22.37 Б 940 Бухаров, В. Э. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы [Текст] / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, С. В. Стецюра // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.98 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерогенные материалы -- деградационная стойкость -- радиационная стойкость -- радиационно-стимулированная диффузия -- фотопроводники Аннотация: Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS-PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов Доп.точки доступа: Роках, А.Г.; Стецюра, С.В. |
Роках, А. Г. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS [Текст] / А. Г. Роках, Н. Б. Трофимова // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 142 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- гетерогенные полупроводники -- неравновесные носители Аннотация: Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS[1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS-CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потока из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS-CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой Доп.точки доступа: Трофимова, Н.Б. |
539.2 Р 66 Роках, А. Г. О вторично-ионном фотоэффекте [Текст] / А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. А. Сердобинцев, А. Г. Жуков // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2006. - Т. 14, N 1. - С. 113-119. - Библиогр.: с. 118 (10 назв. ) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фотоэффект -- вторично-ионный фотоэффект -- полупроводники -- фоточувствительные полупроводники -- физические эксперименты Аннотация: Показано, что в процессе ионной бомбардировки освещение может изменять выход вторичных ионов из фоточувствительных полупроводников. Дана классификация наблюдаемого явления по реакции на освещение. Приведена аппроксимация зависимости выхода ионов от изменения электронной работы выхода на основе предположения, что изменение определяется смещением электронного квазиуровня Ферми в результате освещения. Доп.точки доступа: Стецюра, С. В.; Сердобинцев, А. А.; Жуков, А. Г. |
539.2 С 324 Сердобинцев, А. А. Вторично-ионная масс-спектрометрия фотопроводящих мишеней [Текст] / А. А. Сердобинцев, А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. Г. Жуков // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 11. - С. 96-102. - Библиогр.: c. 102 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вторично-ионная масс-спектрометрия; вторично-ионный фотоэффект; ионное распыление; масс-спектрометрия; фотопроводящие мишени; фотопроводящие пленки; фотоэффект Аннотация: В результате исследований фотопроводящих пленок CdS-PbS методом вторично-ионной масс-спектрометрии обнаружено изменение выхода положительных вторичных ионов при освещении. При бомбардировке положительными ионами кислорода выход ионов кадмия уменьшался, а ионов свинца - увеличивался при облучении пленок видимым светом. Обнаруженные явления дали основания говорить об обнаружении вторично-ионного фотоэффекта и были названы нормальным и аномальным вторично-ионным фотоэффектом соответственно. Предложены объяснения и предварительное количественное описание наблюдаемых явлений. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/11/p96-102.pdf Доп.точки доступа: Роках, А. Г.; Стецюра, С. В.; Жуков, А. Г. |
Роках, А. Г. Парадоксы фотопроводящей мишени и оптическое управление выходом вторичных ионов [Текст] : памяти основоположников современных взглядов на фотоэлектричество С. М. Рывкина и А. Роуза посвящаем / А. Г. Роках, М. Д. Матасов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 101-108 : ил. - Библиогр.: с. 107-108 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): основоположники фотоэлектричества -- фотоэлектричество -- кадмий -- халькогениды кадмия -- полупроводники -- фотопроводимость -- фотопроводимые мишени -- вторично-ионный фотоэффект -- ВИФЭ -- спектральные характеристики -- СХ -- экспериментальные исследования -- ионные распыления -- оптоэлектроника -- ваккумная оптоэлектроника -- люкс-амперная характеристика -- ЛАХ -- нанотехнологии -- оптоионика -- ваккумные преобразователи -- вторичные ионы -- выход вторичных ионов -- оптическое управление Аннотация: Изучение фотопроводимости полупроводников и, в частности, халькогенидов кадмия в качестве материалов для мишеней вакуумных преобразователей изображения шло по пути преодоления парадоксов. Развитые классиками фотоэлектричества взгляды помогают разобраться и в парадоксах нового, вторично-ионного, фотоэффекта, особенно в его спектральной характеристике. Оптический канал управления выходом вторичных ионов открывает через фотопроводящую мишень путь к новой ветви нанотехнологии - оптоионике. Доп.точки доступа: Матасов, М. Д.; Рывкин \с. М.\; Роуз \а.\ |
539.2 О-627 Оптические спектры пленок CdS-PbS и возможность фотоэффекта в среднем инфракрасном диапазоне / А. Г. Роках [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1602-1606 : ил. - Библиогр.: с. 1605-1606 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические спектры -- пленки -- плазменный резонанс -- эксоэлектронная фотоэмиссия -- фотоэмиссия -- оптическое отражение -- твердые растворы -- вакуум -- вторично-электронная эмиссия -- вторично-ионные фотоэффекты -- фотоэффекты -- электроны -- фотокатоды Аннотация: Обсуждается возможность использования плазменного резонанса в полупроводниках для возбуждения экзоэлектронной фотоэмиссии в средней инфракрасной области спектра без специального охлаждения. Приводятся спектры оптического отражения в среднем инфракрасном диапазоне осажденных в вакууме радиационно-стойких пленок ограниченных твердых растворов CdS-PbS, содержащие минимум, связанный с плазменным резонансом. Сопоставляются плазменный резонанс вторично-электронной эмиссии и вторично-ионный фотоэффект, делается вывод о возможности влияния плазменного резонанса в средней инфракрасной области на выход электронов из полупроводникового фотокатода при комнатной температуре. Possibility of use of a plasma resonance in semiconductors for excitation exoelectronic photoemession in a middle infrared area of spectrum without special cooling is discussed. Spectra of optical reflexion on the middle infrared range from the radiation-resistant films of the limited solid solutions CdS-PbS deposited in vacuum and containing a minimum connected with a plasma resonance are resulted. The next are compared: a plasma resonance in the semiconductor, a plasmonic resonance of secondary-electronic emission and a secondary-ionic photoeffect. A conclusion is done about possibility of influence of the plasma resonance in the middle infrared spectrum on the electron emission from the semiconductor photocathode at room temperature. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1602-1606.pdf Доп.точки доступа: Роках, А. Г.; Биленко, Д. И.; Шишкин, М. И.; Скапцов, А. А.; Вениг, С. Ю.; Матасов, М. Д.; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского |