографического направления. We report on electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with high electron concentration. Anisotropy of the electron concentration and mobility measured at a low magnetic field in [110] and [110] crystallographic directions has been observed. It has been established by analysis of the Shubnikov-de Haas oscillations that the conductivity through the two-dimensional electron channel does not depend on the crystallographic direction. However magnetic-field dependences of the Hall coefficient and resistivity of the structures revealed strong influence of the crystallographic directions. It has allowed one to conclude that these dependences and low-field electrical anisotropy correspond to the parasitic conductivity through the Al[0. 09]In[0. 91]Sb buffer layer with two pronounced anisotropic contributions: influence of metallic In nanoclusters inhomogeneously distributed within the buffer layer and conductivity of the near-interface layer with high anisotropic density of extended defects. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p352-357.pdf Доп.точки доступа: Комиссарова, Т. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Paturi, P.; Федоров, Д. Л.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); University of Turku; Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |