Влияние степени совершенства кристаллов и отклонения от стехиометрического состава на процессы диффузии в сульфиде самария [Текст] / В. В. Каминский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1900-1904. - Библиогр.: с. 1904 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): стехиометрические составы -- процессы диффузии -- сульфиды самария -- диффузии европия -- методы разиоактивных изотопов -- области когерентного рассеяния рентгеновских излучений -- коэффициенты диффузии примесей Аннотация: Исследованы процессы диффузии самария и европия в нестехиометрическом SmS в температурном интервале 950-1600 градусах Цельсия как методом радиоактивных изотопов, так и методом потери веса образцов при испарении избыточного самария. Обнаружена связь между величинами коэффициентов диффузии D и размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (ОКР) в образцах SmS, а также степенью отклонения состава от стехиометрии: коэффициент диффузии примесей уменьшается при увеличении ОКР и по мере приближения состава к стехиометрическому. Расчет коэффициента диффузии электронов в SmS при T=77-300 K показал, что значение D увеличивается с ростом температуры и областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Дидик, В. А.; Романова, М. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шалаев, Б. Н.; Шаренкова, Н. В. |