22.37 Б 940 Бухаров, В. Э. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы [Текст] / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, С. В. Стецюра // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.98 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерогенные материалы -- деградационная стойкость -- радиационная стойкость -- радиационно-стимулированная диффузия -- фотопроводники Аннотация: Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS-PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов Доп.точки доступа: Роках, А.Г.; Стецюра, С.В. |
537.311.33 П 429 Повышение деградационной стойкости кристаллов полуизолирующего арсенида галлия плазменными обработками [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 22. - С. 28-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- деградационная стойкость -- арсенид галлия -- полуизолирующий арсенид галлия -- GaAs -- водород -- плазма -- плазменная обработка -- термическая обработка -- электромагнитные поля -- высокочастотные поля -- излучения -- ИК-излучения -- инфракрасные излучения -- спектры пропускания -- спектральные интервалы -- комнатная температура -- ВЧ-облучение -- высокочастотное облучение -- оптическое пропускание -- ИК-области -- инфракрасные области -- приповерхностные области -- механические напряжения -- внутренние напряжения -- релаксация напряжений Аннотация: Исследование влияния обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов полуизолирующего GaAs к воздействию высокочастотного электромагнитного поля и термическим обработкам. Спектры пропускания ИК-излучения образцов GaAs исследовались в спектральном интервале 5-15 mum при комнатной температуре. Показано, что пропускание кристаллов, прошедших обработку в плазме водорода, при последующем ВЧ-облучении не только не падало, как это наблюдалось для необработанного кристалла, но даже увеличивалось по сравнению с исходным кристаллом. Предложен механизм, объясняющий влияние обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов и оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области и учитывающий релаксацию внутренних механических напряжений в приповерхностной области кристалла вследствие плазменной обработки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/22/p28-34.pdf Доп.точки доступа: Клюй, Н. И.; Липтуга, А. И.; Лозинский, В. Б.; Оксанич, А. П.; Тербан, В. А.; Фомовский, Ф. В. |