63.3(2) К 182 Каминский, В. В. (магистр искусств). Русские генштабисты в 1917-1920 годах. Итоги изучения [Текст] / В. В. Каминский // Вопросы истории. - 2002. - N12. - Примеч.: с.48-51 . - ISSN 0042-8779 Рубрики: История--История России Кл.слова (ненормированные): 20 в. -- Белые армии -- Генеральный штаб -- Красная армия -- военные специалисты -- военспецы -- войны -- генштабисты -- гражданская война -- офицерство -- офицеры Аннотация: Рассматривается количественное распределение офицеров, окончивших академию Генерального штаба, между противоборствующими сторонами в гражданской войне, а также причины, по которым часть их оказалась в рядах Красной армии. Перейти: http://www.rfh.ru/ |
947 К 182 Каминский, В. В. (Д-р философии). Брат против брата: офицеры-генштабисты в 1917-1920 годах [Текст] / В. В. Каминский // Вопросы истории. - 2003. - N11. - Библиогр.: 70 назв. . - ISSN 0042-8779
Рубрики: История--История России Кл.слова (ненормированные): 1917-1920 гг. -- АГШ -- Академия Генерального штаба -- Добровольческая армия -- РККА -- Рабоче-Крестьянская Красная Армия -- армия -- белая армия -- биографии -- военные кадры -- войны Аннотация: Судьбы некоторых семей, представители которых в начале 20 века по воле обстоятельств оказались по разные стороны баррикад: одни на стороне РККА (Рабоче-Крестьянской Красной Армии), другие - в лагере белых. Доп.точки доступа: Акинтиевские; Баиова; Кельчевские; Махровы; Моторные; Новицкие; Свечины; Сытины; Тихменевы |
947 Г 192 Ганин, Андрей Владиславович. О роли офицеров Генерального штаба в гражданской войне [Текст] / А. В. Ганин // Вопросы истории. - 2004. - N 6. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 0042-8779
Рубрики: История--История России Кл.слова (ненормированные): войны -- гражданская война -- офицеры -- генштабисты -- белая армия -- белое движение -- армии Аннотация: Статья о важной и сложной проблематике участия офицеров Генерального штаба в гражданской войне. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Генеральный штабГенштаб; РККА; Рабоче-Крестьянская Красная армия; Академия Генерального штаба |
63.3(2)6 К 182 Каминский, В. В. Выпускники академии генерального штаба на службе в красной армии [Текст] / В. В. Каминский // Военно-исторический журнал. - 2002. - N8 . - ISSN 0321-0626 Рубрики: История--История СССР Кл.слова (ненормированные): 20 век -- академия -- армия -- большевики -- офицеры -- статистика -- штаб Аннотация: Автор данной статьи посвятил свое исследование выпускникам Академии Генерального штаба,воевавшим в РККА в 1918-1920гг. |
539.2 К 18 Каминский, В. В. Исследования температурной зависимости параметров кристаллической решетки SmS [] / В. В. Каминский, Н. В. Шаренкова, Л. Н. Васильев, С. М. Соловьев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 217-219. - Библиогр.: с. 219 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифрактометрия; диэлектрики; зависимости; кристаллические решетки; моносульфид самария; параметры; полупроводники; рентгеновская дифрактометрия; решетки; самарий; сульфид самария; температурные зависимости Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии исследовано поведение параметра решетки монокристаллов сульфида самария в температурном интервале 100-700 К. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
539.2 Ш 25 Шаренкова, Н. В. Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS [] / Н. В. Шаренкова, В. В. Каминский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 598-602. - Библиогр.: с. 602 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гомогенность; дифрактометрия; диэлектрики; металлическая фаза; металлические слои; механическая полировка; пленки; поликристаллические образцы; полировка; полупроводники; полупроводниковые образцы; рентгеновская дифрактометрия; сульфид самария; фаза Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности пленки металлической фазы, возникающей при дозированной полировке полупроводниковых поликристаллических образцов SmS (1+x) S в области гомогенности. Исследованы структурные изменения, возникающие при этом в полупроводниковой фазе. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Каменская, Г. А. |
539.2 Г 62 Голубков, А. В. Исследование диффузии европия в SmS [Текст] / А. В. Голубков, В. А. Дидик [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1192-1194. - Библиогр.: с. 1194 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): активация; диффузия; диффузия европия; диэлектрики; европий; коэффициент диффузии; монокристаллический сульфид самария; поликристаллический сульфид самария; полупроводники; сульфид самария; энергия активации Аннотация: В интервале температур от 780 до 1100 градусов Цельсия исследована диффузия европия в сульфиде самария. Получены данные о коэффициенте диффузии и энергиях активации европия в моно- и поликристаллических образцах SmS. Доп.точки доступа: Дидик, В. А.; Каминский, В. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шаренкова, Н. В. |
539.2 В 19 Васильев, Л. Н. О структуре дефектов в SmS [Текст] / Л. Н. Васильев, В. В. Каминский [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1777-1778. - Библиогр.: с. 1778 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): донорные уровни; когерентное рассеяние; концентрация ионов проводимости; монокристаллы; области когерентного рассеяния; рентгеновское излучение; самарий Аннотация: Получена экспериментальная зависимость концентрации электронов проводимости от размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Кривая проанализирована на основании разработанной ранее концентрационной модели энергетического спектра SmS. Показано, что примесные донорные уровни в SmS соответствуют дефектным ионам самария, располагающимся на границах областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В. |
621.3 К 18 Каминский, В. В. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS [Текст] / В. В. Каминский, С. М. Лугуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 3-6 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический SmS -- моносульфид самария -- коэффициент линейного раширения Аннотация: В температурном интервале 300-850 К измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5. 62-5. 8 А, близкой к таковой для металлического SmS. Доп.точки доступа: Лугуев, С. М.; Омаров, З. М.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
621.3 К 182 Каминский, В. В. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS [Текст] / В. В. Каминский, С. М. Лугуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 3-6 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический SmS -- моносульфид самария -- коэффициент линейного раширения Аннотация: В температурном интервале 300-850 К измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5. 62-5. 8 А, близкой к таковой для металлического SmS. Доп.точки доступа: Лугуев, С. М.; Омаров, З. М.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
539.2 К 182 Каминский, В. В. Концентрационная модель фазовых переходов полупроводник-металл в SmS [Текст] / В. В. Каминский, авт. Л. Н. Васильев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 4. - С. 685-688. - Библиогр.: с. 688 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовый переход полупроводник-металл -- моносульфид самария -- пьезосопротивление -- термовольтаический эффект Аннотация: Проведены модельные расчеты, объясняющие механизм фазового перехода полупроводник-металл в SmS. Использовалась несколько модифицированная модель, основанная модель, основанная на методах, применявшихся ранее для объяснения концентрационного механизма пьезосопротивления и термовольтаического эффекта в SmS. Полученные устойчивые расчетные результаты для величины давления фазового перехода при всестороннем сжатии (P[c] около 700 MPa при T = 300 K) позволяют сделать вывод о том, что определяющим величину P[c] фактором является наличие 4f-уровней ионов самария и их возбужденных состояний. Предложенная модель носит универсальный характер и применима также для расчета параметров других эффектов в SmS, связанных с моттовскими переходами и сопровождающихся коллективной делокализацией носителей заряда. Доп.точки доступа: Васильев, Л. Н. |
Каминский, В. В. Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария [Текст] / В. В. Каминский, М. М. Казанин // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 8. - С. 92-94
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): термовольтаический эффект -- тонкие пленки -- сульфид самария Аннотация: Впервые наблюдался термовольтаический эффект в тонких пленках сульфида самария. На тонкопленочной сэндвич-структуре в температурном интервале 360-428 K возникало электрическое напряжение ~ 1. 1 V. Доп.точки доступа: Казанин, М. М. |
Голубков, А. В. Исследование диффузии самария в сульфиде самария [Текст] / А. В. Голубков, В. В. Каминский // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 13. - С. 91-94
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузия -- сульфид самария -- поликристаллы Аннотация: При температурах 1000 и 1100 градусах C исследована диффузия самария в поликристаллах сульфида самария состава Sm[1. 13]S. Сделан вывод о преимущественном перемещении самария по границам монокристаллических областей поликристалла. Доп.точки доступа: Каминский, В. В. |
Влияние размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения на электрические параметры полупроводникового SmS [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1158-1161. - Библиогр.: с. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): области когерентного рассеяния -- рентгеновское излучение -- ОКР -- полупроводниковый сульфид самария -- сульфид самария Аннотация: Рассмотрена связь электрических свойств полупроводникового сульфида самария (SmS) с размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Получена экспериментальная зависимость концентрации носителей заряда от величины областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллических образцах SmS, а также в тонких пленках сульфида самария. Удовлетворительное соответствие расчетных кривых и экспериментальных результатов свидетельствует о том, что размер областей когерентного рассеяния оказывает решающее влияние на величины концентраций носителей заряда и дефектных ионов самария в SmS. Изучено влияние термоударов на величину областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллах SmS, а также в поликристаллических образцах состава Sm[0. 4]Eu[0. 6]S. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Васильев, Л. Н.; Каменская, Г. А. |
Термовольтаический эффект в поликристаллическом SmS [Текст] / В. В. Каминский [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): термовольтаические эффекты -- поликристаллические образцы -- градиенты концентрации ионов -- стехиометрический состав -- ионы самария -- самарий -- Sm -- электрическое напряжение -- генерация электрического напряжения -- температурные интервалы Аннотация: Впервые наблюдался термовольтаический эффект в поликристаллическом образце SmS с искусственно созданным градиентом концентрации избыточных относительно стехиометрического состава ионов самария. Генерация электрического напряжения 12-22. 5 mV наблюдалась в интервале температур 370-485 K. Показано, что специфическая для SmS генерация электрического напряжения за счет термовольтаического эффекта может возникать в температурном интервале 100-1800 K. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Дидик, В. А.; Казанин, М. М.; Романова, М. В.; Соловьев, С. М. |
Улашкевич, Ю. В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В. Голубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 324-328
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические образцы -- моносульфид самария -- инфракрасные спектры отражения -- тензорезистивный эффект -- отжиг Аннотация: На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm[1+x]S, лежащими внутри области гомогенности (0=? x= ? 0. 17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см\{-1\} в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см\{-1\}, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами \{7\}F[0]-\{7\}F[2] 4f-электронов ионов Sm\{2+\}. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В. |
Егоров, В. М. Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария [Текст] / В. М. Егоров, В. В. Каминский // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1521-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сульфиды самария -- эндотермические эффекты -- полупроводники -- термовольтаические эффекты -- эффекты термовольтаические Аннотация: Обнаружен эффект теплопоглощения в температурной области возникновения термовольтаического эффекта в монокристалле сульфида самария (SmS). Показано, что ответственным за его появление является коллективный заброс электронов с донорных уровней в зону проводимости. Доп.точки доступа: Каминский, В. В. |
Механизм стабилизации металлической модификации Sm[1-x]Gd[x]S при фазовом переходе полупроводник-металл под давлением [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1604-1606. - Библиогр.: с. 1606 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- механизмы стабилизации модификаций -- монокристаллы -- стабилизаця металлических фаз -- степени дефектности материалов -- полупроводниковые соединения -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния Аннотация: На основании сравнительного анализа структурных особенностей и электрических параметров монокристаллов Sm[0. 85]Gd[0. 15]S в полупроводниковой и стабильной при атмосферном давлении металлической фазах сделан вывод, что в материалах с составом Sm[1-x]Gd[x]S стабилизация металлической фазы после ее получения под высоким гидростатическим давлением происходит за счет увеличения степени дефектности материала. Последнее находит свое отражение в уменьшении размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Аналогичным образом сохраняется металлическая фаза SmS, возникающая в приповерхностном слое после полировки поверхности образца. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Степанов, Н. Н.; Романова, М. В.; Голубков, А. В. |
Влияние степени совершенства кристаллов и отклонения от стехиометрического состава на процессы диффузии в сульфиде самария [Текст] / В. В. Каминский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1900-1904. - Библиогр.: с. 1904 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): стехиометрические составы -- процессы диффузии -- сульфиды самария -- диффузии европия -- методы разиоактивных изотопов -- области когерентного рассеяния рентгеновских излучений -- коэффициенты диффузии примесей Аннотация: Исследованы процессы диффузии самария и европия в нестехиометрическом SmS в температурном интервале 950-1600 градусах Цельсия как методом радиоактивных изотопов, так и методом потери веса образцов при испарении избыточного самария. Обнаружена связь между величинами коэффициентов диффузии D и размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (ОКР) в образцах SmS, а также степенью отклонения состава от стехиометрии: коэффициент диффузии примесей уменьшается при увеличении ОКР и по мере приближения состава к стехиометрическому. Расчет коэффициента диффузии электронов в SmS при T=77-300 K показал, что значение D увеличивается с ростом температуры и областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Дидик, В. А.; Романова, М. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шалаев, Б. Н.; Шаренкова, Н. В. |
Каминский, В. В. Исследование температурных зависимостей электросопротивления монокристаллов SmS при различных давлениях [Текст] / В. В. Каминский, Н. Н. Степанов, А. А. Молодых // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1269-1270. - Библиогр.: с. 1270 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электросопротивление -- электросопротивление монокристаллов -- барические сдвиги примесных уровней -- гидростатическое сжатие -- моносульфид самария -- моносульфиды -- фазовые переходы Аннотация: На основании измерений температурных зависимостей электросопротивления монокристаллов SmS при различных давлениях получена величина барического сдвига примесных уровней при гидростатическом сжатии (-9. 6 meV/MPa) при T=300 K. Полученная величина подтверждает справедливость существующей модели фазового перехода полупроводник-металл в моносульфиде самария. Доп.точки доступа: Степанов, Н. Н.; Молодых, А. А. |